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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件,功率器件,功率半導(dǎo)體器件,功率開關(guān)器件,igbt功率模塊,igbt功率管,大功率igbt驅(qū)動,大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。
電源放反接設(shè)計和緩啟動電路設(shè)計分析

電源放反接設(shè)計和緩啟動電路設(shè)計分析

在實際電路調(diào)試中,會因小失誤將電源的正負(fù)極接反,從而導(dǎo)致電路中的相關(guān)器件損壞。即在電路設(shè)計中,增加適當(dāng)?shù)姆婪唇与娐贰1容^簡單的電路,即在電源的輸入端串聯(lián)一個二極管,有效避...

2023-08-28 標(biāo)簽:二極管示波器MOS管啟動電路電源防反接 3457

光耦繼電器在新能源汽車中的地位簡析

光耦繼電器在新能源汽車中的地位簡析

光耦繼電器是一種利用光電轉(zhuǎn)換原理實現(xiàn)電氣隔離的電子元器件。...

2023-08-28 標(biāo)簽:新能源汽車轉(zhuǎn)換器光敏三極管IGBT光耦繼電器 811

浪涌保護(hù)怎么選型

浪涌保護(hù)元件可以分為開關(guān)元件類、限壓元件類和防過流和過熱保護(hù)元件類三大類,具體選用哪種應(yīng)當(dāng)根據(jù)具體的應(yīng)用進(jìn)行分析,合理選擇。...

2023-08-28 標(biāo)簽:電子設(shè)備保護(hù)元件過熱保護(hù)浪涌放電管 1546

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率密度的提升等優(yōu)勢。...

2023-08-27 標(biāo)簽:二極管IGBTSiC碳化硅閾值電壓 5236

功率半導(dǎo)體迎來SiC時代?碳化硅(SiC)的需求快速增長

功率半導(dǎo)體迎來SiC時代?碳化硅(SiC)的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。...

2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBTSiC功率半導(dǎo)體 4016

可調(diào)穩(wěn)壓電源怎么使用 大電流可調(diào)穩(wěn)壓電源電路圖

可調(diào)穩(wěn)壓電源怎么使用 大電流可調(diào)穩(wěn)壓電源電路圖

使用可調(diào)穩(wěn)壓電源時應(yīng)注意以下事項:   - 確保負(fù)載的電壓和電流需求在可調(diào)穩(wěn)壓電源的工作范圍內(nèi),不要超過其額定能力。   - 在調(diào)整輸出電壓時,應(yīng)逐步增加或減小電壓,避免突然調(diào)...

2023-08-25 標(biāo)簽:電源穩(wěn)壓電源電位器可調(diào)穩(wěn)壓電源整流濾波 8108

功率放大器和運算放大器的區(qū)別 功率放大器需要連成負(fù)反饋嗎

功率放大器側(cè)重于對信號功率的放大,以驅(qū)動大功率負(fù)載,而運算放大器則側(cè)重于電壓信號的放大和數(shù)學(xué)運算,用于實現(xiàn)信號處理和精確的電路控制。它們在電路設(shè)計和應(yīng)用中具有不同的功能和...

2023-08-25 標(biāo)簽:放大器功率放大器運算放大器反饋信號 4142

mosfet選型要考慮哪些因素?

mosfet選型要考慮哪些因素?

功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管,要針對實際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,成本高。...

2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFETcpu控制芯片cpuMOSFET控制芯片鋰電池保護(hù)板 697

現(xiàn)代起亞電動汽車ICCU故障分析

現(xiàn)代起亞電動汽車ICCU故障分析

EMP平臺的電動汽車動力喪失事件與車輛的ICC(集成控制充電單元)故障之間存在明顯的關(guān)聯(lián),ICCU負(fù)責(zé)為HV(高電壓)電池和LV(低電壓)12V電池供電。初步審查顯示,ICCU(集成控制充電單元)內(nèi)...

2023-08-25 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET晶體管功率半導(dǎo)體 741

IGBT模塊/IPM的安全運行設(shè)計方案

IGBT模塊/IPM的安全運行設(shè)計方案

由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路可以對超出IGBT 安全工作區(qū)的運行模式加以保護(hù)以免模塊受損。...

2023-08-25 標(biāo)簽:保護(hù)電路IGBTIPM柵極驅(qū)動 1794

電源防反電路的四種電路設(shè)計方案

電源防反電路的四種電路設(shè)計方案

上電瞬間,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,系統(tǒng)形成回路,源極S的電位大約是0.7V,而柵極G的電位為Vbat,MOS管的開啟電壓極為:Ugs=Vbat-Vs,柵極表現(xiàn)為高電平,NMOS的ds導(dǎo)通,寄生二極管被短路,系統(tǒng)通...

2023-08-24 標(biāo)簽:二極管MOS管PMOS寄生二極管MOS管PMOS二極管寄生二極管防反電路 1300

TVS管的4種關(guān)鍵電壓有哪些?

TVS管的4種關(guān)鍵電壓有哪些?

瞬態(tài)電壓抑制器:Transient Voltage Suppressor,一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。其他的,百度百科解釋了一大堆,我就不搬運了。小伙伴自行研究,總之,這個器件能吸收瞬態(tài)能量,能扛靜電的...

2023-08-24 標(biāo)簽:ESDTVS管瞬態(tài)電壓抑制器ESDTVS管瞬態(tài)干擾瞬態(tài)電壓抑制器 5362

為什么逆導(dǎo)型IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇呢?

為什么逆導(dǎo)型IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇呢?

對于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。...

2023-08-23 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管CCMPFC電源igbt芯片 1651

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。...

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFET電阻器IGBTSiC碳化硅 1446

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。...

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC功率元器件 2345

關(guān)于模擬技術(shù)的27個基礎(chǔ)知識的排列組合

關(guān)于模擬技術(shù)的27個基礎(chǔ)知識的排列組合

所謂頻率補償,就是指提高或降低某一特定頻率的信號的強度,用來彌補信號處理過程中產(chǎn)生的該頻率的減弱或增強,常用的有負(fù)反饋補償、發(fā)射極電容補償、電感補償?shù)取?..

2023-08-23 標(biāo)簽:放大器三極管反饋電路有源濾波器三極管反饋電路放大器有源濾波器甲類功放 558

紅外線發(fā)射管工作原理是什么 紅外發(fā)射管主要參數(shù)介紹

紅外線發(fā)射管工作原理是什么 紅外發(fā)射管主要參數(shù)介紹

紅外發(fā)射管由GaAIAs(鎵、鋁、砷化合物)或GaAs(鎵、砷化合物)制成PN結(jié),正向偏壓向PN結(jié)注入電流后激發(fā)紅外光,其光譜分布在830nm-950nm。市面上紅外發(fā)射管的波長主要有850nm、940nm。850nm的輻...

2023-08-23 標(biāo)簽:遙控器紅外遙控器紅外發(fā)射管發(fā)射管紅外發(fā)射管紅外遙控器遙控器 3560

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對比。簡化的ROM降階模型在所有的計算結(jié)果中都獲得了可接受的誤差范圍,ROM模型計算非常耗時極低(以秒為單位)...

2023-08-21 標(biāo)簽:溫度傳感器逆變器IGBT驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 716

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬,更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。...

2023-08-21 標(biāo)簽:放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵砷化鎵GaN器件 632

開關(guān)電源的基本控制原理是什么

開關(guān)電源的基本控制原理是什么

如果細(xì)致劃分,它包括:輸入濾波、輸入整流、開關(guān)電路、采樣、基準(zhǔn)電源、比較放大、震蕩器、V/F轉(zhuǎn)換、基極驅(qū)動、輸出整流、輸出濾波電路等。...

2023-08-20 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源變換器脈沖調(diào)制降壓變換器 4390

射頻中的金屬線的作用

射頻中的金屬線的作用

工程中要謹(jǐn)慎設(shè)計,合理使用金屬導(dǎo)線的電感。 金屬導(dǎo)線可以看作一個電極,它與地線或其他電子元件之間存在一定的電容量,這個電容對射頻/微波電路的工作性能也會有較大的影響。...

2023-08-20 標(biāo)簽:電阻射頻電容電感寄生電容 1257

匹配電路中0歐姆電阻的作用是什么

匹配電路中0歐姆電阻的作用是什么

芯片的某個引腳擁有兩項功能,可以驅(qū)動蜂鳴器,也可以驅(qū)動LED燈,但這兩項功能不能同時工作,為了在同一塊電路板上實現(xiàn)可以選擇驅(qū)動哪個模塊,此時可以在連接蜂鳴器和LED的線路上加上...

2023-08-20 標(biāo)簽:pcb電阻器貼片電阻色環(huán)電阻歐姆電阻 900

電池充電指示電路的設(shè)計原理

電池充電指示電路的設(shè)計原理

4.2V 是 Opamp U1:B 的參考電壓,用于指示 75% 的電池電量。重復(fù)上述過程,U1:C 的 50% 電壓為 3.9V,U1:D 的 25% 電壓為 3.6V。我們現(xiàn)在已經(jīng)固定了運算放大器 U1:A 至 U1:D 的參考電壓,用于 100% 至 25% 充電...

2023-08-20 標(biāo)簽:二極管運算放大器電池充電電源紋波二極管指示電路電池充電電源紋波運算放大器 2860

電阻失效發(fā)生的機理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻失效發(fā)生的機理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機理為:外部水汽通過表面樹脂保護(hù)層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場作用下,發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反...

2023-08-18 標(biāo)簽:電阻EDSEDS電阻電阻膜 3171

柔性超級電容器在可穿戴技術(shù)中的機遇和挑戰(zhàn)

柔性超級電容器在可穿戴技術(shù)中的機遇和挑戰(zhàn)

超級電容器是一種具有高功率密度(PD)的潛在電化學(xué)儲能設(shè)備,可用于驅(qū)動柔性智能電子設(shè)備。尤其是柔性超級電容器(FSC)具有可靠的機械和電化學(xué)特性,已成為可穿戴智能電子設(shè)備的重要...

2023-08-18 標(biāo)簽:太陽能電池電容器超級電容器可穿戴電子設(shè)備 4156

電阻在線路板上焊接后,環(huán)氧樹脂對電阻的影響

電阻在線路板上焊接后,環(huán)氧樹脂對電阻的影響

各位專家,請教一下電阻在線路板上焊接后,旁邊的環(huán)氧樹脂覆蓋到電阻上,產(chǎn)品經(jīng)過環(huán)境應(yīng)力試驗后電阻阻值變大,觀察發(fā)現(xiàn)電阻有裂紋,機理是什么?...

2023-08-18 標(biāo)簽:電阻線路板環(huán)氧樹脂電阻線路板 2522

CBB20電容器有什么作用?

CBB20電容器有什么作用?

絕大多數(shù)薄膜電容器,它的外觀都是方形的,但也有例外的情況,比如CBB20電容器,它的外觀就是圓柱形或扁圓形,CBB20到底是什么電容器,它有什么特點和作用呢?...

2023-08-18 標(biāo)簽:電容器薄膜電容器聚丙烯膜電容器 524

開關(guān)電源各個元器件選型知識總結(jié)

開關(guān)電源各個元器件選型知識總結(jié)

壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件。利用壓敏電阻的非線性特性,當(dāng)過電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間,壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值,從而實現(xiàn)對后級電路的保護(hù)。...

2023-08-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源元器件壓敏電阻熱敏電阻保險絲 7069

LDO輸入輸出之間并聯(lián)的肖特基二極管作用分析

LDO輸入輸出之間并聯(lián)的肖特基二極管作用分析

低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是一種用于調(diào)節(jié)較高電壓輸入產(chǎn)生的輸出電壓的簡單方法。在大多數(shù)情況下,低壓降穩(wěn)壓器都易于設(shè)計和使用。然而,如今的現(xiàn)代應(yīng)用都包括各種各樣的模擬和數(shù)字系統(tǒng),而...

2023-08-18 標(biāo)簽:電容器穩(wěn)壓器ldo肖特基二極管低壓降穩(wěn)壓器 4622

半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。...

2023-08-17 標(biāo)簽:電動汽車IGBT碳化硅CMOS技術(shù)自動駕駛技術(shù) 1756

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