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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
低成本垂直GaN（氮化鎵）功率器件的優(yōu)勢(shì)
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。...
IGBT短路有幾種？IGBT各類短路有何區(qū)別？
ABB公司給出了6種，如下表，也就是企業(yè)自己的命名；而在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9中僅對(duì)短路模式1/2有定義。...
電動(dòng)汽車(chē)OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)渲?，尤其是輕負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn)，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)...
2023-09-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET功率半導(dǎo)體OBC車(chē)載充電機(jī) 2141
意法半導(dǎo)體的新型IGBT器件可將功耗降低11%
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久...
2023-09-12 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體IGBT晶體管諧振轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管 1183
碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)...
2023-09-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)IGBT晶體管儲(chǔ)能系統(tǒng)碳化硅 1212
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠...
2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵半導(dǎo)體器件功率芯片 835
如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。...
2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT寄生電容柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1287
碳化硅為什么如此火爆呢
隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車(chē)已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車(chē)用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。...
開(kāi)關(guān)電源共模電流干擾—三回路模型介紹
開(kāi)關(guān)電源共模電流模型可以用下面三個(gè)回路來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)明。在開(kāi)關(guān)管共模電壓的驅(qū)動(dòng)下，形成輸入回路、輸出回路和輸入-輸出大回路。...
2023-09-11 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源IGBTPCB走線電源濾波器共模電流 2198
芯片開(kāi)發(fā)和制造的難題是什么
在享受芯片便利的同時(shí)，我們有沒(méi)有想過(guò)芯片為什么對(duì)數(shù)字時(shí)代如此重要？它的開(kāi)發(fā)和制造又為什么這么困難？這還要從芯片的歷史說(shuō)起。...
2023-09-11 標(biāo)簽：芯片電阻電容計(jì)算機(jī)晶體管 1340
PWM控制型IGBT的EMI工程估算與基本原理分析
PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。...
2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器IGBTPWM控制器共模電壓功率半導(dǎo)體 2386
PWM控制型IGBT的EMI機(jī)理與抑制優(yōu)化設(shè)計(jì)方法探討
驅(qū)動(dòng)器類IGBT控制方式，特別是變頻器類，有無(wú)PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無(wú)PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語(yǔ)描述...
2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBTPWM控制器EMI設(shè)計(jì) 3401
泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達(dá)成了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強(qiáng)企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。...
2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片碳化硅GaN技術(shù) 1447
如何實(shí)現(xiàn)高頻濾波 穿心電容濾波原理
由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對(duì)高頻信號(hào)呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對(duì)高頻信號(hào)的旁路作用；②導(dǎo)線之間的寄生電容使高頻...
納微第四代氮化鎵器件樹(shù)立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹(shù)立新標(biāo)桿...
2023-09-07 標(biāo)簽：emi靜電放電氮化鎵車(chē)載充電器納微半導(dǎo)體 1650
如何實(shí)現(xiàn)buck在各種負(fù)載條件下正常輸出
buck電路是我們開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用較為廣泛的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中，我們要求不管是輸入電壓發(fā)生變化還是負(fù)載電流發(fā)生變化，其輸出都是要保持相對(duì)穩(wěn)定。...
2023-09-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源BUCK電感電流源 3534
PCB設(shè)計(jì)之EMI電路問(wèn)題解析
對(duì)于二極管，有肖特基二極管，快回復(fù)二極管，普通二極管，還有一種用的比較少的SIC二極管，開(kāi)關(guān)速度SIC二極管幾乎為零，等于是沒(méi)有反向恢復(fù)，開(kāi)關(guān)輻射最小，并且損耗也最小，唯一的缺點(diǎn)...
2023-09-07 標(biāo)簽：pcb開(kāi)關(guān)電源濾波器emc肖特基二極管 2553
功率器件igbt工藝流程圖解
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。...
2023-09-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件Bipolar半導(dǎo)體開(kāi)關(guān) 4193
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