IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點方案及介紹。

全部新品資訊技術資料企業(yè) 論壇運算放大器選型

半導體邏輯器件工藝流程簡介 MOSFET及相關器件介紹

當PN正向偏置時，電流隨電壓的增大而迅速增大。當反向偏置時，電流很小且隨電壓增大變化不大，但是當電壓達到臨界點時電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向導通與反向導擊穿。...

2023-10-19 標簽：二極管 MOSFET 電容晶體管柵極電壓 1075

談談直流功率循環(huán)老化的測試方法

經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗，總覺得這個不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動，然后經(jīng)過幾萬次循環(huán)，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確定循環(huán)次數(shù)。...

2023-10-19 標簽：IGBT 功率器件驅動電壓 1829

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關應用，而IGBT更適合高功率應用。...

2023-10-17 標簽：MOSFET 逆變器電機驅動 IGBT 碳化硅 4951

PCB設計要點之DC-DC轉換器

走線寬度計算使用計算出的電流、走線電阻和電壓降值，使用在線走線寬度計算器或考慮 PCB 銅厚度和材料的 PCB 設計軟件來計算所需的走線寬度。...

2023-10-17 標簽：電阻 pcb 轉換器 MOS管 DCDC 1125

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。...

2023-10-17 標簽：MOSFET 逆變器 IGBT 功率器件碳化硅 451

汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET解決方案

　新型應用中有4大要素在推動汽車電子功率器件的演進：足夠的關斷電壓等級（Bvdss）、系統(tǒng)功率要求、系統(tǒng)智能性/生存能力（Survivability）。...

2023-10-16 標簽：MOSFET IC 汽車電子顯示屏車載系統(tǒng) 361

拆解優(yōu)利德直流穩(wěn)壓電源內部結構原理

拆開外殼6個螺絲，底下是功率板，兩個變壓器，小的是輔助電源的，大的是主電源輸出的。一個3P插件是輔助電源給控制板供正負電壓的。還有個4P是溫度檢測和控制信號，溫度采集傳感器是通...

2023-10-15 標簽：二極管開關電源穩(wěn)壓電源 MOS管低通濾波 3976

不同電壓和功率等級的三菱電機SiC功率器件介紹

　除牽引逆變器外，輔助轉換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關頻率提升。開關頻率的增加通常允許減小無源元件（如變壓器、電感器或電容器）的尺寸。此外...

2023-10-15 標簽：變壓器 MOSFET 三菱電機功率器件 SiC 1525

如何區(qū)分晶振的負載電容與外接電容問題

在無源晶振應用方案中，兩個外接電容能夠微調晶振產(chǎn)生的時鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當發(fā)生程序啟動慢或不運行時，建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。...

2023-10-15 標簽：無源晶振晶振負載電容并聯(lián)電阻無源晶振晶振負載電容 920

輸入濾波電容引起問題電路解析

在輸入電壓上電瞬間或者輸入電壓有突變時產(chǎn)生的問題同上電順序有關系。如果適配器先接通電源，開關K斷開，那么電容C1就先被充電。...

2023-10-15 標簽：濾波電容適配器瞬態(tài)電壓電解電容陶瓷電容 824

NTC熱敏電阻在鋰電池充放電中的作用

PTC熱敏電阻用于溫度的測量與控制，還可用作加熱元件，同時起到“開關”的作用，兼有靈敏元件，加熱器和開關三種功能，稱為“熱敏開關”。...

2023-10-15 標簽：熱敏電阻 NTC 1726

功率器件開關速度對傳導、輻射產(chǎn)生的認識

高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放，這種磁場是空間發(fā)散的，不受控集中時，會對空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾，應盡量做小線路中分布電感。...

2023-10-13 標簽：電源電路電磁輻射 emc 功率器件 851

半導體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數(shù)的影響

當n型半導體與p型半導體接觸時，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散，稱為擴散運動。當電子進入p型區(qū)域，空穴進入n型區(qū)域后，即與對方多子復合，留下了固定不動的原子核。...

2023-10-13 標簽：二極管 MOSFET MOS管晶體管制程工藝 2346

元器件失效主要受哪些因素影響

由于P-N結的正向壓降受溫度的影響較大，所以用P-N為基本單元構成的雙極型半導體邏輯元件（TTL、HTL等集成電路）的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關系。...

2023-10-13 標簽：集成電路元器件熱敏電阻半導體器件元器件半導體器件失效機理熱敏電阻集成電路 774

引起單片機晶振不起振的原因有哪些呢？

遇到單片機晶振不起振是常見現(xiàn)象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？ (1) PCB板布線錯誤； (2) 單片機質量有問題； (3) 晶振質量有問題； (4) 負載電容或匹配電容與晶振不匹配或者...

2023-10-13 標簽：單片機 pcb 萬用表電容晶振 2389

IGBT模塊的額定值和特性介紹

如果施加超過額定值的負載。會立即損壞元件或降低元件的可靠性。請遵照規(guī)格書額定值進行設計...

2023-10-13 標簽：二極管整流二極管 IGBT模塊 igbt芯片漏電電流 1850

MMKP82電容器的內部結構及應用

MMKP82電容器采用聚丙烯薄膜作為介質，以自愈特性優(yōu)良的耐高溫雙面金屬化聚酯薄膜作電極，雙端噴金形成無感結構，單向引出，引出采用鍍錫銅線(CU線)，阻燃環(huán)氧樹脂灌封。...

2023-10-12 標簽：電容器整流電路鎮(zhèn)流器薄膜電容驅動電源 1261

功率模塊焊接問題有哪些？

功率分立器件通常用于低功率/低電壓應用，其功率從毫瓦級別到上千瓦，電壓從1伏以下到600伏以上。功率模塊有最大的應用范圍，從幾百瓦到兆瓦級，從48伏到幾千伏，涵蓋消費電子、工業(yè)控...

2023-10-12 標簽：晶閘管 IGBT 功率模塊覆銅板陶瓷基板 1835

深入模擬信號降壓、升壓和降壓拓撲結構原理圖

當輸入電壓大于輸出電壓時，降壓-升壓轉換器以降壓模式工作；輸入電壓小于輸出電壓時，在升壓模式下工作。當轉換器在輸入電壓處于輸出電壓范圍內的傳輸區(qū)域中工作時，處理這些情況有...

2023-10-12 標簽：濾波器升壓轉換器降壓轉換器誤差放大器升壓轉換器濾波器電感轉換器誤差放大器降壓轉換器 1010

電阻的5種應用電路設計詳解

在可調開關電源中，輸出電壓是通過反饋電阻分壓得到的，在產(chǎn)品電路設計的時候，這里的電阻是建議用高精度的電阻，至少是1%精度以上，要不然會導致批量生產(chǎn)的產(chǎn)品輸出電壓偏差太大而導...

2023-10-12 標簽：電阻下拉電阻開關電源 DCDC 反饋電阻器 1371

TVS的七大參數(shù)介紹

結電容是 TVS 中的寄生電容，在高速 IO 端口保護需要重點關注，過大的結電容可能會影響信號的質量。根據(jù)被保護的信號速率，選擇合適的結電容，如下給出常見接口，推薦的 ESD 結電容大小范...

2023-10-12 標簽：電容 TVS 寄生電容電壓抑制器 4905

什么是橋式整流電路？橋式整流電路工作原理

輸出直流信號中的低紋波：橋式整流器的直流輸出信號比半波整流器更平滑。換言之，與半波整流器相比，橋式整流器具有更少的紋波。但是，橋式整流器的紋波系數(shù)與中心抽頭全波整流器相同...

2023-10-12 標簽：變壓器二極管整流電路波形圖直流電壓 49447

電路可靠性設計之降額參數(shù)及降額因子

1級降額，最大的降額，適用于： a.失效將導致人員傷亡或設備及保護措施的嚴重破壞； b.高可靠性要求的設備卻采用了新技術新工藝； c.設備失效不能維修； d.系統(tǒng)對設備的尺寸重量有苛刻限...

2023-10-12 標簽：集成電路電阻運算放大器功率器件 5479

什么是上拉電阻？如何計算I2C上拉電阻的大小值

上拉電阻主要用于為信號線或GPIO引腳提供默認狀態(tài)。通常選擇幾K或幾十K阻值的電阻。阻值較大的電阻確保不會通過電阻不斷地將過多的電流引入到信號線上（5V Vdd / 10KΩ = 0.5mA 電流）。在常見...

2023-10-12 標簽：led 上拉電阻電容總線 I2C 8573

PMOS管與NMOS管控制電路設計對比

如果讓大家舉個PMOS管實際應用電路，恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開關控制電路外，實在是想不出更多其它實用電路了。...

2023-10-11 標簽：芯片開關電路整流器 PMOS NMOS管 3221

電感的常見作用有哪些

電感器俗稱電感，本質上是一個線圈，有空心線圈也有實心線圈，實心線圈有鐵芯或者其它材料制成的芯，電感的單位是“H”，簡稱“亨”。此外，更小的單位是mH，uH，換算方式為1H=1000mH=10...

2023-10-11 標簽：線圈電感器低通濾波器電感寄生電容 3259

TL431三端可調基準電壓芯片原理圖

TL431是由德州儀器生產(chǎn)的一個有良好的熱穩(wěn)定性能的三端可調基準電壓芯片。它的輸出電壓可調，(在電源電壓足夠的情況下)只需用兩個電阻就可以設置為2…5V~36V范圍內的任何值。...

2023-10-10 標簽：運放電路開關電源 TL431 齊納二極管 TL431 基準電壓芯片開關電源運放電路齊納二極管 2031

DC-DC電路設計技巧及原理架構

輸入電容就近放在芯片的輸入Vin和功率的PGND，減少寄生電感的存在，因為輸入電流不連續(xù)，寄生電感引起的噪聲對芯片的耐壓以及邏輯單元造成不良影響。電容地端增加過孔，減少阻抗。...

2023-10-10 標簽：電容 PWM DC-DC DC 直流電源 2416

?電路設計中β、fβ和fT的三者關系

在三極管的通頻帶內，忽略耦合電容、旁路電容以及三極管的結電容、PCB走線的分布電容之后，我們可以有H參數(shù)小信號模型，如下圖所示。此時的β更多是溫度有關，不過多考慮與頻率的關系（...

2023-10-10 標簽：三極管電流電容電路設計電壓 8258

數(shù)字電源的驅動電路設計講解

驅動電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間，其本質是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號進行功率放大，以驅動功率開關器件的開斷。優(yōu)良的驅動電路能夠提高數(shù)字電源的可靠性，減少器件的開關...

2023-10-10 標簽：emi PWM IGBT emc 驅動電路 1195

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