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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
碳化硅芯片正成為車(chē)企爭(zhēng)相綁定的“寵兒
縱觀整個(gè)SiC芯片市場(chǎng)，主要的碳化硅芯片制造商包括英飛凌、安森美、羅姆、意法半導(dǎo)體（STM）和Wolfspeed，無(wú)疑，這些SiC芯片供應(yīng)商正成為車(chē)企爭(zhēng)相綁定的“寵兒”。...
PTVS20-015C-H專(zhuān)用于大功率直流母線鉗位應(yīng)用
Bourns PTVS20-015C-H PTVS 二極管符合 IEC 61000-4-2 4 級(jí) ESD 保護(hù)要求，同時(shí)具有峰值脈沖電流下的低鉗位電壓，有助于滿(mǎn)足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 電流浪涌的防雷要求。...
LED恒流驅(qū)動(dòng)源原理及維修
首先用萬(wàn)用表二極管檔去測(cè)每個(gè)燈，看它是不是發(fā)光，不發(fā)光的燈看壓降是不是0V 如不發(fā)光無(wú)壓降看它是開(kāi)路還是短路...
2023-02-13 標(biāo)簽：led二極管萬(wàn)用表驅(qū)動(dòng)電源led萬(wàn)用表二極管恒流驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)電源 12026
一文淺談X、Y安規(guī)電容知識(shí)介紹
電容為安全電容，必須取得安全檢測(cè)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。Y 電容的耐壓一般都標(biāo)有安全認(rèn)證標(biāo)志和AC 250V 或AC 275V 字樣，但其真正的直流耐壓高達(dá)5000V 以上。...
去耦電路中干擾的耦合方式介紹
退耦是指對(duì)電源采取進(jìn)一步的濾波措施，去除兩級(jí)間信號(hào)通過(guò)電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級(jí)輸入阻抗值乘積對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)。...
2023-02-13 標(biāo)簽：耦合電控系統(tǒng)耦合電容去耦電路 2190
氮化鎵半導(dǎo)體設(shè)備
按晶圓尺寸計(jì)算，GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長(zhǎng)率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批次中生產(chǎn)大量設(shè)備。這反過(guò)來(lái)...
2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓GaN半導(dǎo)體器件 612
氮化鎵技術(shù)是什么意思
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為...
硅基氮化鎵是什么
硅上氮化鎵具有廣泛的未來(lái)應(yīng)用，擴(kuò)展了當(dāng)前的HEMT功能，將功率水平提高到1kW以上。該技術(shù)可幫助設(shè)計(jì)人員提高工作電壓，并將頻率響應(yīng)從Ka波段推入E波段、W波段和太赫茲空間。本文由香港科...
2023-02-12 標(biāo)簽：頻率響應(yīng)HEMT硅基氮化鎵 594
氮化鎵芯片優(yōu)點(diǎn)
作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，GaN其主要有三個(gè)特性——開(kāi)關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度大，效率高但不容易發(fā)熱...
單結(jié)晶體管有幾個(gè)pn結(jié)_單結(jié)晶體管怎么測(cè)量好壞
單結(jié)晶體管只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2，在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。...
2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管單結(jié)晶體管 4180
場(chǎng)效應(yīng)管怎樣修_場(chǎng)效應(yīng)管制作可調(diào)電源
場(chǎng)效應(yīng)管怎樣修（1）首先觀察待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管外觀，看待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管已發(fā)生損壞，如圖1所示，本次待測(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管外型完好沒(méi)有明顯的物...
2023-02-11 標(biāo)簽：電源萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管 2731
PMOS晶體管工作原理 pmos晶體管的各個(gè)工作區(qū)域
PMOS晶體管，也稱(chēng)為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)主要端子：源極、柵極和漏極。晶...
2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體器件PMOS管 18182
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。...
場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件_場(chǎng)效應(yīng)管分為哪兩種
場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制型器件？場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類(lèi)似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：...
2023-02-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電壓控制 5765
nmos晶體管的工作原理/功能特性/電路圖
NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導(dǎo)體晶體管，其中N指的是n型半導(dǎo)體材料，它具有負(fù)極性，可以用來(lái)控制電流的流動(dòng)。它的主要功能是在電路中控制電流的流動(dòng)，以及控制電路的輸入和輸...
齊納二極管電路符號(hào) 使用齊納二極管制作的過(guò)壓保護(hù)電路
齊納二極管的封裝方式有很多種。一些用于高功率耗散，而另一些則包含在表面貼裝格式中。最常見(jiàn)的齊納二極管類(lèi)型包含在一個(gè)小的玻璃封裝中，它的一端有一條帶標(biāo)記二極管的陰極側(cè)。...
2023-02-11 標(biāo)簽：二極管齊納二極管過(guò)壓保護(hù)電路 2863
二極管降壓的原理 利用二極管正向壓降設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)單實(shí)用電路
二極管降壓的原理是利用二極管的反向壓降特性，將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。當(dāng)輸入電壓大于輸出電壓時(shí)，二極管就會(huì)導(dǎo)通，從而將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。...
場(chǎng)效應(yīng)管制作觸摸開(kāi)關(guān)_場(chǎng)效應(yīng)管制作逆變器
場(chǎng)效應(yīng)管制作觸摸開(kāi)關(guān) 1 材料：一個(gè)260Ω電阻、LED貼片燈、DG2N60場(chǎng)效應(yīng)管。 2 工具：電烙鐵、熱熔膠槍、鑷子。 3 電路圖。...
2023-02-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管逆變器觸摸開(kāi)關(guān) 2740
mos場(chǎng)效應(yīng)管焊接方法_場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名含義
mos管焊接的方法步驟如下： 1、焊接前，認(rèn)清mos場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)引腳，電烙鐵的外表要可靠的接地。 2、先用烙鐵固定G.S極，然后從D極加點(diǎn)錫，讓電烙鐵發(fā)熱，再拔掉插頭，用電烙...
2023-02-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 11415
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極圖解_場(chǎng)效應(yīng)管壞了會(huì)有什么現(xiàn)象
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極相當(dāng)于三級(jí)管的三個(gè)電極，G是控制極，相當(dāng)于三級(jí)管的B極，電壓控制DS的導(dǎo)通率（三極管是電流控制型，B極控制CE的導(dǎo)通能力）D級(jí)是漏極，相當(dāng)于三級(jí)管的集電極，S是源級(jí)，...
2023-02-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電極場(chǎng)效應(yīng)管漏極電極 10877
硅二極管和鍺二極管的導(dǎo)通電壓各約為多少？
二極管的導(dǎo)通電壓是二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈３植蛔?。正向特性：在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱(chēng)為正向...
鍺二極管的死區(qū)電壓是多少_常用鍺二極管型號(hào)
鍺二極管的正向?qū)ㄋ绤^(qū)電壓約為0.2V不到，一般導(dǎo)通后的壓降按0.2V計(jì)算; 硅材料二極管的正向?qū)ㄋ绤^(qū)電壓約為0.6V，通后的壓降按0.7V計(jì)算。...
什么叫氮化鎵異質(zhì)外延片？
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV，又被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半...
2023-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2476
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