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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>

什么是函數(shù)信號(hào)發(fā)生器,函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的作用,函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的工作原理

函數(shù)信號(hào)發(fā)生器是一種能提供各種頻率、波形和輸出電平電信號(hào)的設(shè)備。在測(cè)量各種電信系統(tǒng)或電信設(shè)備的振幅特性、頻率特性、傳輸特性及其它電參數(shù)時(shí),以及測(cè)量元器件的特性與參數(shù)時(shí),用...

2017-05-09 標(biāo)簽:電容晶體管信號(hào)發(fā)生器 27656

什么是邏輯分析儀?邏輯分析儀的使用方法是什么?邏輯分析儀和示波器有什么

業(yè)邏輯分析儀,通常具有數(shù)量眾多的采樣通道,超快的采樣速度和大容量的存儲(chǔ)深度,但昂貴的價(jià)格也不是個(gè)人所能承受的。作為工程師手頭常備的開(kāi)發(fā)工具,目前有許多入門(mén)級(jí)的邏輯分析儀設(shè)...

2017-05-09 標(biāo)簽:usb接地邏輯分析儀 7177

什么是示波器?示波器的使用方法,示波器的工作原理

當(dāng)顯示方式開(kāi)關(guān)置于CHA或CHB位置時(shí),電子開(kāi)關(guān)為一單穩(wěn)態(tài)電路。前置放大電路CHA或CHB可單獨(dú)工作,此時(shí),雙蹤示波器可作為普通單線(xiàn)示波器使用。...

2017-05-09 標(biāo)簽:電流示波器電壓 6588

什么是同步整流器?開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?

同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET,來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。...

2017-04-27 標(biāo)簽:二極管MOSFET整流器 5725

為什么變頻機(jī)會(huì)引起電機(jī)燒毀,原因又是什么?

變頻器引起電機(jī)燒毀原因有哪些電機(jī)的故障其實(shí)都不是電機(jī)本身的原因,大多是變頻器調(diào)試的不規(guī)范或者是非變頻電機(jī)當(dāng)變頻電機(jī)使用等原因造成的,主要有以下幾種情況:...

2017-04-26 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)風(fēng)扇 24625

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,適用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新的30V N溝道TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子和電源提供了更...

2017-04-25 標(biāo)簽:MOSFETVishaysia468dj 1813

TI推出具有集成電源的增強(qiáng)型隔離器兼具高效率和低輻射

2017年3月23日,北京訊—德州儀器(TI)近日推出一款具有集成電源的新型單芯片增強(qiáng)型隔離器,其效率比現(xiàn)有集成器件高出80%。憑借更高效的功率傳輸、更低的輻射發(fā)射和更高的抗擾度,這款新...

2017-03-23 標(biāo)簽:德州儀器隔離器 1320

Diodes公司帶高壓晶體管的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器提高線(xiàn)式充電器效率

AP3984具有過(guò)壓、開(kāi)路和短路保護(hù)以及帶自動(dòng)重啟的過(guò)溫保護(hù)(OTP)等保護(hù)功能,同時(shí)它提供了可滿(mǎn)足能源之星6.0效率標(biāo)準(zhǔn)(待機(jī)功率小于10mW)的高性能、高集成度和高性?xún)r(jià)比的解決方案。多種...

2017-03-18 標(biāo)簽:Diodes開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器無(wú)線(xiàn)充電 1268

科普:保險(xiǎn)絲工作原理及特性術(shù)語(yǔ)

當(dāng)制作保險(xiǎn)絲的材料及其形狀確定了,其電阻R就相對(duì)確定了(若不考慮它的電阻溫度系數(shù))。...

2017-01-17 標(biāo)簽:保險(xiǎn)絲 2617

關(guān)于漏電保護(hù)器的使用場(chǎng)合、應(yīng)用介紹

漏電保護(hù)器是工礦企業(yè)和家庭中較為常見(jiàn)的一種保護(hù)電器,尤其是在手持電動(dòng)工具中使用較為普遍,但是,由于使用者認(rèn)識(shí)上有誤和使用不正確,使得漏電保護(hù)器在實(shí)際使用中起不到應(yīng)有的保護(hù)...

2017-01-17 標(biāo)簽:漏電保護(hù)器 11115

安森美半導(dǎo)體全面的IPM方案滿(mǎn)足工業(yè)、汽車(chē)和消費(fèi)應(yīng)用的不同需求

智能功率模塊(IPM),是指集成驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路到單個(gè)封裝的模塊化方案,較分立方案減少占板空間,提升系統(tǒng)可靠性,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和加速產(chǎn)品面市時(shí)間。安森美半導(dǎo)體憑借領(lǐng)先的硅和封裝技術(shù),提...

2017-01-11 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體IPM 2886

電源熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ):對(duì)熱阻的認(rèn)識(shí)

電源熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ):對(duì)熱阻的認(rèn)識(shí)

最后的散熱是否達(dá)標(biāo)還要根據(jù)實(shí)際測(cè)試才能知道。計(jì)算只是一個(gè)大概值,起到一個(gè)大的指導(dǎo)方向。...

2016-12-22 標(biāo)簽:電源熱阻 3914

受惠電動(dòng)汽車(chē)增長(zhǎng) 2020年GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6億美元 

受惠電動(dòng)汽車(chē)增長(zhǎng) 2020年GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6億美元 

市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole)認(rèn)為,市場(chǎng)規(guī)模方面,2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從(2020年將支配市場(chǎng)的)電源和PFC(功率因數(shù)校正)領(lǐng)域,到UPS(不間斷電...

2016-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌功率器件GaN功率器件 1554

淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。...

2016-12-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 18256

使用GaN基板將GaN功率元件FOM減至1/3

使用GaN基板將GaN功率元件FOM減至1/3

松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測(cè)試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ,GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面,Si基板產(chǎn)品為18.3nC,GaN基板產(chǎn)品為9.4nC。這樣,與...

2016-12-12 標(biāo)簽:gan基板 2773

我國(guó)研發(fā)的8英寸IGBT高鐵控制系統(tǒng)成功中標(biāo)印度機(jī)車(chē)市場(chǎng)

近日,中車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所研發(fā)的8英寸IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)高鐵控制系統(tǒng)成功中標(biāo)印度機(jī)車(chē)市場(chǎng)。這是我國(guó)高鐵裝備核心器件首次獲得海外批量訂單。...

2016-12-12 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)IGBT 2872

功率器件心得——功率MOSFET心得

功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載,帶載能力要強(qiáng)。...

2016-12-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 4443

MPPT和功率分析儀在光伏發(fā)電行業(yè)中的應(yīng)用

在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,如何提高系統(tǒng)的整體效率,一個(gè)重要的途徑就是實(shí)時(shí)調(diào)整光伏電池的工作點(diǎn),使之始終工作在最大功率點(diǎn)附近,這一過(guò)程就稱(chēng)之為最大功率點(diǎn)跟蹤(maximum power point tracking,...

2016-12-01 標(biāo)簽:光伏發(fā)電MPPT功率分析儀 6212

氮化鎵組件2015年~2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用,其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率,因此Yole預(yù)估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%,其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大的一部份,近六成左右,而碳化硅同期的成...

2016-11-28 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC氮化鎵GaN碳化硅 1860

Vishay新款電阻實(shí)現(xiàn)高功率密度及高測(cè)量精度

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出功率等級(jí)達(dá)到3W,采用1216外形尺寸的新表面貼裝Power Metal Strip?檢流電阻---WSK1216。Vishay Dale WSK1216采用Kelvin 4接頭連接,能有效提高...

2016-11-23 標(biāo)簽:電阻VishayVishayWSK1216電阻 2054

羅姆:憑SiC拿下電動(dòng)方程式大賽,逆變器減小30%

在SiC功率器件方面,羅姆展示了該公司的第3代產(chǎn)品。SiC MOSFET的第三代產(chǎn)品是采用“雙溝道結(jié)構(gòu)”的溝道型。相同芯片尺寸下,導(dǎo)通電阻較原來(lái)的平面型SiC MOSFET可降低50%,電容成分可減少35%...

2016-11-23 標(biāo)簽:逆變器SiC羅姆 1450

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大幅增長(zhǎng) SiC躋身電源組件主流

過(guò)去幾年來(lái),碳化硅(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng),成為各界仰賴(lài)的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì):節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整合及提升可靠性。...

2016-11-14 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體碳化硅 3189

超級(jí)電容的應(yīng)用將迎來(lái)洪荒之力

在諸多行業(yè)“等風(fēng)來(lái)”的今天,超級(jí)電容的應(yīng)用算得上是迎風(fēng)而來(lái),能動(dòng)而上。聽(tīng)得見(jiàn)的“風(fēng)”在風(fēng)機(jī)變槳處,看不見(jiàn)的“能”在風(fēng)電并網(wǎng)處。...

2016-11-09 標(biāo)簽:超級(jí)電容半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體芯片 1531

關(guān)于實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案

關(guān)于實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案

功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)...

2016-11-05 標(biāo)簽:功率 1209

有什么辦法保持有刷電機(jī)的簡(jiǎn)單性?

有什么辦法保持有刷電機(jī)的簡(jiǎn)單性?

通過(guò)引入無(wú)刷電機(jī)智能電機(jī)控制方案,半導(dǎo)體行業(yè)正提供越來(lái)越多的產(chǎn)品,消除這些障礙。因此,無(wú)刷電機(jī),像LED燈,可能隨著21世紀(jì)引進(jìn)新技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)環(huán)境的挑戰(zhàn)而越來(lái)越普遍。也許很快,有...

2016-11-04 標(biāo)簽:電機(jī) 2056

制約敏感型應(yīng)用:降低SAR ADC驅(qū)動(dòng)器的放大器功耗

制約敏感型應(yīng)用:降低SAR ADC驅(qū)動(dòng)器的放大器功耗

由于 SAR ADC 的功耗隨著每一代新器件的推出而不斷降低,放大器成了功耗敏感型應(yīng)用的制約因素。那么我們?nèi)绾尾拍苓M(jìn)一步降低功耗?在尋找可能的解決方案之前,讓我們先考慮一下 ADC 功耗降...

2016-11-04 標(biāo)簽:SARadc 1373

Qorvo推出新控制產(chǎn)品,為業(yè)界最豐富的CATV產(chǎn)品組合再添成員

Qorvo推出新控制產(chǎn)品,為業(yè)界最豐富的CATV產(chǎn)品組合再添成員

Qorvo宣布擴(kuò)展CATV產(chǎn)品組合,推出兩款專(zhuān)為DOCSIS 3.1有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的全新控制產(chǎn)品——QPC3624和QPC3024。新增加的產(chǎn)品為有線(xiàn)運(yùn)營(yíng)商提供了更大的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)靈活性,從而提高上游和下游帶寬并降低功耗...

2016-11-04 標(biāo)簽:CATVQorvoCATVQorvoQPC3624 1106

Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源

Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A),新型半橋IGBT模塊系列(1200V,600A)可為設(shè)計(jì)師提供...

2016-10-25 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體IGBT模塊IGBT模塊MG12600WB功率半導(dǎo)體 3353

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

近日在中國(guó)深圳,我遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師?!澳銮稍谠O(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開(kāi)關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò),并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管...

2016-10-24 標(biāo)簽:ti負(fù)載開(kāi)關(guān)CSD18541F5ti負(fù)載開(kāi)關(guān) 1278

100MHz至40GHz RMS功率檢波器 具1dB準(zhǔn)確度和35dB動(dòng)態(tài)范圍

2016 年 9 月 28 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、寬帶和高動(dòng)態(tài)范圍 RMS 功率檢波器LTC5596,該器件可提供 RF 和微波信號(hào)的準(zhǔn)確、真實(shí)功率測(cè)量,這不受調(diào)制和波形的影響...

2016-09-29 標(biāo)簽:Linear功率檢波器LinearLTC5596功率檢波器 4147

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