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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
功率達(dá)林頓晶體管電路設(shè)計(jì)特征參數(shù)
許多達(dá)林頓陣列也可用，其中多個(gè)達(dá)林頓晶體管對(duì)包含在同一個(gè)封裝中。通常，它們包含在 IC 封裝中，因?yàn)樗鼈兺ǔＳ糜隍?qū)動(dòng)顯示器等。這使得達(dá)林頓晶體管對(duì)非常易于使用，并可集成到新的...
2024-01-09 標(biāo)簽：顯示器電路設(shè)計(jì)電子元件晶體管達(dá)林頓 2024
基本的晶體管電路設(shè)計(jì)
盡管使用帶有晶體管的分立電子元件會(huì)使用更多元件，但可以定制電路以提供所需的功能。因此，使用分立晶體管和一些附加電子元件的電路是電子電路設(shè)計(jì)的核心。...
2024-01-09 標(biāo)簽：振蕩器電路設(shè)計(jì)電子元件晶體管PNP晶體管 2246
MOSFET常見的失效機(jī)理
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET，就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET，超過這個(gè)范圍就有可能造成損壞。...
2024-01-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管柵極電阻開關(guān)器件電流波形 810
碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹...
2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1123
以XL4015 DEMO板講解陶瓷電容的重要性
隨著開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展，開關(guān)電源產(chǎn)品逐漸趨于高頻化、小型化，電源芯片外圍電路也已相當(dāng)精簡。然而在這些精簡的電路中，總是會(huì)在系統(tǒng)輸入端看到電解電容和陶瓷電容組合使用，且他們...
2024-01-05 標(biāo)簽：原理圖開關(guān)電源陶瓷電容電源芯片原理圖開關(guān)電源電源芯片紋波電壓陶瓷電容 1946
愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
基于SiC功率器件的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)解決方案，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。...
這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究
在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。...
2024-01-04 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器斷路器碳化硅傳動(dòng)系統(tǒng) 480
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些
逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能，對(duì)小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行，已經(jīng)提出使用寬帶隙半導(dǎo)體和結(jié)合n溝...
2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 1254
未來SiC模塊封裝的演進(jìn)趨勢
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商，SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù)，除確?；靖邚?qiáng)度燒結(jié)鍵合，對(duì)...
2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET散熱器半導(dǎo)體封裝SiC 1279
日本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET
MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管(FET)，具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn)，特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開關(guān)元件，高速開關(guān)大電流等已經(jīng)完成。...
2023-12-29 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管金剛石 760
碳化硅器件領(lǐng)域，中外的現(xiàn)況如何？
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕...
2023-12-27 標(biāo)簽：IGBT場效應(yīng)晶體管功率器件SiC碳化硅 628
半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢分析
近年來，全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場規(guī)模為303.37億美元，同比增長27.4%，2022年進(jìn)一步同比增長12.1%，為339.93億美元。...
2023-12-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件工業(yè)控制半導(dǎo)體分立器件 1534
碳化硅是新能源汽車800V高壓快充標(biāo)配？
根 據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業(yè)，合計(jì)占 據(jù) 93%的市場份額，其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 40% 的市場份額。...
2023-12-22 標(biāo)簽：新能源汽車IGBTSiC碳化硅800V平臺(tái) 1193
IGBT模塊失效機(jī)理的兩大類分析
變壓器結(jié)電容相對(duì)于電壓變化率過大，導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是，輸出邏輯錯(cuò)誤，控制電路被干擾，電路失效等。...
2023-12-22 標(biāo)簽：變壓器智能電網(wǎng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路電流干擾 1416
?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。...
2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 3963
全球大廠帶節(jié)奏，日本功率半導(dǎo)體市場承受壓力
近日，日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝，聯(lián)合發(fā)布聲明，計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。...
2023-12-21 標(biāo)簽：SiCGaN存儲(chǔ)芯片功率半導(dǎo)體功率芯片 533
碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而可以減少功率器件...
2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 656
英飛凌半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品推薦
英飛凌（Infineon）作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者，一直致力于打造先進(jìn)的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系...
特斯拉為何對(duì)碳化硅忽冷忽熱？
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料，鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大，但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn)，在八十年代初就被硅基管給取代了，一直到現(xiàn)今，90％以上的芯片都...
2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件碳化硅 369
計(jì)算機(jī)、晶體管的問世，MOSFET的創(chuàng)新與制造技術(shù)
晶體管可以用微小的電量控制大量電流的流動(dòng)，可謂是顛覆性的創(chuàng)造。科學(xué)家發(fā)現(xiàn)，只要使用以下兩種半導(dǎo)體元件，就可以輕而易舉地連接或斷開信號(hào)。...
2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFETcpu計(jì)算機(jī)晶體管半導(dǎo)體元件 1069
中國功率器件大市場分析報(bào)告
國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。...
2023-12-18 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶閘管晶體管功率半導(dǎo)體 1374
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變（IGBT/SiC/GaN）
報(bào)告內(nèi)容包含： 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）...
2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiCGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 720
一種電容加載腔體帶通濾波器的設(shè)計(jì)方案
若濾波器采用空腔諧振器作為基本諧振單元，利用λg/2作為諧振腔長度，由上述理論分析可知，將并聯(lián)電容加載在半波長空腔諧振器中，可以在諧振頻率不變的情況下減小腔體諧振器尺寸。...
2023-12-15 標(biāo)簽：濾波器微波無源器件雷達(dá)系統(tǒng)電磁仿真 1498
微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
報(bào)告內(nèi)容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)...
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