IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導體器件，功率開關器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅動，大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產品信息及技術熱點方案及介紹。
碳化硅MOS的結構與優(yōu)勢
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。另一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C兩種原子存在，需...
碳化硅肖特基二極管的特點
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm·k。它與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場效應器...
對于電阻你了解多少？
電阻的成分屬性描述了制造電阻本身的材料，而不是安裝電阻的外部封裝材料或基板。不同的成分意味著結構上存在一些差異，并導致有不同特征，使某些類型更適合某些應用，又或不適用于某...
A類放大器優(yōu)缺點
這意味著A 類放大器配置是理想的工作模式，因為即使在負半周期內，輸出波形也不會有交越或關斷失真。A 類功率放大器輸出級可以使用單個功率晶體管或連接在一起的晶體管對來分擔高負載...
電機控制和轉換效率對汽車應用至關重要
對于越來越多的汽車應用來說，電源轉換和電機控制應用的效率是一項始終需要關注的設計規(guī)范要求?，F代內燃機汽車越來越多地使用低壓三相電機控制系統，包括燃油泵、座位調節(jié)電機和空調...
如何選擇正確的電容 4.7μF電容變小了14倍的原因
我第一個假設是：電路板上某個元件值不正確，于是我測量用作一個分壓器的兩只電阻，但它們都沒有問題。我把電容從電路板上拆下來測量，也沒有問題。...
硅二極管的死區(qū)電壓_硅二極管和鍺二極管的區(qū)別
在室溫下，實際硅二極管的死區(qū)電壓為0.6~0.8V，正向壓降為0.6~0.7V。...
發(fā)光二極管接反了會怎么樣
發(fā)光二極管正負極接反不能發(fā)光。二極管具有單向導通性，接反了就成了截止狀態(tài)，就不能發(fā)光了。...
發(fā)光二極管串多大電阻接入220V
發(fā)光二極管接220v用14.5干歐，當然這是理想值，算上電網波動，串的電阻最好在15至16千歐之間，而一系列電阻一起是最好的，如果把一個電阻分成220V壓，散熱就不是很好，不同顏色的亮度，根...
不同因素對IGBT溫敏參數dv/dt有什么影響？
結溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運行性能等。...
如何解讀IGBT和模塊的標準體系？
正確理解IGBT和模塊的標準體系，對了解產品特性，指導系統設計用足產品特性，符合規(guī)范很有幫助，熟悉標準的工程師會在系統設計中更游刃有余。...
SiC模塊的特征和電路構成
1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大...
如何計算IGBT驅動電流及驅動功率？
IGBT驅動電路的設計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅動電壓水平的確定、驅動芯片驅動功率的確定、短路保護電路等等。...
SiC SBD器件結構和特征
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結二極管（FR...
發(fā)光二極管耐壓多少_發(fā)光二極管壓降是多少
小功率的發(fā)光二極管正常工作電流在10～30mA范圍內。通常正向壓降值在1.5～3V范圍內。發(fā)光二極管的反向耐壓一般在6V左右。...
IGBT是干嘛的_igbt損壞現象
IGBT中文翻譯為：絕緣柵雙極型晶體管。是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成，兼具了這二者的優(yōu)點：高輸入阻抗和低導通壓降，也就是“驅...
IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。...
Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項
在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數超過集電極或者門極的極限參數，今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。...
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