功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
AMD 3D V-cache有望改變緩存設(shè)計(jì)
在我們談?wù)?3D V-Cache 之前，我們需要先談?wù)劤Ｒ?guī)的舊緩存。很久以前，計(jì)算機(jī)使用兩種基本類(lèi)型的存儲(chǔ)：硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器速度慢但可以存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，而 RAM 只能...
2023-02-13 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器amd晶體管 1188
電容降壓的工作原理 阻容降壓的工作原理
電容降壓實(shí)際上是利用容抗限流，而電容器實(shí)際上起到一個(gè)限制電流和動(dòng)態(tài)分配電容器和負(fù)載兩端電壓的角色。...
下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅
這些優(yōu)勢(shì)有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化、低 噪化，可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)的快速充電 器等的功率因數(shù)校...
氮化鎵技術(shù)概念股
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很...
2023-02-13 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 5279
什么叫氮化鎵異質(zhì)外延片？
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV，又被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半...
2023-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2692
氮化鎵材料為什么如此昂貴？
可換成氮化鎵就不一樣了，單車(chē)變轎車(chē)，開(kāi)關(guān)頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來(lái)，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器體積，降低發(fā)熱、提...
5V轉(zhuǎn)3.3V電平的19種方法技巧
在選擇 LDO 時(shí)，重要的是要知道如何區(qū)分各種LDO。器件的靜態(tài)電流、封裝大小和型號(hào)是重要的器件參數(shù)。根據(jù)具體應(yīng)用來(lái)確定各種參數(shù)，將會(huì)得到最優(yōu)的設(shè)計(jì)。...
開(kāi)關(guān)電源電路10點(diǎn)總結(jié)
C1、L1、C2、C3組成的雙π型濾波網(wǎng)絡(luò)主要是對(duì)輸入電源的電磁噪聲及雜波信號(hào)進(jìn)行抑制，防止對(duì)電源干擾，同時(shí)也防止電源本身產(chǎn)生的高頻雜波對(duì)電網(wǎng)干擾。...
2023-02-11 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源濾波器濾波電路 1508
隔離采樣中的放大器與調(diào)制器如何選擇
隔離放大器的輸入級(jí)由一個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入放大器-ΔΣ調(diào)制器的輸入放大器組成。輸入放大器的增益由內(nèi)部精度電阻器進(jìn)行固定和設(shè)置，ΔΣ調(diào)制器則使用內(nèi)部參考電壓和時(shí)鐘發(fā)生器來(lái)將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)...
2023-02-10 標(biāo)簽：放大器轉(zhuǎn)換器隔離放大器 1608
功率半導(dǎo)體起飛，制程向12英寸拓展
作為中國(guó)功率半導(dǎo)體業(yè)界龍頭之一的華潤(rùn)微電子宣布，重慶12英寸晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)，以及先進(jìn)功率封裝測(cè)試基地等兩大建設(shè)計(jì)劃，均已建成投產(chǎn)，標(biāo)志著華潤(rùn)微車(chē)用功率裝置產(chǎn)業(yè)基地已初步成形。...
2023-02-10 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體晶圓制造 1004
車(chē)規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開(kāi)關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力
大電流功率開(kāi)關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管，集成了各種保護(hù)、診斷和檢測(cè)功能。在大功率汽車(chē)電源系統(tǒng)中，通過(guò)背靠背連接的 MOSFET開(kāi)關(guān)管...
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波...
碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為5G鋪平道路
許多人可能認(rèn)為，既然 5G 已經(jīng)開(kāi)始鋪開(kāi)，那么4G 技術(shù)也即將退出歷史舞臺(tái)。但這絕不是事實(shí)，因?yàn)槿杂杏?jì)劃為許多使用較老的 3G／4G 技術(shù)的地區(qū)提供 4G 服務(wù)，以及升級(jí)和維護(hù) 4G 服務(wù)，以便為未...
什么是氮化鎵（GaN）？什么是高電子遷移率晶體管？
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場(chǎng)作用下，高效...
硅基氮化鎵技術(shù)到底有啥優(yōu)勢(shì)？
具體而言，SiC 近年來(lái)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來(lái)說(shuō)，可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用，例如 IGBT 這些產(chǎn)品都有著很好的使用，應(yīng)用領(lǐng)域在不...
射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線(xiàn)電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采...
硅基氮化鎵介紹
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的...
2023-02-10 標(biāo)簽：無(wú)線(xiàn)通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2765
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開(kāi)關(guān)電路的各種電子電路中。...
2023-02-09 標(biāo)簽：JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管jfet器件 31631
瑞薩電子全新汽車(chē)級(jí)智能功率器件（IPD）特性
隨著E/E架構(gòu)不斷發(fā)展，全新IPD的推出滿(mǎn)足了日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。在傳統(tǒng)的分布式E/E架構(gòu)中，來(lái)自電池的電能通過(guò)機(jī)械繼電器和熔斷器組成的電箱，經(jīng)由長(zhǎng)而粗的線(xiàn)束分配給各個(gè)電子控制單元（...
SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境下工作，具有極低的開(kāi)關(guān)損耗和高頻...
2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1518
碳化硅二極管的特點(diǎn)
碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它...
碳化硅sic二極管在PWM整流器中的應(yīng)用
對(duì)于大功率、高效率、超緊湊式的高功率因數(shù)整流器，直接三相整流器，諸如三電平維也納整流器，是比較適合的整流解決方案。特別是航空電源系統(tǒng)，這是因?yàn)樾乱淮娘w機(jī)將在380Hz和800Hz之...
2023-02-09 標(biāo)簽：整流器大功率電源系統(tǒng) 2796
碳化硅肖特基二極管在PFC電路中的應(yīng)用
在硬開(kāi)關(guān)連續(xù)導(dǎo)電模式Boost變換中，升壓二極管的反向恢復(fù)會(huì)引起較大的反向恢復(fù)損耗和過(guò)高的di/dt，產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。在提高功率因數(shù)的同時(shí)，提高開(kāi)關(guān)管及半導(dǎo)體管的熱穩(wěn)定性，降低電...
大功率碳化硅二極管的應(yīng)用
由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的...
基于準(zhǔn)垂直型氮化鎵肖特基二極管的高功率微波限幅器
伴隨著5G通信時(shí)代的到來(lái)，數(shù)據(jù)的無(wú)線(xiàn)傳輸速率逐漸提高，同時(shí)也對(duì)射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的射頻前端接收器上，例如包括...
氮化鎵功率晶體管基礎(chǔ)
一個(gè)器件的成本效益，從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開(kāi)始計(jì)算。宜普公司的工藝技術(shù)，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/Al），隔離了器件結(jié)構(gòu)和基底。這個(gè)隔離層能隔...
氮化鎵晶體管到底有什么了不起？
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計(jì)的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們?cè)谳^低速度、650V，非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用開(kāi)關(guān)電源技術(shù)，通常...
2023-02-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)電源電機(jī) 1462
氮化鎵在電力電子領(lǐng)域的意義
許多由氮化鎵（也稱(chēng)為GaN）制成的的東西正在電力電子領(lǐng)域發(fā)生變化。今天，您可以購(gòu)買(mǎi)帶有足夠電量的小型USB-C充電器，它可以同時(shí)為您的筆記本電腦、手機(jī)和平板電腦供電，即使它們并不比...
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