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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。
為什么小功率無刷直流電機(jī)中的MOS管會燒毀？
若該電阻太大，因為MOS管會有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達(dá)不到飽和開通狀態(tài)，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。...
2024-01-24 標(biāo)簽：二極管MOS管電壓控制無刷直流電機(jī)驅(qū)動電壓 2321
晶振的三個電容的含義
負(fù)載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個振蕩回路的全部有效電容的總和。這個CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率調(diào)到標(biāo)稱值。...
半導(dǎo)體硅片行業(yè)報告，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。...
2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵半導(dǎo)體制造碳化硅 1409
LPCVD技術(shù)助力低應(yīng)力氮化硅膜制備
LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點就是工作環(huán)境的壓強(qiáng)，LPCVD的壓強(qiáng)通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強(qiáng)約為101.3KPa。...
普通電阻的類型及特性
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。...
10步法則教你MOSFET選型
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。...
MOSFET管的安全工作區(qū)
安全工作區(qū)：SOA（Safe operating area）是由一系列（電壓，電流）坐標(biāo)點形成的一個二維區(qū)域，開關(guān)器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡單的講，只要器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全...
2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFETSOA開關(guān)器件 1856
瑞薩宣布收購Transphorm，雙方已達(dá)成最終協(xié)議
此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)。...
2024-01-19 標(biāo)簽：瑞薩GaNTransphorm 523
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，用于開關(guān)或放大信號。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。...
2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管場效應(yīng)晶體管BJT 22767
什么是集成柵極換流晶閘管？
IGCT 可以由柵極信號控制導(dǎo)通和關(guān)斷，與GTO 晶閘管相比具有較低的傳導(dǎo)損耗，并能承受更高的電壓上升速率，使得其在大多數(shù)應(yīng)用上不需要緩沖器。?...
2024-01-18 標(biāo)簽：晶閘管電動機(jī)逆變器功率半導(dǎo)體 1009
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直GaN市場面臨挑戰(zhàn)
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動系統(tǒng)引入電動汽車市場可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。...
2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動系統(tǒng)氮化鎵GaN 1102
安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測試方案
用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強(qiáng)故障機(jī)制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗證過程控制的有效性。...
深入了解電阻：基礎(chǔ)概念、標(biāo)準(zhǔn)與原理
電阻是具有一定電阻的被動元器件。電阻的作用是基于歐姆定律“電壓(V)＝電流(I)×電阻(R)”。 主要作用是電流控制、分壓、電流檢測和偏置(提供偏壓)這4項。...
buck電路輸出電壓是怎么穩(wěn)定下來的 buck電路工作過程
Buck電路的輸出電壓穩(wěn)定是通過反饋控制實現(xiàn)的。具體而言，Buck電路中通常使用反饋回路來監(jiān)測輸出電壓并進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值。...
2024-01-12 標(biāo)簽：電容器電感器穩(wěn)壓二極管降壓電路反饋控制 5266
國內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀
國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)...
2024-01-12 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 4128
三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨家銷售協(xié)議，加速寬禁帶半導(dǎo)體市場拓展
據(jù)了解，三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。...
2024-01-12 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體三安寬禁帶半導(dǎo)體 946
并聯(lián)電路短路會怎樣
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，它是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。一般用來指電路中電子元件的連接方式，稱為并聯(lián)電路。...
2024-01-11 標(biāo)簽：電阻電流電壓歐姆定律并聯(lián)電路 10820
SiC和GaN市場未來如何發(fā)展
氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方主要是士蘭微、國家集...
2024-01-10 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)光伏SiCGaN碳化硅 447
FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。...
2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計晶體管場效應(yīng)晶體管電流控制器 1451
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