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標簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程，或指晶體管門電路的尺寸，單位為納米（nm）。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米（AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝，intel第9代全面采用14nm），更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高，已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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和在刻蝕工藝中一樣，半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的...
本文介紹了當半導體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時工藝面臨的影響。
電鍍封孔是一種常用的印制電路板制造工藝，用于填充和密封導通孔(通孔)以增強導電性和防護性。在印制電路板制造過程中，導通孔是用于連接不同電路層的通道。電鍍...
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序，為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問題，根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過程，選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時間、加熱臺溫...
在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導...
肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點，廣泛用于開關(guān)電源及功率變換器中。
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Translator, IGBT）是電氣化軌道交通裝備中負責電能轉(zhuǎn)換的核心部件。高壓大...
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求...
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...
LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問題的優(yōu)化方案
現(xiàn)代LTCC技術(shù)是將低溫燒結(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿和精密導體漿料印刷等工藝制出所設(shè)計的電路版圖，并將多個元...
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（...
半導體元件制造涉及到一系列復雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應用的需求。
FinFET(鰭式場效應晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維...
多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種，都是通過不同工藝的組合來實現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。其中目前采用最多的是電鍍通孔法，電鍍通孔法經(jīng)過超過半個世紀的發(fā)展...
隨著半導體器件特征尺寸不斷微縮，對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長...
Micro LED制造工藝中四大關(guān)鍵技術(shù)難點
隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，MicroLED作為一種新興的顯示技術(shù)，因其高亮度、高對比度、低功耗等優(yōu)點，受到了廣泛關(guān)注。為了實現(xiàn)MicroLED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化...
本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優(yōu)勢，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求
技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經(jīng)跨越了從納...
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