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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。
創(chuàng)意電子矩形金屬膜片式電阻 RN73R 系列介紹
特點/ Features ?電流噪聲低。 ?使用溫度范圍～155℃。 額定環(huán)境溫度：85℃。...
2023-06-01 標(biāo)簽：片式電阻 1191
淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，申請兩百余項發(fā)明專利，產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。...
2023-06-01 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT電機(jī)控制器功率器件基本半導(dǎo)體 1163
28-V、2A、降壓（降壓）轉(zhuǎn)換器TPS5405DR概述
TPS5405通過集成腳充二極管來減少外部組件的數(shù)量。集成的高功率MOSFET的偏置電壓由OOT上的外部電容器提供給PH引腳。...
2023-06-01 標(biāo)簽：電容器二極管德州儀器降壓轉(zhuǎn)換器 1820
淺談600W的高頻車載逆變器的IGBT應(yīng)用
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場競爭力，但它是打造高品質(zhì)和高競爭力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)，替代NCE20TD60BF型號從而在市場中建立優(yōu)勢。...
半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-熱特性02
上次了解了熱阻，我們知道了熱阻類似電阻，可以看成表征導(dǎo)熱快慢的物理量，熱阻Rth=溫度差ΔT/功率P...
2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件半導(dǎo)體芯片 2466
寬禁帶半導(dǎo)體實現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越！
國際半導(dǎo)體市場研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測，到2027年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到約63億美元，其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達(dá)到近50億美元，占比近80%，是碳化硅功率器件下游第一大應(yīng)...
2023-05-30 標(biāo)簽：新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體5G基站 1246
什么是功率放大器？XP1017-BD功率放大器優(yōu)勢
功率放大器的英文名稱為poweramplifier，簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動某一負(fù)載的放大器。...
功率器件IGBT用到的導(dǎo)熱材料機(jī)理和作用
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化，電子器件的功率計散熱要求也隨之增加。...
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。...
2023-05-25 標(biāo)簽：安森美DC-DC轉(zhuǎn)換器碳化硅 677
大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光切割整套解決方案
改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。...
飛虹半導(dǎo)體單相組串式光伏逆變器的應(yīng)用
FHA75T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop technology 和通過優(yōu)化工藝，來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，并在導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗（Eoff）之間做出來良好的權(quán)衡。...
氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越來越得到國?nèi)外的重視。...
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc。 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回...
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢
碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，...
關(guān)于電阻的全面知識匯總詳解
電阻器是限制電流的元件，通常簡稱為電阻，是一種最根本最常用的電子元件，普遍應(yīng)用在各種各類電子電路中。...
薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案
光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離，優(yōu)點是其輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強(qiáng)，使用壽命長，傳輸效率高。...
特瑞仕開始提供功率半導(dǎo)體SiC肖特基勢壘二極管850V/10A樣品
特瑞仕半導(dǎo)體是專注于電源IC的模擬CMOS專業(yè)集團(tuán)，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導(dǎo)體的子公司，此產(chǎn)品是由Phenitec Semiconductor開發(fā)的SiC SBD芯片搭載于多功能TO-220AC封裝投放市場。...
2023-05-16 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體特瑞仕肖特基勢壘二極管 646
IGBT模塊主要失效形式
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無法及時得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。...
2023-05-16 標(biāo)簽：IGBT開關(guān)頻率 2055
TOLL封裝的MOSFET產(chǎn)品介紹
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使...
電子電路設(shè)計的發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢
目前，電子電路設(shè)計主要采用集成電路（IC）技術(shù)，即將大量的晶體管、二極管、電阻、電容等基本元件集成在一個小型的半導(dǎo)體芯片上，形成具有一定功能的模塊或系統(tǒng)。...
PLC程序調(diào)試方法步驟介紹
模擬調(diào)試是指根據(jù)開關(guān)量I/O單元上各位對應(yīng)的發(fā)光二極管的顯示狀態(tài)而不帶輸出設(shè)備進(jìn)行的調(diào)試。...
淺談低損耗硅基片上的可編程處理器
開發(fā)具有大量調(diào)諧元件的大規(guī)模可編程光學(xué)集成電路仍然面臨很大挑戰(zhàn)，主要。是：如何降低硅光波導(dǎo)的損耗以實現(xiàn)大規(guī)模芯片制備，并且如何有效降低由于制造缺陷造成的熱調(diào)元件隨機(jī)相位誤...
IGBT、MOSFET的發(fā)展情況解析
公開資料顯示，功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。...
2023-05-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 548
如何解決服務(wù)器電源高頻損耗難題
隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用，對頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對磁芯來說，您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？...
功率半導(dǎo)體的制造流程 功率分立器件的分類
由三個端子組成的器件，可通過控制三端的電流或電壓實現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷，包括雙極型（BJT）、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。...
2023-05-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2009
10種常用電感及作用解析
對于直流電，電感是相當(dāng)于短路的；而對于交流電，電感是對其有阻礙作用的，交流電的頻率越高，電感對它的阻礙作用越大。...
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