功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
常見的功率器件有哪些？
我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦裕淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使用因素，功率器件分...
開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)分析
功耗小，效率高。在開關(guān)電源電路中，晶體管V在激勵(lì)信號(hào)的激勵(lì)下，它交替地工作在導(dǎo)通-截止和截止-導(dǎo)通的開關(guān)狀態(tài)，轉(zhuǎn)換速度很快，頻率一般為50kHz左右，在一些技術(shù)先進(jìn)的國(guó)家，可以做到...
2023-02-20 標(biāo)簽：電源開關(guān)電源晶體管 4271
你知道開關(guān)電源由什么組成的嗎？
開關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護(hù)電路、輸出過欠壓保護(hù)電路、輸出過流...
2023-02-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波器電磁干擾 2124
可控硅模塊的作用與優(yōu)點(diǎn)分類
可控硅模塊是一種電子元件，它可以控制電路的輸出，以達(dá)到控制電路的目的。它通常由一個(gè)可控硅、一個(gè)電阻和一個(gè)電容組成，可以用來控制電路的頻率、相位和幅度?？煽毓枘K可以用來控...
可控硅模塊的工作原理
可控硅模塊又叫晶閘管（Silicon Controlled Rectifier， SCR）。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘...
可控硅的工作原理與作用
可控硅是一種利用半導(dǎo)體pn結(jié)的擊穿特性來控制電流大小，并可連續(xù)調(diào)節(jié)電壓和電流的一種器件?？煽毓柙陔娐分杏米帜浮癙”表示，它的主要作用是將大電流變成小電流或?qū)⑿‰妷鹤兂纱箅妷骸?..
北京量子院在單光子探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展
在量子通信應(yīng)用中，APD單光子探測(cè)器一般采用門控方式工作，讀出電路需要有效抑制門控電容響應(yīng)信號(hào)。傳統(tǒng)讀出電路包括自差分電路、射頻低通/帶通濾波電路和主動(dòng)對(duì)消電路。自差分電路尺...
功率器件的散熱計(jì)算
功率器件及功率模塊的散熱計(jì)算，其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器，以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模...
微波功率器件材料是什么
微波半導(dǎo)體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能，歸納起來，即在微波功率產(chǎn)生及放大，控制、接收三個(gè)方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率增益。 進(jìn)入20世紀(jì)...
2023-02-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件功率器件半導(dǎo)體器件微波功率 1919
變頻器的質(zhì)量性能指標(biāo)
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現(xiàn)在使用的變頻器主要采用交—直—交方式，先把工頻交流電通過整流器轉(zhuǎn)換成直流電，然后再把直流...
2023-02-16 標(biāo)簽：變頻器半導(dǎo)體器件直流電 5510
變頻調(diào)速技術(shù)的原理及特點(diǎn)
變頻調(diào)速技術(shù)的原理是通過改變電機(jī)的輸入頻率來改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)速控制。變頻調(diào)速技術(shù)的關(guān)鍵是控制電機(jī)的輸入頻率，通過改變電機(jī)的輸入頻率，可以改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速，從而實(shí)現(xiàn)...
2023-02-16 標(biāo)簽：變頻調(diào)速控制電路電機(jī) 8451
IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能不好，...
2023-02-16 標(biāo)簽：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路 5621
IGBT的使用與保護(hù)
目前IGBT 的電流/電壓等級(jí)已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大。這些優(yōu)越的性能使得IGBT 稱為大功率開關(guān)電源、逆變器等電力...
2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBT功率器件 6147
晶閘管的串聯(lián)與并聯(lián)
通常使用兩只晶閘管串聯(lián)工作以解決單只晶閘管耐壓不足的問題。這就需要解決晶閘管的工作電壓平均分配問題， 包括靜態(tài)均壓與動(dòng)態(tài)均壓。靜態(tài)均壓可采用無感電阻串聯(lián)分壓的方式解決；動(dòng)...
晶閘管的使用與保護(hù)
晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，它是具有PNPN 四層結(jié)構(gòu)的各種開關(guān)器件的總稱。按照國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）的定義，晶閘管指那些具有3 個(gè)以上的PN 結(jié)，主電壓——電流特征至少在一個(gè)象限內(nèi)具有...
2023-02-16 標(biāo)簽：晶閘管PN結(jié)開關(guān)器件 1942
功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用
功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用主要有三個(gè)方面：首先，功率器件可以用來控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速，從而實(shí)現(xiàn)變頻控制；其次，功率器件可以用來控制電機(jī)的功率，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能控制；最后，功率器...
開關(guān)電源功率器件熱設(shè)計(jì)
開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)是指在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)過程中，通過合理的熱設(shè)計(jì)技術(shù)，使電源能夠在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作。開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的主要技術(shù)包括熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)、散熱器技術(shù)、熱管...
2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源封裝技術(shù)熱設(shè)計(jì) 1645
開關(guān)電源功率器件的散熱
電源功率器件的散熱主要有熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)和散熱器技術(shù)。熱封裝技術(shù)是將電子元件封裝在一個(gè)熱熔膠中，以保護(hù)元件免受外界環(huán)境的損害，并使元件能夠正常工作。冷封裝技術(shù)是將電...
SiC功率器件的封裝形式
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因?yàn)樗哂泻侠淼臒釋?dǎo)率（60...
微電子封裝熱界面材料研究綜述
在電子器件的散熱過程中，熱傳導(dǎo)需要在兩個(gè)固體表面?zhèn)鬏?，但是界面處不是理想的平面，而是存在少量小尺度凹凸界面，在?shí)際應(yīng)用中界面位置也僅依靠凸起結(jié)構(gòu)接觸,大部分空隙由空氣填充...
2023-02-16 標(biāo)簽：微電子半導(dǎo)體器件功率密度 1678
為何SiC模塊受到市場(chǎng)高度關(guān)注？
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成為電動(dòng)汽車等大功率應(yīng)用的首選技術(shù)。...
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的設(shè)計(jì)技巧
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號(hào)，從而控制IGBT晶體管的開關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。...
2023-02-15 標(biāo)簽：IGBT控制信號(hào)隔離驅(qū)動(dòng) 1695
功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間的特性
功率場(chǎng)效應(yīng)管是一種可控硅晶體管，它是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管，具有較低的額定電壓、較大的漏電流和較慢的開關(guān)速度等特點(diǎn)。...
2023-02-15 標(biāo)簽：三極管晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)管 1670
功率MOSFET心得
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物（SiO2或SiN）及半導(dǎo)體三種材料...
2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 1002
功率器件的保護(hù)方法
功率器件的選擇應(yīng)根據(jù)電路的要求，考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù)，以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素，以確保功率器件的可靠性和性能。...
LED驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)及作用
LED驅(qū)動(dòng)器是一種用于控制LED燈的電路，它可以提供穩(wěn)定的電壓和電流，從而確保LED燈的正常工作。LED驅(qū)動(dòng)器通常由電源、控制電路和輸出電路組成，它可以根據(jù)輸入信號(hào)調(diào)節(jié)LED燈的亮度和顏色。...
2023-02-15 標(biāo)簽：led燈控制電路led驅(qū)動(dòng)器 10749
CMOS的靜電及過壓
CMOS的靜電放電可能會(huì)導(dǎo)致電路損壞，而過壓可能會(huì)導(dǎo)致電路過熱，從而影響電路的性能和可靠性。因此，在使用CMOS時(shí)，應(yīng)注意防止靜電放電和過壓。...
金剛石半導(dǎo)體應(yīng)用與優(yōu)缺點(diǎn)
金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻率和高溫環(huán)境下工作...
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