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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇
電動(dòng)化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢(shì)，對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升，而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高，因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)體材料將逐步替代硅基器件成...
2023-11-29 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 586
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(...
2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2066
什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)能化”和“小型化”...
2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料SiC碳化硅功率元件 1408
淺談?dòng)w凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略
在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英飛凌已經(jīng)從6家原始設(shè)備制造商（...
2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌SiCGaN碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 582
深度解析電動(dòng)汽車核心器件——IGBT
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。...
2023-11-24 標(biāo)簽：cpuIGBT晶體管功率器件功率半導(dǎo)體 3117
下一代的CMOS邏輯將邁入1nm時(shí)代？
下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個(gè)有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料（單層和極薄材料）的晶體管。...
2023-11-24 標(biāo)簽：CMOS邏輯電路圖像傳感器晶體管半導(dǎo)體器件 635
國(guó)產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們?cè)陂_關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。...
2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件柵極驅(qū)動(dòng)器 2204
2030年，中國(guó)仍將是最大的碳化硅市場(chǎng)
在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，純電動(dòng)汽車BEV、混合動(dòng)力HEV、插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車PHEV、400伏/800伏的系統(tǒng)將直接影響碳化硅（SiC）相對(duì)采用率，800伏的純電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)最有可能采用SiC器件。...
2023-11-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車晶圓碳化硅動(dòng)力汽車 735
中國(guó)電動(dòng)汽車崛起對(duì)功率半導(dǎo)體行業(yè)意味著什么？
中國(guó)電動(dòng)汽車的崛起。在拆解比亞迪最新一代平價(jià)電動(dòng)汽車海豹后，瑞銀汽車團(tuán)隊(duì)認(rèn)為到2030年，中國(guó)電動(dòng)汽車廠商的全球市場(chǎng)份額將從2022年的17%增至33%，這將對(duì)全球供應(yīng)商格局生重大影響。...
2023-11-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBTSiC功率半導(dǎo)體碳化硅 592
什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅(qū)系統(tǒng)”？ IGBT模塊結(jié)構(gòu)和汽車IGBT模塊應(yīng)用
在駕駛新能源汽車時(shí)，電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電（DC）變?yōu)榻涣麟姡ˋC）（這個(gè)過程即逆變），讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作，電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能，再通過傳動(dòng)系統(tǒng)（主要是減速器）讓汽車...
2023-11-20 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT配電箱整車控制器電驅(qū)系統(tǒng) 3046
國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)
主驅(qū)采用碳化硅，綜合損耗比硅器件降低70%，行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅，器件數(shù)量減半，意味著被動(dòng)器件直接減半，且配套的驅(qū)動(dòng)電路也減少了，體積下降的同時(shí)成本也在下沉。這...
2023-11-20 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動(dòng)電路功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 1842
功率半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案
功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（...
2023-11-20 標(biāo)簽：MOSFETIGBT分立器件功率半導(dǎo)體碳化硅 2423
全面解析功率半導(dǎo)體的分類、結(jié)構(gòu)及工作原理
分立式封裝中還有一種叫作壓接封裝(Press Packs)或餅形封裝(Capsules)的，主要應(yīng)用于功率模塊尚不能達(dá)到的高功率范圍。在極高功率范圍，功率芯片的大小可以是一個(gè)整晶圓，如下圖，所以具有圓...
2023-11-19 標(biāo)簽：整流器晶體管肖特基二極管功率模塊功率半導(dǎo)體 5041
二極管選型這些參數(shù)你都知道嗎？
大家都知道二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦?。但是由于二極管存在半導(dǎo)體體電阻和引線電阻，所以當(dāng)外加正向電壓時(shí)，在電流相同的情況下，二極管的端電壓大于PN結(jié)上的壓降；...
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，...
2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 1098
開關(guān)電源調(diào)試最常見的問題有哪些
按規(guī)格要求，必須有足夠的能量使輸出在20mS內(nèi)上升到穩(wěn)定的輸出電壓（如5V）。 E=0.5*C*V^2 電容C越大，需要在20mS內(nèi)從輸入傳輸?shù)捷敵龅哪芰扛蟆?..
2023-11-17 標(biāo)簽：變壓器二極管開關(guān)電源開關(guān)管二極管變壓器變壓器開關(guān)電源開關(guān)管電源調(diào)試 840
運(yùn)算放大器負(fù)壓產(chǎn)生電路設(shè)計(jì)分析
大概就是利用了電容兩端電壓不能突變的原理，MT3608是一個(gè)升壓芯片，VBUS是USB處取的5V，然后通過MT3608升壓到15V，并且額外通過二極管和電容，產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓，然后過79L12（負(fù)壓LDO芯片，注意不...
2023-11-17 標(biāo)簽：二極管示波器運(yùn)算放大器信號(hào)發(fā)生器 1568
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。 你可以看到...
2023-11-17 標(biāo)簽：MOS管IGBT晶體管PMOS開關(guān)器件 4348
如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET...
2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET變換器寄生電容MOSFET變換器寄生電容開關(guān)損耗電流紋波 829
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后，隨著氮化鎵器件成本的...
2023-11-15 標(biāo)簽：MOS功率器件氮化鎵AC-DC驅(qū)動(dòng)電壓 588
科達(dá)嘉工業(yè)級(jí)一體成型電感與車規(guī)級(jí)一體成型電感的區(qū)別
下面以一體成型電感CSAB系列（工業(yè)品）、車規(guī)級(jí)一體成型電感VSHB系列（車規(guī)品）為例做對(duì)比，讓大家對(duì)科達(dá)嘉車規(guī)品和工業(yè)品有更加直觀的了解。...
數(shù)字萬(wàn)用表功能介紹及使用方法
測(cè)量步驟 ? 將電容兩端短接，對(duì)電容進(jìn)行放電，確 保數(shù)字萬(wàn)用表的安全。? 將功能旋轉(zhuǎn)開關(guān)打至電容“F”測(cè)量檔， 并選擇合適的量程。 ? 將電容插入萬(wàn)用表CX插孔。? 讀出LCD顯示屏上數(shù)...
2023-11-13 標(biāo)簽：三極管二極管萬(wàn)用表數(shù)字萬(wàn)用表電容 5358
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