功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
SiC市場(chǎng)份額翻番，安森美半導(dǎo)體要起飛？
安森美半導(dǎo)體的另一個(gè)強(qiáng)勁市場(chǎng)是CMOS 圖像傳感器 (CIS)。該公司在 ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）市場(chǎng)占有 40% 的市場(chǎng)份額。在汽車市場(chǎng)，隨著 ADAS/AV 功能數(shù)量的不斷增加，帶有圖像傳感器的攝像頭越...
2023-05-11 標(biāo)簽：圖像傳感器安森美半導(dǎo)體SiC 1844
陜西省科技廳廳長(zhǎng)姜建春一行蒞臨龍騰半導(dǎo)體調(diào)研指導(dǎo)秦創(chuàng)原建設(shè)工作
日前，省委科技工委書記、省科技廳廳長(zhǎng)姜建春來經(jīng)開區(qū)調(diào)研秦創(chuàng)原建設(shè)工作，并蒞臨龍騰半導(dǎo)體實(shí)地了解企業(yè)科技創(chuàng)新及生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)情況。 姜建春廳長(zhǎng)一行先后參觀了龍騰半導(dǎo)體展廳及龍威半...
2023-05-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 4899
大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展
功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第...
2023-05-09 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率半導(dǎo)體 5882
電流互感器如何接三相表 正反轉(zhuǎn)電路的連接方法
X0是光電傳感器，當(dāng)檢測(cè)到產(chǎn)品時(shí)，X0的狀態(tài)為ON,C100是停電保持計(jì)數(shù)器...
特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進(jìn)
由此可見，華為對(duì)SiC的投資基本覆蓋了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，這體現(xiàn)了華為對(duì)SiC的發(fā)展?jié)摿τ兄浞值男判?。早?021年，華為便指出，未來十年是第三代功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。...
2023-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1511
一個(gè)完整的電源功率模塊的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程
首先，在設(shè)計(jì)階段，系統(tǒng)的原理圖模塊化設(shè)計(jì)，方便實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)復(fù)用，縮短設(shè)計(jì)周期；集成的仿真和EMI電路分析環(huán)境確保概念設(shè)計(jì)階段電路功能和性能滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)，從而減少失誤導(dǎo)致的設(shè)計(jì)反復(fù)...
2023-04-28 標(biāo)簽：電源原理圖電子系統(tǒng)功率模塊 3296
SiC MOSFET：是平面柵還是溝槽柵？
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)...
絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)器件技術(shù)
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN...
2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN開關(guān)器件 2577
絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下能與（Al）GaN反應(yīng)，從而...
氮化鎵（GaN）的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延生長(zhǎng)中主要以...
氮化鎵材料的分析方法
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測(cè)方法，測(cè)試方法簡(jiǎn)單、方便、測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確，可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞，因此是一種非常重要的、不可替代的晶...
額定電壓和實(shí)際電壓的區(qū)別
額定電壓是指電氣設(shè)備的標(biāo)稱電壓，即電氣設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造時(shí)規(guī)定的電氣參數(shù)，例如交流電機(jī)的額定電壓為380V，發(fā)電機(jī)的額定電壓為6600V等。額定電壓在設(shè)備制造時(shí)已經(jīng)確定，與電網(wǎng)電壓的實(shí)...
2023-04-24 標(biāo)簽：電氣設(shè)備電網(wǎng)電壓額定電壓 16346
所有MLCC都會(huì)嘯叫嗎？MLCC的原因和解決辦法
隨著人們對(duì)電子設(shè)備的需求趨于平靜，在筆記本電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī) (DSC) 等各種應(yīng)用設(shè)備的電源電路方面，以前未引起重視的由電容器振動(dòng)所產(chǎn)生的“嘯叫”問題已成為設(shè)計(jì)方面的課題。...
碳化硅：第三代半導(dǎo)體之星
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電...
碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究
我國(guó)擁有世界最大的汽車消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有3種解決方法:增加充電粧保...
2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET功率器件熱管理碳化硅 1853
電力電子裝置EMI濾波器平面集成研究
順應(yīng)逆變器高頻化和集成化發(fā)展，針對(duì)開關(guān)頻率提高所帶來嚴(yán)重的電磁干擾問題，采用平面磁集成結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙級(jí)EMI濾波器。在EIE型磁芯上實(shí)現(xiàn)雙級(jí)EMI濾波器所需電感繞組的磁集成，同時(shí)引入介電...
五大陶瓷基板材料特性及應(yīng)用大全
BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高，BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導(dǎo)率（熱導(dǎo)系數(shù)）可達(dá)310W/(m·K)，為同等純度Al2O3陶瓷熱導(dǎo)率的10倍左右。...
2023-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 7030
碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究
碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用，然而，其過快的開關(guān)響應(yīng)速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴(yán)重的EMI問題。通過采用理論分析、建模仿真及物理...
2023-04-07 標(biāo)簽：電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件碳化硅 2715
IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別
我們就從常見的開關(guān)說起，這邊給他接一個(gè)電源，右邊接一個(gè)負(fù)載，然后不停的開關(guān)這個(gè)開關(guān)，那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單，但是它真的非常的重要...
正反饋、負(fù)反饋傻傻分不清？
根據(jù)反饋的極性分類，可分為正反饋和負(fù)反饋。使放大電路凈輸入量增大的反饋稱為正反饋，使放大電路凈輸入量減小的反饋稱為負(fù)反饋。正反饋雖然能夠提高放大倍數(shù)，但會(huì)使電路工作變得不...
有趣的材料—無處不在的碳化硅
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材料起到了極大的作用。...
價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小，氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”
價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小 ，氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵材料由于具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、低損耗、高...
產(chǎn)能提高五倍！三菱電機(jī)宣布投資建8吋SiC工廠
新增投資的主要部分，約 1000 億日元，將用于建設(shè)新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區(qū)的自有設(shè)施，將生產(chǎn)大直徑8英寸SiC晶圓，引入具有最先進(jìn)能源效率...
使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率
隨著電動(dòng)汽車 （EV） 制造商競(jìng)相開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率...
2023-03-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器ti逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器 3375
使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備...
2023-03-13 標(biāo)簽：電流轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC亞德諾 2578
功率電感器在汽車電氣化進(jìn)程中的重要作用
在全球日益關(guān)注碳中和的背景下，各大汽車廠商紛紛宣布進(jìn)軍電動(dòng)汽車市場(chǎng)。全部或部分由電池和電機(jī)驅(qū)動(dòng)的xEV正在引領(lǐng)這一趨勢(shì)。汽車行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)大規(guī)模的技術(shù)創(chuàng)新浪潮，比如利用攝像...
氮化鎵市場(chǎng)，中國(guó)扮演重要角色
借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更低。比較三星的硅基和 GaN 基充電...
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