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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
6種晶閘管保護(hù)電路分享
眾所周知，晶閘管的應(yīng)用十分廣泛，晶閘管是一種非常精密的半導(dǎo)體器件。在使用過(guò)程中，我們必須在其指定的范圍內(nèi)才能獲得所需要的輸出，但是由于過(guò)電壓、過(guò)電流等原因，晶閘管在運(yùn)行過(guò)...
5V轉(zhuǎn)3.3V電平的19種方法技巧
在選擇 LDO 時(shí)，重要的是要知道如何區(qū)分各種LDO。器件的靜態(tài)電流、封裝大小和型號(hào)是重要的器件參數(shù)。根據(jù)具體應(yīng)用來(lái)確定各種參數(shù)，將會(huì)得到最優(yōu)的設(shè)計(jì)。...
測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升
根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)（開(kāi)通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗包括導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。準(zhǔn)確測(cè)量這些損耗通常...
如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要...
碳化硅二極管的區(qū)別和用途
隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無(wú)法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來(lái)，以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣...
什么是功率開(kāi)關(guān)管 開(kāi)關(guān)管的工作原理
根據(jù)MOS管，三極管的性質(zhì)可知，通過(guò)對(duì)它們工作電壓的改變可以使它們分別用來(lái)放大信號(hào)，用來(lái)做開(kāi)關(guān)，而MOS管，三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類(lèi)型管子，因此結(jié)合以上特點(diǎn)可知，MO...
2023-02-10 標(biāo)簽：三極管MOS管功率開(kāi)關(guān)管 9351
車(chē)規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開(kāi)關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力
大電流功率開(kāi)關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管，集成了各種保護(hù)、診斷和檢測(cè)功能。在大功率汽車(chē)電源系統(tǒng)中，通過(guò)背靠背連接的 MOSFET開(kāi)關(guān)管...
車(chē)規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開(kāi)關(guān)管的解決方案
大電流功率開(kāi)關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管，集成了各種保護(hù)、診斷和檢測(cè)功能。...
2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET功率開(kāi)關(guān)ecu功率開(kāi)關(guān)管 1201
19個(gè)典型的二極管應(yīng)用電路分享
二極管反極性保護(hù)電路 肖特基二極管常用于保護(hù)電路，如反極性電路，因?yàn)樗恼驂航档?，下圖為常見(jiàn)的反極性電路。...
在氧化鎵基日盲雪崩探測(cè)器研究領(lǐng)域取得新突破！
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測(cè)器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過(guò)不斷探索，通過(guò)插入合適的寬帶隙材料（MgO）對(duì)勢(shì)壘高度進(jìn)行了調(diào)整，成功研發(fā)了由β-Ga?O?/MgO/Nb:SrT...
一文解析大功率激光器芯片
對(duì)于單顆輸出光功率超過(guò)500mW的激光器芯片已經(jīng)是大功率激光器芯片了。轉(zhuǎn)換效率根據(jù)材料的不同而不同，像紅光的目前大功率也能達(dá)到50%，剩余的電能就轉(zhuǎn)換成熱能。...
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用？
僅從物理特性來(lái)看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。...
2023-02-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 2457
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波...
碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為5G鋪平道路
許多人可能認(rèn)為，既然 5G 已經(jīng)開(kāi)始鋪開(kāi)，那么4G 技術(shù)也即將退出歷史舞臺(tái)。但這絕不是事實(shí)，因?yàn)槿杂杏?jì)劃為許多使用較老的 3G／4G 技術(shù)的地區(qū)提供 4G 服務(wù)，以及升級(jí)和維護(hù) 4G 服務(wù)，以便為未...
什么是氮化鎵（GaN）？什么是高電子遷移率晶體管？
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場(chǎng)作用下，高效...
氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何？
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于...
射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采...
硅基氮化鎵介紹
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的...
2023-02-10 標(biāo)簽：無(wú)線通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2352
硅基氮化鎵是做什么用？
在過(guò)去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，具有快速的開(kāi)關(guān)速度...
2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 995
南芯科技推出PD3.1 140W單口/多口快充解決方案
USB PD3.1 能夠迅速商業(yè)化，離不開(kāi)蘋(píng)果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋(píng)果發(fā)布的16 英寸MacBook Pro，成為全球首款支持USB PD3.1 快充技術(shù)的筆記本電腦，支持140W（28V/5A）的USB-C 快充。緊接著，越...
硅二極管和鍺二極管區(qū)別在哪 如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管
基本二極管由一根管子、一個(gè)外殼和兩個(gè)電極組成。管是一個(gè)PN結(jié)，在PN結(jié)的每一端畫(huà)一個(gè)針。用塑料、玻璃或金屬材料制成包裝外殼，如下圖所示。從P區(qū)抽出的電極稱為正電極或陽(yáng)極，從N區(qū)引...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開(kāi)關(guān)電路的各種電子電路中。...
2023-02-09 標(biāo)簽：JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFETjfet器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 29867
功率器件的應(yīng)用場(chǎng)景及制造流程
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體，22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元，2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合，其中功率器件例如二極管、MOSFET 及IGBT等作為快速的電子...
2023-02-09 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 704
雙驅(qū)動(dòng)功率放大器的PA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析
現(xiàn)代功率放大器（PA）有望通過(guò)OFDM支持高階調(diào)制信號(hào)（如256-/1024-/4096-QAM），提高峰均功率比（PAPR）。...
2023-02-09 標(biāo)簽：功率放大器混合信號(hào)諧波通信系統(tǒng)調(diào)諧 1396
RF設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：駐波比、回波損耗和失配損耗
在傳輸線測(cè)量的早期，這些高性能定向耦合器是不可用的，公式2是測(cè)量Γ幅度的簡(jiǎn)單解決方案。為此，工程師只需要通過(guò)稱為開(kāi)槽線路的設(shè)備測(cè)量沿線路的最小和最大電壓。...
2023-02-09 標(biāo)簽：電壓功率RF設(shè)計(jì) 1851
什么是二極管，關(guān)于二極管的一些基礎(chǔ)知識(shí)
二極管就是電流的一個(gè)單向門(mén)（在火車(chē)站進(jìn)出站里最常見(jiàn)，只能單方面通行...）,當(dāng)二極管的陽(yáng)極相對(duì)于陰極的的電壓為正時(shí)，則叫“正向偏置”。...
聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本
毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來(lái)聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。...
2023-02-09 標(biāo)簽：碳化硅 1119
石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （GFET）的構(gòu)造、優(yōu)勢(shì)
隨著硅晶體管的尺寸和性能接近其物理極限，需要尋找替代材料來(lái)支持更多的新興技術(shù)， 其中一個(gè)具有希望的材料石墨烯。由于其出色的電氣、機(jī)械和熱性能，使得它最有可能成為場(chǎng)效應(yīng)晶體...
2023-02-09 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管模擬信號(hào)石墨烯 6879
0歐電阻、電感、電容和磁珠單點(diǎn)接地方法
磁珠的等效電路相當(dāng)于帶阻限波器，只對(duì)某個(gè)頻點(diǎn)的噪聲有顯著抑制作用，使用時(shí)需要預(yù)先估計(jì)噪點(diǎn)頻率，以便選用適當(dāng)型號(hào)。對(duì)于頻率不確定或無(wú)法預(yù)知的情況，磁珠不合適。...
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