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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
關(guān)于對(duì)碳化硅誤解的描述
碳化硅晶圓是晶體通過(guò)切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來(lái)加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的...
2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT硅晶圓碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 449
如何從電路上來(lái)防護(hù)ESD？
看到ESD防護(hù)，工程師第一個(gè)想到的是電容，為什么選電容?便宜，便宜，便宜。好用，好用，好用。其優(yōu)點(diǎn)顯而易見(jiàn)。選一個(gè)合適的電容，一勞永逸，另外電容還可以抑制干擾和抗干擾的作用，...
京瓷研發(fā)出EIA 0201封裝高靜電容值10μF電容器
隨著智能手機(jī)和可穿戴裝置多功能化，電子產(chǎn)品搭載的MLCC的容值日益提高，搭載的元件數(shù)量也在逐年增加。同時(shí)，各種電子設(shè)備也日趨小型化。...
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ)，通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。...
pcb設(shè)計(jì)如何減少接地反彈問(wèn)題？
輸出和接地之間的電位差異電流從輸出通過(guò)下部MOS向下移動(dòng)到接地。電感利用存儲(chǔ)磁場(chǎng)中的能量在 ΔVO和 ΔVB之間建立電勢(shì)差，試圖抵抗磁場(chǎng)的變化。...
2023-09-21 標(biāo)簽：pcbMOS管晶體管開關(guān)器件IC芯片 606
淺析2030汽車電動(dòng)化之路
在新冠肺炎大流行撼動(dòng)汽車業(yè)之前所有其他行業(yè)的電動(dòng)汽車都在穩(wěn)步進(jìn)入聚光燈。電池電動(dòng)汽車和插入式汽車的年銷售組合混合動(dòng)力電動(dòng)汽車翻了兩百萬(wàn)輛車的標(biāo)志第一次在2019年。這個(gè)備受期...
2023-09-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車汽車電子 412
車載充電機(jī)在新能源汽車拆解應(yīng)用分析
車載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動(dòng)車內(nèi)的零部件，它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電，給整車高壓動(dòng)力電池充電。...
2023-09-21 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅OBC車載充電機(jī) 2187
淺談特斯拉TPAK（Tesla Pack）封裝那些事
從一開始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián)，到單管電流等級(jí)需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián)，到如今的TPAK封裝，可以說(shuō)將單管并聯(lián)方式發(fā)揮的淋漓盡致。...
高速ADC/DAC在現(xiàn)代全數(shù)字雷達(dá)中的應(yīng)用
可以看到，ADC/DAC 芯片是模擬域和數(shù)字域的邊界。一旦信號(hào)轉(zhuǎn)換到數(shù)字域，所有的信號(hào)都可以通過(guò)軟件算法進(jìn)行處理和補(bǔ)償，而且這個(gè)處理過(guò)程通常不會(huì)引起額外的噪聲和信號(hào)失真，因此把 AD...
2023-09-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸adcdac雷達(dá)信號(hào)發(fā)生器 2605
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久...
2023-09-19 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體IGBT晶體管諧振轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管 549
超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。...
2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件半導(dǎo)體器件 7204
直流電源轉(zhuǎn)換芯片LM5176設(shè)計(jì)參考點(diǎn)
CS:電流檢測(cè)放大器輸入的正極 17.PGOOD:power-good開漏輸出引腳，當(dāng)FB引腳電壓值超出參考電壓一定范圍時(shí)，此引腳拉低。...
2023-09-16 標(biāo)簽：二極管pcbDC-DC升壓芯片柵極驅(qū)動(dòng) 7516
升降壓斬波電路工作原理圖
狀態(tài)1：可控開關(guān)V處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電源E經(jīng)過(guò)V向電感L供電使其儲(chǔ)存能量，此時(shí)電流為iL，此時(shí)電容C為負(fù)載R提供的電壓基本恒定。...
規(guī)格相同的貼片電感能否通用呢？
關(guān)于貼片電感方案替代在近幾年國(guó)產(chǎn)化浪潮下，尋求國(guó)產(chǎn)電感方案替代國(guó)外品牌電感的比較多。我們?cè)谧稍冑N片電感替代產(chǎn)品的時(shí)候，會(huì)存在一些誤解。比如...
DIPIPM?故障排查及失效判定方法
本章是DIPIPM技術(shù)講座的第4章，前面3章中分別介紹了DIPIPM的發(fā)展歷史、結(jié)構(gòu)與功能、電路選型及應(yīng)用。本...
2023-09-15 標(biāo)簽：萬(wàn)用表PCB板IGBT輸出電壓PWM信號(hào) 4859
高效晶體管如何推動(dòng)組串式光伏逆變器發(fā)展
歐盟提出力爭(zhēng)在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說(shuō)，要在7年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然，全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢(shì)，全世界都在探索如何利用可再生能源來(lái)滿足能源需求，同...
2023-09-15 標(biāo)簽：逆變器IGBT晶體管太陽(yáng)能光伏碳化硅 389
射頻工程師筆試題目與答案
3dB、10dB的衰減器一端接阻抗為50歐姆的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，另一端開路。此時(shí)，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得到的VSWR分別為多少? 我們看一下這個(gè)解題過(guò)程...
2023-09-15 標(biāo)簽：阻抗衰減器測(cè)試儀器矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀電感電容 3088
怎么解決功率器件塑封過(guò)程中引腳壓傷的問(wèn)題？
引線框架的引腳壓傷是嚴(yán)重的質(zhì)量問(wèn)題。引腳壓傷不僅會(huì)影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，嚴(yán)重時(shí)會(huì) 導(dǎo)致產(chǎn)品的電性能異常，甚至導(dǎo)致終端使用時(shí)發(fā)生短路、尖端放電等問(wèn)題。...
2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件 3088
新能源汽車IGBT功率器件溫度測(cè)試方案
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度....
2023-09-14 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體電子控制系統(tǒng)降壓變換器 1183
MOFEST市場(chǎng)是否會(huì)被氮化鎵取代？
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的成本。...
2023-09-14 標(biāo)簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵GaN 443
三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國(guó)內(nèi)8英寸加速布局！
從產(chǎn)能來(lái)看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過(guò)數(shù)家國(guó)際大客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)批量出貨，且20...
2023-09-14 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅三安光電SiC MOSFET 1937
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