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中科院半導(dǎo)體所

文章:1553 被閱讀:634w 粉絲數(shù):332 關(guān)注數(shù):0 點贊數(shù):52

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功率半導(dǎo)體晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4501次閱讀
功率半導(dǎo)體晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝:若將薄膜淀積視為 “加法工藝”(通過材料堆積形....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:25 ?3734次閱讀
集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

3D封裝架構(gòu)的分類和定義

3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類,分別采用TSV、TCB和混合鍵合....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:23 ?2191次閱讀
3D封裝架構(gòu)的分類和定義

淺談SPICE模型參數(shù)自動化提取

在過去的幾十年里,半導(dǎo)體器件緊湊型模型已經(jīng)從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個參數(shù)發(fā)展到....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:21 ?1613次閱讀

詳解芯片制造中的可測性設(shè)計

然而,隨著納米技術(shù)的出現(xiàn),芯片制造過程越來越復(fù)雜,晶體管密度增加,導(dǎo)致導(dǎo)線短路或斷路的概率增大,芯片....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:19 ?3038次閱讀
詳解芯片制造中的可測性設(shè)計

硅通孔電鍍材料在先進封裝中的應(yīng)用

硅通孔(TSV)技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔,達成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-14 08:30 ?7164次閱讀
硅通孔電鍍材料在先進封裝中的應(yīng)用

TSV制造工藝概述

硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-13 10:41 ?4484次閱讀
TSV制造工藝概述

一文詳解晶圓級封裝與多芯片組件

晶圓級封裝(WLP)與多芯片組件(MCM)作為先進封裝的“雙引擎”,前者在晶圓未切割時即完成再布線與....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-13 10:36 ?2894次閱讀
一文詳解晶圓級封裝與多芯片組件

PoP疊層封裝與光電路組裝技術(shù)解析

半導(dǎo)體封裝正快速走向“堆疊+融合”:PoP把邏輯和存儲垂直整合,先測后疊保良率;光電路組裝用光纖替代....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-10 08:08 ?10369次閱讀
PoP疊層封裝與光電路組裝技術(shù)解析

系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)作為后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)的核心突破方向,正以三維集成理念重構(gòu)電子系統(tǒng)的構(gòu)建邏輯。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:46 ?8070次閱讀
系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

碳化硅材料有什么特點

目前車規(guī)級IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作,與硅基半導(dǎo)體材料相比, 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:44 ?3035次閱讀
碳化硅材料有什么特點

一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

SOI(silicon-on-insulator,絕緣襯底上的硅)技術(shù)的核心設(shè)計,是在頂層硅與硅襯底....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 16:17 ?7337次閱讀
一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展,當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:53 ?2036次閱讀
晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

集成電路制造中封裝失效的機理和分類

隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進,封裝缺陷對可靠性的影響愈發(fā)凸顯,為提升封裝質(zhì)量需深入探究失....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:52 ?1451次閱讀
集成電路制造中封裝失效的機理和分類

集成電路中場效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

柵極電阻的存在對電路性能的影響很大,會引入熱噪聲,增大電路的噪聲系數(shù),影響器件的開關(guān)速度和最大振蕩頻....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:51 ?1207次閱讀
集成電路中場效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

HBM通過使用3D堆疊技術(shù),將多個DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片堆疊在一起,并通過硅通孔(TSV....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:47 ?2749次閱讀

一文詳解BSIM-SOI模型

隨著半導(dǎo)體工藝進入納米尺度,傳統(tǒng)體硅(Bulk CMOS)技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:41 ?2683次閱讀
一文詳解BSIM-SOI模型

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路。單晶硅對純度....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1894次閱讀
一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

拉曼光譜的基礎(chǔ)知識

想象一下,如果我們能夠"聽見"分子的"聲音",那會是什么樣的?拉曼光譜技術(shù)正是這樣一種神奇的工具,它....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:11 ?2972次閱讀
拉曼光譜的基礎(chǔ)知識

光伏電池的發(fā)展歷程和分類

2025 光伏電池的研究起源可追溯至 1883 年,科學(xué)家 Charles Fritts 采用硒半導(dǎo)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:09 ?2089次閱讀
光伏電池的發(fā)展歷程和分類

電源管理芯片常見術(shù)語

PMIC (Power Management Integrated Circuit):電源管理集成電....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:07 ?1490次閱讀

一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

為什么非彈性散射值得我們關(guān)注?因為這類散射過程產(chǎn)生了多種信號,每種信號都能提供比彈性電子更豐富的樣品....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-16 11:30 ?2250次閱讀
一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

離子注入技術(shù)的常見問題

離子注入單晶靶材時,因靶體存在特定晶向,其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-12 17:16 ?3147次閱讀
離子注入技術(shù)的常見問題

一文詳解TEM中的彈性散射

彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來源,同時也產(chǎn)生衍射圖樣(DPs)的大部分強度,因此理解控制這一過....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-10 15:20 ?3125次閱讀
一文詳解TEM中的彈性散射

一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

拉曼散射通常是一種非常微弱的效應(yīng),因為激發(fā)的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-09 09:50 ?1748次閱讀
一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

在空間輻射環(huán)境下,高能質(zhì)子與重離子的作用會誘發(fā)單粒子效應(yīng)。誘發(fā)這類單粒子效應(yīng)的空間輻射,主要來源于兩....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:57 ?1678次閱讀
一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

PDK在集成電路領(lǐng)域的定義、組成和作用

PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計套件)是集成電路設(shè)計流程中的重要工具包,它為設(shè)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:56 ?3189次閱讀

TEM中散射和衍射的基本原理

電子是低質(zhì)量、帶負(fù)電荷的粒子,經(jīng)過其他電子或原子核附近時易被庫侖相互作用偏轉(zhuǎn)。這種靜電作用引起的散射....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:52 ?2284次閱讀
TEM中散射和衍射的基本原理

NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:51 ?7883次閱讀
NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

在探討單粒子翻轉(zhuǎn)基本機理時,深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機理至關(guān)重要,這些過程與機理對明確....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:50 ?1570次閱讀
一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集
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