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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。
SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析
對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。...
2023-08-08 標簽：二極管MOSFET光電半導(dǎo)體電機控制器SiC MOSFET 1257
晶振怎么判斷壞了 晶振壞了會有什么現(xiàn)象
據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，選擇合適激勵功率的晶振，切不可只為了改變晶振的輸出頻率，任意改變電路輸入給晶振的激勵功率的大小。因為電路提供的激勵功率過大可能會導(dǎo)致石英晶片振幅變大，因...
電子元件檢驗要求與方法有哪些
數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標稱值的標志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數(shù)，即零的個數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。...
2023-08-07 標簽：集成電路三極管電容器場效應(yīng)管電子元件 753
mos管柵極串聯(lián)電阻作用 mos管柵極電阻一般多大
我們知道在電子元器件中，電容與電感屬于能量消耗器件。那么當我們將電容、電感串聯(lián)在電路中時，為了維持能量守恒，儲存在電路中的能量會在電容電感中互相轉(zhuǎn)換，這個轉(zhuǎn)化的頻率通常我...
2023-08-07 標簽：串聯(lián)電阻MOS管串聯(lián)電路柵極電阻RLC 4043
電感上套熱縮管的作用是什么么？
電感上套熱縮管的主要目的有以下幾點： 1. 保護電感元件：熱縮管能提供物理保護，防止電感元件受到機械損傷、灰塵、潮濕等外界環(huán)境的影響。...
耐高壓型x1安規(guī)電容用在什么地方
X1安規(guī)電容的額定電壓也是不固定的，科雅耐高壓型X1安規(guī)電容的額定電壓更高，達到了440V/480VAC，適用于EMI抑制電路中的X1 位置（L-N）。...
大功率插件電感匝間短路的常見原因有哪些
大功率插件電感是一種常見的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電源和變頻器中。然而，在實際應(yīng)用過程中，雙繞組電力電感器可能會出現(xiàn)匝間短路的問題。在本文中，谷景電子將與您討論大功率插件...
關(guān)于濾波共模電感選擇不可忽視的因素
電感的選擇一直是電感應(yīng)用中很重要的一部分，看似簡單的選擇工作，但在實際應(yīng)用中卻有許多人錯了。作為一個擁有19年制造電感經(jīng)驗的智能化制造商....
影響小型一體成型電感電壓承受能力的因素有哪些
小型一體成型電感是一種新型電感器件，具有體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。但由于小型一體成型電感的特殊結(jié)構(gòu)，其額定電壓受到很大限制。那么，小型一體成型...
共模抑制電感常見引腳斷裂的原因以及解決方法
共模抑制電感是一種應(yīng)用非常廣泛的電子元器件，它在電路中的重要性想來大家都是了解的。共模抑制電感在使用中通常會遇到一些問題，今天我們就來探討一個非常重要的問題——共模抑制電...
MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件，由金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。MOSFET是一種主要用于...
2023-08-04 標簽：放大器模擬電路MOSFET場效應(yīng)晶體管無源器件 5506
pcb電路板散熱技巧有哪些
對電路板進行很好的散熱處理是非常重要的。PCB電路板的散熱是一個非常重要的環(huán)節(jié)，那么PCB電路板散熱技巧是怎樣的，下面我們一起來討論下。...
碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？
SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升...
基于TL431搭建的過壓保護電路設(shè)計分析
當VIN低于保護點13.8V以下時，電路輸出VOUT正常，當VIN輸入電壓高于13.8V時，TL431陰極導(dǎo)通，三極管Q2基極導(dǎo)通，MOS管的GS極被Q2的EC極給短路，從而使MOS管關(guān)閉。...
激光前照燈實現(xiàn)白光有哪些方法呢
利用單個激光二極管激發(fā)熒光轉(zhuǎn)換材料實現(xiàn)白光：該方法具有工藝簡單、生產(chǎn)成本低、藍光轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點。藍色激光二極管發(fā)射出高功率密度的藍色激光。...
金剛石基光電探測及激光器應(yīng)用研究
金剛石具有優(yōu)良的光學(xué)性能，高質(zhì)量 CVD 金剛石薄膜具有十分優(yōu)良的光學(xué)性能，除 3~6 μm 范圍內(nèi)的雙聲子區(qū)域存在晶格振動而產(chǎn)生的本征吸收峰外，在室溫下，從紫外至遠紅外甚至微波段，都有...
2023-08-03 標簽：半導(dǎo)體激光器金剛石寬禁帶半導(dǎo)體 986
mos管驅(qū)動拓撲的類別有哪些 常見驅(qū)動電路拓撲設(shè)計分析
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗...
羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢及路線圖
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動性、高電場強度和優(yōu)秀的熱導(dǎo)...
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