功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體應(yīng)用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析
GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件，在300V~...
氮化鎵晶體管應(yīng)用領(lǐng)域
基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的增加，基于硅的轉(zhuǎn)換器表現(xiàn)出更高的性能下降。...
2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 851
在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？
碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了...
村田推出內(nèi)置分割比例自動(dòng)切換功能的降壓DC-DC電荷泵IC
“FlexiCPTM系列（PE25203）”基于村田自主研發(fā)的實(shí)質(zhì)無損開關(guān)電容器架構(gòu)(1)，將3芯/２芯電池電壓進(jìn)行3分割或2分割，對1芯輸入構(gòu)成的系統(tǒng)，以99%的峰值轉(zhuǎn)換效率提供電力。...
2023-02-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DC-DC開關(guān)電容器 1437
半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料【二】
設(shè)備功能：與光刻機(jī)聯(lián)合作業(yè)，首先將光刻膠均勻地涂到晶圓上，滿足光刻機(jī)的工作要求；然后，處理光刻機(jī)曝光后的晶圓，將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部分除去或保留下來。...
2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備電離 3870
東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，產(chǎn)品開發(fā)難度相對較大...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元...
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制...
2021 ~ 2027年IGBT全球市場規(guī)模CAGR將達(dá)7%
絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢，2021~2027年市場規(guī)模將以復(fù)合年均成長率(CAGR) 7%成長至93.8億美元。...
功率半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識點(diǎn)介紹
功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝...
2023-02-07 標(biāo)簽：芯片分立器件功率半導(dǎo)體 2172
了解功率半導(dǎo)體分立器件分類有哪些！
全控器件：通過控制信號既能夠控制其導(dǎo)通，又能夠控制其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件， 器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場效應(yīng)晶體管、門極可關(guān)斷晶閘管等；...
2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管分立器件功率半導(dǎo)體 2387
功率器件和分立器件的區(qū)別
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用于直流輸電領(lǐng)域。 MOSFET高頻、功率低...
功率半導(dǎo)體分立器件的分類及應(yīng)用
按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）...
八大維度解析IGBT分立器件哪家強(qiáng)？
功率半導(dǎo)體是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心器件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、 功率放大、功率控制等。 按器件集成度劃分，功率半導(dǎo)體可以分為功率分立器件、功率模...
2023-02-07 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 1797
小信號器件和功率器件又是什么？
隨著小信號器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會（WSTS）也將小信號器件定義為耗散功率小于1W（或者額定電...
氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第...
2023-02-07 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2427
利用增強(qiáng)型SOA縮小熱插拔管腳尺寸
超大規(guī)模計(jì)算通常依賴于具有超高可擴(kuò)展性的服務(wù)器架構(gòu)和虛擬網(wǎng)絡(luò)。要確保設(shè)備全天24小時(shí)保持連接，熱插拔功能仍然是一種關(guān)鍵功能。但是，要在開關(guān)效率和強(qiáng)大安全工作區(qū)(SOA)方面達(dá)到要...
溝槽肖特基技術(shù)可實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的電源
新的Recom RACM1200-V電源必須滿足IEC60601-1的嚴(yán)格要求，IEC<>-<>是醫(yī)療電氣設(shè)備安全和性能的一系列技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。這些要求包括在PCB上保持適當(dāng)?shù)呐离娋嚯x和間隙距離的安全性，同時(shí)將功耗保...
2023-02-07 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器整流器 1256
適用于36V電池的高效隔離
使用36 V鋰離子電池供電的工具和室外電力設(shè)備變得日益常見。這類電池具有良好的功率和電池壽命搭配，同時(shí)相對輕便，易于使用。但由于能量密度比較高，因此它們需要高效的電池隔離。N...
硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。...
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利...
2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基氮化鎵技術(shù) 5034
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么，氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出，近年來第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。...
氮化鎵前景怎么樣啊 氮化鎵用途有哪些方面
氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速率大、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能...
Vishay推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。...
納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。...
淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。...
2023-02-06 標(biāo)簽：SiCGaNGaN晶體管SiC MOSFET 1384
如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？
集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下工作，從而顯著降低對偏置電源的要求。...
2023-02-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 1113
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