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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件,功率器件,功率半導(dǎo)體器件,功率開(kāi)關(guān)器件,igbt功率模塊,igbt功率管,大功率igbt驅(qū)動(dòng),大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料,相對(duì)硅而言,氮化鎵間隙更寬,導(dǎo)電性更好,將普通充電器替換為氮化鎵充電器,充電的效率更高。...

2023-02-14 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 8784

pll是什么意思_pll鎖相環(huán)參數(shù)

 PLL是指鎖相環(huán),是一種用于控制頻率和相位的電路,它可以將一個(gè)輸入信號(hào)的頻率和相位轉(zhuǎn)換成另一個(gè)輸出信號(hào)的頻率和相位,從而實(shí)現(xiàn)頻率和相位的控制。...

2023-02-14 標(biāo)簽:鎖相環(huán)pll 12148

砷化鎵的應(yīng)用及技術(shù)工藝

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),因此在電子...

2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 3264

CMOS的靜電及過(guò)壓

CMOS的靜電及過(guò)壓

CMOS的靜電放電可能會(huì)導(dǎo)致電路損壞,而過(guò)壓可能會(huì)導(dǎo)致電路過(guò)熱,從而影響電路的性能和可靠性。因此,在使用CMOS時(shí),應(yīng)注意防止靜電放電和過(guò)壓。...

2023-02-14 標(biāo)簽:CMOS電路靜電 1620

淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)

氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。...

2023-02-14 標(biāo)簽:氮化鎵功率晶體管寬禁帶半導(dǎo)體功率晶體管發(fā)光器件寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵 854

碳化硅原理及應(yīng)用

碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。...

2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2173

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么 氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。...

2023-02-14 標(biāo)簽:晶圓晶體管氮化鎵碳化硅 2341

pll鎖相環(huán)版圖設(shè)計(jì)注意

PLL鎖相環(huán)版圖設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):1)確定PLL的頻率范圍;2)確定PLL的控制電路;3)確定PLL的調(diào)節(jié)電路;4)確定PLL的輸出電路;5)確定PLL的濾波電路;6)確定PLL的控制參數(shù);7)確定PLL的...

2023-02-14 標(biāo)簽:鎖相環(huán)pll 4016

多路模擬開(kāi)關(guān)的主要技術(shù)指標(biāo)

多路模擬開(kāi)關(guān)是一種用于控制多路信號(hào)的開(kāi)關(guān),它可以控制多路信號(hào)的輸入和輸出。多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用非常廣泛,它可以用于控制電路、模擬信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等。此外,它還可以用于控制電視...

2023-02-14 標(biāo)簽:模擬開(kāi)關(guān)多路模擬開(kāi)關(guān)模擬開(kāi)關(guān) 1948

淺談電容器的諧振頻率特性 不同材質(zhì)電容器的頻率特性

諧振分為串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振,在電阻、電感和電容的串聯(lián)電路中,出現(xiàn)電路的端電壓和電路總電流同相位的現(xiàn)象,叫做串聯(lián)諧振。...

2023-02-14 標(biāo)簽:電容器串聯(lián)電阻諧振串聯(lián)電阻瓷介電容器電容器諧振 13364

高壓模擬開(kāi)關(guān)的重要性

高壓模擬開(kāi)關(guān)的重要性在于它可以控制高壓電路中的電流和電壓,從而控制信號(hào)的流動(dòng)。它還可以用來(lái)控制信號(hào)的輸入和輸出,以及在模擬和數(shù)字信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。此外,它還可以用來(lái)控制信...

2023-02-14 標(biāo)簽:高壓模擬開(kāi)關(guān) 1264

模擬開(kāi)關(guān)的作用_模擬開(kāi)關(guān)可以過(guò)模擬信號(hào)嗎

模擬開(kāi)關(guān)是一種用于控制信號(hào)流動(dòng)的電子元件,它可以用來(lái)控制信號(hào)的流動(dòng),以及在不同的信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。它可以用來(lái)控制信號(hào)的輸入和輸出,以及在模擬和數(shù)字信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。它還可...

2023-02-14 標(biāo)簽:模擬開(kāi)關(guān)模擬信號(hào) 2852

信號(hào)轉(zhuǎn)換器的主要作用

信號(hào)轉(zhuǎn)換器的主要作用是將一種信號(hào)轉(zhuǎn)換為另一種信號(hào),以便在不同的系統(tǒng)之間傳輸信息。它可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),也可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)。它還可以將一種信號(hào)轉(zhuǎn)換為另...

2023-02-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器信號(hào)轉(zhuǎn)換器 5526

如何用模數(shù)轉(zhuǎn)換器測(cè)直流電壓

用模數(shù)轉(zhuǎn)換器測(cè)直流電壓首先數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸入阻抗要根據(jù)輸入級(jí)的PGA搭配電阻決定,這里也可以看出輸入電阻千萬(wàn)不要選太大。...

2023-02-14 標(biāo)簽:模數(shù)轉(zhuǎn)換器直流電壓 1429

數(shù)模轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換精度與什么因素有關(guān)

數(shù)模轉(zhuǎn)換器又稱(chēng)D/A轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)稱(chēng)DAC,它是把數(shù)字量轉(zhuǎn)變成模擬的器件。D/A轉(zhuǎn)換器基本上由4個(gè)部分組成,即權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電源和模擬開(kāi)關(guān)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器中一般都要用到數(shù)模轉(zhuǎn)換...

2023-02-14 標(biāo)簽:dac數(shù)模轉(zhuǎn)換器 3312

金剛石半導(dǎo)體應(yīng)用與優(yōu)缺點(diǎn)

金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性,因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻率和高溫環(huán)境下工作...

2023-02-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率放大器金剛石 6502

在哪里應(yīng)用到模數(shù)轉(zhuǎn)換器

模數(shù)轉(zhuǎn)換器可以應(yīng)用于許多不同的領(lǐng)域,包括通信、測(cè)量、控制、信號(hào)處理和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等。它們可以用于將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),以便在模擬系統(tǒng)中使用,也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信...

2023-02-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1741

國(guó)產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無(wú)錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱(chēng)號(hào)

近日,無(wú)錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱(chēng)號(hào)。 在過(guò)去的一年中,新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量、先進(jìn)的產(chǎn)品技術(shù)水平、穩(wěn)定的產(chǎn)能和交付周期與寧波德業(yè)建立了愉快的合作...

2023-02-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件開(kāi)關(guān)器件 1837

車(chē)規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元

按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門(mén)品線,總體占比超過(guò)70%,是功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額中最大的品類(lèi)。...

2023-02-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 933

一文詳解功率半導(dǎo)體的封裝

不同包裝方法:電流范圍從幾安培到卡,電壓范圍從100 V到幾千伏。...

2023-02-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 922

模數(shù)轉(zhuǎn)換器是輸入還是輸出_模數(shù)轉(zhuǎn)換器誤差

模數(shù)轉(zhuǎn)換器是輸入設(shè)備。   常規(guī)的計(jì)算機(jī)輸入設(shè)備是鍵盤(pán),鼠標(biāo),手寫(xiě)筆,掃碼器等。而模數(shù)轉(zhuǎn)換只是一個(gè)功能電路,比如鼠標(biāo)里面就有模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊,但鼠標(biāo)是作為一個(gè)整體被稱(chēng)為輸入...

2023-02-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器模數(shù)轉(zhuǎn)換器 2420

淺談貼片三極管封裝及工作原理

將三極管平滑光整的正方形一面正對(duì)自己,三個(gè)管腳往下,用手拿著。 2.從左往右三個(gè)管腳分別是E,B,C。 3.E代表發(fā)射極,B代表基極,C代表集電極。...

2023-02-14 標(biāo)簽:三極管貼片三極管 14941

電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

相對(duì)于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經(jīng)過(guò)干燥、高溫?zé)Y(jié)(700~800℃)后制備。金屬漿料一般由金屬粉末、有機(jī)樹(shù)脂和玻璃等組分。...

2023-02-14 標(biāo)簽:IGBT電鍍IGBT電子封裝電鍍 1132

GaN功率器件的應(yīng)用技術(shù)

GaN功率器件的應(yīng)用技術(shù)

簡(jiǎn)單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比,氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費(fèi)類(lèi)、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車(chē)領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況,重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域,消費(fèi)類(lèi)快充以及汽車(chē)領(lǐng)...

2023-02-14 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵OBC 2278

什么是精密整流電路?精密整流器的工作原理

精密整流電路的輸入輸出波形 在上圖中,你可以清楚地看到輸入信號(hào)的正負(fù)半周期應(yīng)用于運(yùn)算放大器的輸入端時(shí)會(huì)發(fā)生什么,但在實(shí)際電路中,不會(huì)得到如上圖所示的輸出。...

2023-02-14 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器精密整流器運(yùn)算放大器 3305

淺談晶體管的常見(jiàn)基礎(chǔ)知識(shí)

淺談晶體管的常見(jiàn)基礎(chǔ)知識(shí)

晶體管是一種電子元件,它可以控制電流和電壓,從而控制電子電路中的信號(hào)。它可以用來(lái)放大信號(hào),改變信號(hào)的頻率,或者將一個(gè)信號(hào)轉(zhuǎn)換成另一個(gè)信號(hào)。晶體管的主要功能是控制電流和電壓...

2023-02-13 標(biāo)簽:晶體管電子管晶體管電壓控制器電子管 2169

氮化鎵和碳化硅的對(duì)比

氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)...

2023-02-13 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅微電子器件氮化鎵碳化硅 11511

AMD 3D V-cache有望改變緩存設(shè)計(jì)

在我們談?wù)?3D V-Cache 之前,我們需要先談?wù)劤R?guī)的舊緩存。很久以前,計(jì)算機(jī)使用兩種基本類(lèi)型的存儲(chǔ):硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器速度慢但可以存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù),而 RAM 只能...

2023-02-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器amd晶體管 913

未來(lái)市場(chǎng)格局充滿變數(shù) 小規(guī)模碳化硅供應(yīng)鏈難題未解

中國(guó)規(guī)模較小的碳化硅(SiC)供應(yīng)鏈參與者將發(fā)現(xiàn)2023年是其相對(duì)艱難的一年。...

2023-02-13 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1806

淺談各種SiC IGBT器件的制作過(guò)程與相關(guān)性能

通常來(lái)講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類(lèi)型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類(lèi)中又可以分為電流控制型和電壓控制型。...

2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2462

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