IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。

全部新品資訊技術(shù) 資料企業(yè) 論壇運(yùn)算放大器選型

汽車直流充電樁設(shè)計(jì)圖

傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動化趨勢帶來了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長，但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。...

2023-11-13 標(biāo)簽：MOSFET 元器件 MOS 充電樁碳化硅 1330

NXP 5G射頻功率器件的集成方案

我們今天一起來學(xué)習(xí)一下恩智浦公司的這份關(guān)于射頻功率器件的集成方案——Radio Power Solutions。...

2023-11-10 標(biāo)簽：NXP 功率放大器 5G射頻 721

電阻詳細(xì)基礎(chǔ)知識大全

電阻的種類有很多，從材料上劃分，線繞型、非線繞型，非線繞型又分為合成型、薄膜型；從用途上劃分，通用型、精密型、高阻型、功率型、高壓型、高頻型；還有一類特殊用途劃分，熱敏電...

2023-11-10 標(biāo)簽：電阻元器件電阻器熱敏電阻光敏電阻 4957

常用功率半導(dǎo)體器件知識匯總總結(jié)

晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV / 6kA的光觸發(fā)晶閘管(LTT)。美國和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。...

2023-11-09 標(biāo)簽：晶閘管 MOS 功率器件射頻芯片半導(dǎo)體器件 1145

Buck基礎(chǔ)拓?fù)潆娐返墓ぷ髟矸治?></a></div>
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<h3 class="a-title"><a href="http://m.sdkjxy.cn/article/83/2023/202311092307420.html" title="Buck基礎(chǔ)拓?fù)潆娐返墓ぷ髟矸治? target="_blank">Buck基礎(chǔ)拓?fù)潆娐返墓ぷ髟矸治?/a></h3>
<p class="a-summary">同步整流是采用極低導(dǎo)通電阻的的MOSFET來取代二極管以降低損耗的技術(shù)，大大提高了DCDC的效率。物理特性的極限使二極管的正向電壓難以低于0.3V。對MOSFET來說，可以通過選取導(dǎo)通電阻更小的...</p>

<p class="one-more clearfix" style="display: flex;">
<a href="" target="_blank" style="line-height:16px;margin-left: 0px;margin-right: 10px;max-width: 120px;display: inline-block;white-space: nowrap;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;vertical-align: middle;"></a>
<span id="muikaa0wy" class="time">2023-11-09</span>
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<span id="muikaa0wy" class="tag" style="flex: 1;overflow: hidden;text-overflow: ellipsis;white-space: nowrap;word-break: break-all;">標(biāo)簽：<a target="_blank" href="/tags/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1/" class="blue">二極管</a><a target="_blank" href="/tags/MOSFET/" class="blue">MOSFET</a><a target="_blank" href="/tags/%E5%AF%BC%E9%80%9A%E7%94%B5%E9%98%BB/" class="blue">導(dǎo)通電阻</a><a target="_blank" href="/tags/buck%E7%94%B5%E8%B7%AF/" class="blue">buck電路</a><a target="_blank" href="/tags/%E5%BC%80%E5%85%B3%E6%95%B4%E6%B5%81%E5%99%A8/" class="blue">開關(guān)整流器</a></span>
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<span id="muikaa0wy" class="seenum ">2479</span>
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<div id="muikaa0wy" class="a-thumb"><a href="http://m.sdkjxy.cn/analog/202311072304987.html" target="_blank"><img src=

車規(guī)級SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展

隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場將迎來前所未有的增速。...

2023-11-07 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 功率半導(dǎo)體充電樁功率芯片 694

基于MMBT3904L三極管的共射極放大電路

三極管還是使用前面分析過的MMBT3904L，直流電源給15V，輸入信號VG1為Vpp=2V，f=100MHz的正弦波，基極給100k/22k分壓得到2.7V偏置電壓，集電極給10k上拉電阻，發(fā)射極給2k下拉電阻。...

2023-11-07 標(biāo)簽：三極管直流電源偏置電阻耦合電容 1853

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)之平面結(jié)構(gòu)

電流從漏極流向源極時(shí)，電流在硅片內(nèi)部橫向流動，而且主要從硅片的上表層流過，因此沒有充分應(yīng)用芯片的尺寸；而且，這種結(jié)構(gòu)的耐壓，由柵極下面P層寬度和摻雜決定...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 電壓晶體管芯片制程 7005

淺談MOSFET場效應(yīng)管的分類及工作原理

JFET工作電流很小，適合于模擬信號放大，分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似，N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。而且JFET由于應(yīng)用場合有限，所以市場上該類產(chǎn)品...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 NMOS MOS 3324

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：超結(jié)結(jié)構(gòu)

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 電容導(dǎo)通電阻 MOSFET 導(dǎo)通電阻柵極電壓電容 5550

深入理解信號完整性理論方面的基礎(chǔ)知識

100 MHz 時(shí)鐘產(chǎn)生后，從信號驅(qū)動器芯片輸出的兩種波形：沒有外加引出連線（平滑曲線）的情況和輸出端連接一段2 in長的PCB線條（振鈴曲線）的情況。...

2023-11-03 標(biāo)簽：pcb 信號完整性數(shù)字信號矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 pcb PCB 信號失真信號完整性數(shù)字信號矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 2218

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 導(dǎo)通電阻 MOS 柵極電壓 620

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)替代傳統(tǒng)光耦，并具有豐富的開關(guān)選項(xiàng)，高度集成的開關(guān)IC集成了功率開關(guān)、...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵 GaN 電源IC 1205

SiC與功率器件半導(dǎo)體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器...

2023-11-01 標(biāo)簽：晶閘管 MOS 功率器件半導(dǎo)體材料 SiC 800

高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案

SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過機(jī)械固定在機(jī)箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離墊的延伸通常略微超過端子的彎曲...

2023-11-01 標(biāo)簽：太陽能逆變器 SiC 柵極驅(qū)動器碳化硅 319

新能源汽車電容電感電阻被動元器件的應(yīng)用解析

薄膜電容具有耐高壓、大電流、低雜散電感等優(yōu)點(diǎn)，通常應(yīng)用在逆變器直流支撐（DC-Link）電路中。薄膜電容以其優(yōu)異的快速充放電性能為高速開關(guān)器件快速補(bǔ)能，并吸收直流支撐電路中的瞬時(shí)...

2023-10-30 標(biāo)簽：電阻電容電感薄膜電容被動元器件 1824

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特...

2023-10-27 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 碳化硅射頻器件 5553

開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個基本原則

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end) 、開啟完成后的 IDS(on_beginning) 即圖示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 重疊時(shí)間...

2023-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 MOS管功率管直流電源 1892

集電極電流Ic的形成原因電子三極管的電流放大原理

放大狀態(tài)下集電極電流Ic為什么會只受控于電流Ib而與電壓無關(guān)；即：Ic與Ib之間為什么存在著一個固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄，但只要Ib為零，則Ic即為零。...

2023-10-27 標(biāo)簽：三極管二極管電流光敏二極管 NPN 2269

功率半導(dǎo)體器件：IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的...

2023-10-27 標(biāo)簽：IGBT 功率器件功率模塊 IPM 半導(dǎo)體器件 7357

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法...

2023-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 封裝技術(shù)SiC 功率模塊 2148

關(guān)于LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管的原因解析

為什么需要這個二極管呢？一般情況下，LDO不需要任何保護(hù)二極管。但是，當(dāng)輸出電容器（C2）連接到穩(wěn)壓器，并且輸入端對地短路時(shí)。...

2023-10-26 標(biāo)簽：電容器二極管原理圖 ldo 線性穩(wěn)壓器 1630

車規(guī)級MCU芯片與普通芯片有何不同？

新能源汽車是功率器件增量需求的主要來源，其中增量較大的主要是IGBT模塊、SiC模塊、MOSFET和GaN產(chǎn)品。這些新增功率器件主要用于主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)（OBC）、直流-直流變換器（DC-DC）等...

2023-10-25 標(biāo)簽：芯片 mcu MOSFET IGBT 車規(guī)級芯片 3029

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速！

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性...

2023-10-24 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 碳化硅三安光電 1788

碳化硅芯片國際發(fā)展的現(xiàn)狀與總體趨勢

現(xiàn)有車用控制器普遍采用硅芯片，經(jīng)過20多年的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)十分成熟，在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料因具有高熱導(dǎo)率、高硬度、耐化學(xué)...

2023-10-24 標(biāo)簽：新能源汽車電機(jī)控制器 SiC 充電樁 786

淺談電動汽車中逆變器技術(shù)和市場分析

逆變器在電動汽車和混動汽車中發(fā)揮著重要作用。其主要功能是將車載電池組提供的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電，用于汽車的電機(jī)。此外，在再生制動期間，逆變器將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為電池...

2023-10-24 標(biāo)簽：發(fā)動機(jī)逆變器 IGBT 驅(qū)動系統(tǒng)功率模塊 3280

汽車功率模塊中AMB陶瓷基板的作用及優(yōu)勢

氮化硅（Si3N4）基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅(qū)動逆變器中的應(yīng)用。...

2023-10-23 標(biāo)簽：逆變器基板功率模塊 AMB 氮化硅 1657

最簡單12v轉(zhuǎn)220v逆變器制作（三款逆變器電路圖）

逆變器是通過半導(dǎo)體功率開關(guān)的開通和關(guān)斷作用，把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能的一種變換裝置，是整流變換的逆過程。...

2023-10-20 標(biāo)簽：變壓器三極管電阻逆變器三極管變壓器變壓器電阻逆變器震蕩電路 29440

汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。...

2023-10-20 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 汽車電子功率器件 480

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)置英諾賽科氮化鎵開關(guān)管和森國科碳...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵碳化硅 PD快充 1529

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