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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術熱點方案及介紹。
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升...
2023-08-16 標簽：MOSFET功率器件SiC MOSFET寬禁帶半導體芯塔電子 844
車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢
當前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發(fā)...
STM32開發(fā)板之ADC功能框圖講解
STM32f103系列有3個ADC，精度為12位，每個ADC最多有16個外部通道。其中ADC1和ADC2都有16個外部通道，ADC3一般有8個外部通道，各通道的A/D轉換可以單次、連續(xù)、掃描或間斷執(zhí)行，ADC轉換的結果可以左...
2023-08-14 標簽：單片機adcSTM32數(shù)據(jù)寄存器 1518
用于高通量單液滴的操縱和生成的有源矩陣數(shù)字微流控芯片
利用基于介電潤濕（EWOD）的數(shù)字微流控（DMF）技術可以獨立處理和操縱單個液滴。...
2023-08-14 標簽：芯片設計TFT微流控芯片薄膜場效應晶體管微流控系統(tǒng) 2569
埃賽力達科技推出新型TPG3AD1S09 905 nm脈沖激光二極管
這款第三代高性能三腔225 μm SMD脈沖激光二極管具有120 W的高輸出功率，適用于遠距離測距，并為中短程系統(tǒng)提供優(yōu)異的功效。這些改進后的設計可提供出色的穩(wěn)定性、光束質量和可靠性，可滿...
幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質外延的難處
GaN半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。...
室溫超導有什么意義 和我們有關系嗎
雖然事物都有兩面性，但是對于絕大多數(shù)情況下的導體來說，電阻越小，一定是越好的。而不同導體的導電性能，或者說電阻差別非常大，這就導致某些材料非常適合用于電的傳輸，比如常見金...
雙向晶閘管的構造原理與萬用表檢測方法
雙向晶閘管是在普通晶閘管的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的晶閘管，而且僅需一個觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。...
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