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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
IGBT單管參數(shù)解析-下
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。...
2023-02-07 標(biāo)簽：IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 9844
IGBT單管參數(shù)解析-上
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。...
如何計(jì)算IGBT的損耗？
今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。...
2023-02-07 標(biāo)簽：IGBT損耗計(jì)算IGBT損耗計(jì)算高等數(shù)學(xué) 3378
如何選取MOSFET，關(guān)于MOSFET相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)三種樣式。...
2023-02-07 標(biāo)簽：pcbMOSFET開關(guān)電源晶體管 2025
2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)需求將劇增？
這家美國(guó)制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆變器提供了 4 kW/kg 的功率密度。...
2023-02-07 標(biāo)簽：SiC碳化硅太陽(yáng)能逆變器 949
功率半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)介紹
功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝...
2023-02-07 標(biāo)簽：芯片分立器件功率半導(dǎo)體 1817
了解功率半導(dǎo)體分立器件分類有哪些！
全控器件：通過(guò)控制信號(hào)既能夠控制其導(dǎo)通，又能夠控制其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件， 器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、門極可關(guān)斷晶閘管等；...
2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管分立器件功率半導(dǎo)體 2020
功率器件和分立器件的區(qū)別
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用于直流輸電領(lǐng)域。 MOSFET高頻、功率低...
功率半導(dǎo)體分立器件的分類及應(yīng)用
按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）...
八大維度解析IGBT分立器件哪家強(qiáng)？
功率半導(dǎo)體是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心器件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、 功率放大、功率控制等。 按器件集成度劃分，功率半導(dǎo)體可以分為功率分立器件、功率模...
2023-02-07 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 1374
氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第...
2023-02-07 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 1977
硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。...
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利...
2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基氮化鎵技術(shù) 4230
什么是硅基氮化鎵？
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器市場(chǎng)快速滲透，長(zhǎng)期在基站...
2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4532
氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域
從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域，消費(fèi)類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。...
探究模擬開關(guān)的模擬特性及開關(guān)特性
許多工程師第一次使用模擬開關(guān)，往往會(huì)把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性，但和機(jī)械開關(guān)有所不同，它本身還具有半導(dǎo)體特性：...
2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體模擬開關(guān) 3235
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以...
2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFETSBDSiC-MOSFET 1402
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)...
2023-02-06 標(biāo)簽：電路MOSFETSiCSiC-MOSFET 4211
簡(jiǎn)述MOSFET的基本原理（下）
在介紹MOSFET之前，我們先來(lái)了解一下FET的工作原理。FET又叫做場(chǎng)效應(yīng)管，有N溝道和P溝道兩種（溝道就是其中載流子流過(guò)的通道）...
2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 1408
簡(jiǎn)述MOSFET的基本原理（上）
**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的？** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子（負(fù)電荷）或者空穴（正電荷），統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小又取決于物質(zhì)原子結(jié)構(gòu)中載流子...
干簧管工作原理及干簧管的優(yōu)勢(shì)
干簧管又叫磁簧開關(guān)，相比于阻容感以及二三極管來(lái)說(shuō)屬于小眾產(chǎn)品，沒(méi)有接觸或應(yīng)用到的對(duì)于其名字都很陌生，但是其年銷售以億為單位的銷售數(shù)量又體現(xiàn)其所在應(yīng)用領(lǐng)域的普遍性。...
2023-02-06 標(biāo)簽：三極管干簧管三極管干簧管磁簧開關(guān) 6573
淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)...
東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設(shè)備
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極...
2023-02-04 標(biāo)簽：MOSFET封裝車載設(shè)備東芝半導(dǎo)體 3419
碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢(shì)
以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。...
2023-02-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2139
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的最新可靠...
2023-02-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵GaNFETGaNTransphorm場(chǎng)效應(yīng)管氮化鎵 2571
氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、高頻、大功率...
以NPN型三極管為例來(lái)說(shuō)說(shuō)它的工作原理
平常我們用電子電路的目的是最終讓目標(biāo)器件工作，例如讓發(fā)光二極管亮起來(lái)，讓電機(jī)正常轉(zhuǎn)起來(lái)，從根本上說(shuō)就是讓這些器件獲得一定的電流讓它做功。例如要讓發(fā)光二極管亮一般就需要1m...
碳化硅供需失衡將成為長(zhǎng)期現(xiàn)象
可以看出在SiC襯底方面，ON Semiconductor有GTAT，ST有Norstel，Rohm有SiCrystal，Wolfspeed自己生產(chǎn)SiC襯底。為什么SiC領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)這樣的發(fā)展趨勢(shì)？...
2023-02-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌碳化硅 547
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