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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。
納微半導(dǎo)體GeneSiC起源與SiC的未來
GeneSiC 在滿足汽車行業(yè)需求的經(jīng)驗還包括開發(fā)快速充電站解決方案，這對 EV 的快速普及至關(guān)重要。以 SK Signet 最近設(shè)計的額定 350kW 快速充電樁為例，它可以將 277VAC 的市電變換為200~950VDC 精準(zhǔn)控...
2023-12-13 標(biāo)簽：二極管晶體管SiC電機繞組納微半導(dǎo)體 1965
什么是掉電保護 掉電保護功能怎么實現(xiàn)
TVS（Transient Voltage Suppressors）二極管，即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管，是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個PN結(jié)或多個PN結(jié)集成的器件。TVS二極管有單向與雙向之分，單向TVS二極管一般應(yīng)用于...
碳化硅晶片制備技術(shù)與國際產(chǎn)業(yè)布局
碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現(xiàn)。...
碳化硅的優(yōu)勢和難處
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。...
芯動半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議
功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色，占據(jù)電機控制器價值量的30%-50%。因此，功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。...
2023-12-08 標(biāo)簽：電機控制器SiC功率半導(dǎo)體長城汽車 2405
IGBT儲能應(yīng)用價值及優(yōu)勢分析
儲能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲一體以及單獨儲能系統(tǒng)。獨立的儲能系統(tǒng)，功率半導(dǎo)體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲一體可能占比超過 60-7...
2023-12-07 標(biāo)簽：三極管MOSFET場效應(yīng)管光伏逆變器DCDC 1194
常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些？
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。...
2023-12-07 標(biāo)簽：動力電池新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體驅(qū)動電機 5183
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解決新型電力系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵路徑。...
2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件SiCGaN 1645
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展：7代技術(shù)及工藝改進
新能源汽車的成本構(gòu)成中，最大頭當(dāng)然是動力電池，第二高的就是IGBT。 在電動汽車特斯拉Model 3上，提供電源的是，7000節(jié)18650電池，這些電池提供400伏直流電。...
2023-12-06 標(biāo)簽：集成電路新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體充電樁 3559
安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動汽車充電樁等市場
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。...
2023-12-05 標(biāo)簽：電動汽車充電樁SiC MOSFET安世半導(dǎo)體 856
國產(chǎn)碳化硅生產(chǎn)企業(yè)排行榜
憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于光伏發(fā)電、電動汽車、軌道交通和風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域，引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。全球碳化硅功率器件市場規(guī)模預(yù)計將從2021年10.9億美元增長至2027年62...
2023-12-05 標(biāo)簽：電動汽車光伏發(fā)電功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 9354
汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變，碳化硅是否隨著更改？
汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應(yīng)用市場。在整個汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場行情？...
2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC碳化硅汽車半導(dǎo)體 438
一文詳解二極管在ESD防護中的應(yīng)用
Lg越大，P-WeLL的長度越大，P-WeLL的阱電阻越大，面對ESD的過沖電壓越高，開啟電阻Ron也隨之增大。同時載流子的穿透深度越大，其壽命越長，從而造成二極管的開啟時間也隨之增大。...
2023-12-04 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管ESDMOS寄生二極管 3668
全面詳解半導(dǎo)體制造工藝與進化
雙極性晶體管，英語名稱為BipolarTransistor，是雙極性結(jié)型晶體管的簡稱，由于其具有三個終端，因此通常將其稱為三極管。三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，兩個PN結(jié)將其分為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，相應(yīng)...
2023-12-02 標(biāo)簽：集成電路三極管晶體管芯片制造半導(dǎo)體材料 10374
運放電路中那些電容到底有啥用？
選擇值的話，一般是選103，104，或者105這類數(shù)字。主要就是看運放工作時的頻率，通常頻率高的時候，電容就會選小一點，反過來就是容量大的。...
MOS管寄生電容計算方法
某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值，稱為該電介質(zhì)的相對介電常數(shù)，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數(shù)，其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對介電常數(shù)為εr=3.9，所以...
什么是PN結(jié)
P型硅中有大量的多子空穴和少量的電子；N型硅中有大量的多子電子和少量的空穴； 中間的結(jié)對載流子的流動不構(gòu)成障礙，所以有一些空穴就從P型硅擴散到N型硅，同樣，一些電子從N型硅...
一個模擬工程師被一個小小電感給摩擦了？
輸出電壓是信號源內(nèi)阻和RL的分壓，這也就意味著輸出電壓會隨著頻率的變大而變大。這在原理上是說的通的。那么實際是不是我們分析的這樣呢?于是我們拆除板子上的變壓器重新進行測試，發(fā)...
2023-11-29 標(biāo)簽：變壓器線圈電感數(shù)據(jù)通信信號發(fā)生器 791
基于XL4016的輸出過壓保護方案解析
當(dāng)輸出電壓低于 VDZ1+0.7V 時，Q1 三極管不導(dǎo)通，Q2 三極管導(dǎo)通，此時 Q3 MOS 管導(dǎo)通使系統(tǒng)正常 輸出；當(dāng)輸出電壓高于 VDZ1+0.7V 時，Q1 三極管導(dǎo)通，Q2 三極管不導(dǎo)通，此時 Q3 MOS 管不導(dǎo)通使系統(tǒng)輸出...
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