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IGBT/功率器件
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FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是能被工業(yè)機(jī)器人及數(shù)控加工中心等自動(dòng)化設(shè)備廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品，它是屬于伺服系統(tǒng)的一部分，能應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。...
2023-06-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器IGBT伺服電機(jī)工業(yè)機(jī)器人 736
MOS管什么情況下會(huì)遭受靜電破壞？
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。...
2023-06-16 標(biāo)簽：二極管MOS管電磁場(chǎng) 725
一文講透IGBT 模塊失效的機(jī)理
驅(qū)動(dòng)電路的工作頻率（最小脈寬）相對(duì) IGBT 開關(guān)頻率（占空比范圍）不足，或輔助電源平均輸出功率不足，導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是，驅(qū)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生波動(dòng)，系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概...
2023-06-16 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)器件 2023
一種具有低反向?qū)〒p耗的氧化鎵縱向FinFET
由于Fin溝道的夾斷作用，可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸，形成無結(jié)二極管。因此，在反向續(xù)流時(shí)，無結(jié)的FD實(shí)現(xiàn)極低的反向?qū)妷海╒on）。...
華潤微IGBT產(chǎn)品逐漸成為汽車行業(yè)的新寵
在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，IGBT技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和充電系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和控制。據(jù)華潤微最近的投資者調(diào)研表示，預(yù)計(jì)今年該公司的模塊產(chǎn)品將進(jìn)入汽車主驅(qū)應(yīng)用領(lǐng)域，進(jìn)一步擴(kuò)大其在...
2023-06-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 1064
1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？
近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。...
2023-06-15 標(biāo)簽：功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1061
你真的了解IGBT嗎？干貨收藏！
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件，是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)。...
淺談GaN 異質(zhì)襯底外延生長方法
HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。...
穩(wěn)壓電路當(dāng)中怎么選擇電阻？
穩(wěn)定電流IZ，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電流是一個(gè)范圍，有典型值，最小穩(wěn)定電流IZMIN和最大穩(wěn)定電流IZMAX，穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時(shí)其工作電流范圍為IZMIN~IZMAX之間，超過該電流值穩(wěn)壓管會(huì)燒毀！...
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù)，是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一，它必須被標(biāo)注到器件尤其是功率器件的產(chǎn)品規(guī)格書中。...
2023-06-09 標(biāo)簽：熱電偶IGBT半導(dǎo)體器件紅外熱成像儀IGBTSTD半導(dǎo)體器件熱電偶紅外熱成像儀 4873
什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向恢復(fù)電荷。...
2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)器電力傳輸 1079
如何正確理解IGBT廠家給出的功率循環(huán)曲線？
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。...
IGBT模塊壽命評(píng)估實(shí)驗(yàn)依據(jù)
隨著高速動(dòng)車組列車、電動(dòng)汽車及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展...
2023-06-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBTDBCIGBT模塊硅芯片 2525
IGBT是什么？IGBT的工作原理
IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時(shí)，漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。...
“金剛石半導(dǎo)體”中隱藏的可能性
金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)異的特性，作為功率器件材料備受期待。...
2023-06-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBT功率器件SiC量子傳感器 2464
淺談數(shù)字光電耦合器主要參數(shù)
數(shù)字光電耦合器（Digital Optocoupler）是一種電氣和光學(xué)隔離器件，用于將數(shù)字信號(hào)傳輸和隔離。它通常由光電二極管和光敏晶體管組成。...
2023-06-05 標(biāo)簽：光電二極管光敏晶體管光電二極管數(shù)字光電耦合器 1226
淺談IGBT去硅凝膠方法及注意事項(xiàng)
如果要縮短溶解時(shí)間，可以預(yù)先用物理方式去除部分表面的硅膠，但需要有較好的控制，以免對(duì)鍵合引線或者芯片造成損傷；如果是較小的模塊，不建議物理去除。...
2023-06-10 標(biāo)簽：IGBT 5206
分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。...
MOSFET的基本工作原理和特性
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。...
淺談瞬態(tài)抑制二極管和穩(wěn)壓二極管區(qū)別
TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢(shì)。電容的大小會(huì)影響TVS器件的響應(yīng)時(shí)間。...
2023-06-03 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管齊納二極管抑制二極管 2791
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路圖及原理
如果驅(qū)動(dòng)的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場(chǎng)合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護(hù)、溫度保護(hù)等……此時(shí)既要隔離傳送控制信號(hào)（例如PWM信號(hào)），也要給驅(qū)動(dòng)級(jí)（MOS管的推動(dòng)電路）...
2023-06-03 標(biāo)簽：繼電器二極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 17296
淺談碳化硅流程的核心技術(shù)
一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延，下游應(yīng)用于5G通訊、國...
半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。...
2023-06-03 標(biāo)簽：探測(cè)器分立器件電子制造MOCVD半導(dǎo)體工藝 1806
硬件設(shè)計(jì)非?；A(chǔ)的60個(gè)問題匯總
半導(dǎo)體業(yè)界通常使用“半節(jié)距”、“物理柵長（ MOS管柵極的長度）”和“結(jié)深”等參數(shù)來描述芯片的集成度，這些參數(shù)越小，芯片的集成度越高。...
2023-06-02 標(biāo)簽：pcb開關(guān)電源濾波電感RS485收發(fā)器pcbPCBRS485收發(fā)器共射放大電路開關(guān)電源濾波電感 2544
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