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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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PWM變換器驅(qū)動電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù),它通過調(diào)節(jié)脈沖寬度來控制功率器件的開關(guān)狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)對輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...
小編通常在在電機(jī)控制器的設(shè)計(jì)過程中,對功率器件MOSFET的漏極電流 IDI_DID 進(jìn)行校核計(jì)算是一項(xiàng)重要工作。這里把我自己的一些推導(dǎo)過程做簡單敘述,...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-13 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)功率器件功率半導(dǎo)體器件 2.3k 0
SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動汽車、混合動力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10,實(shí)現(xiàn)低功耗化;同時(shí),能將新能源汽車的效率提...
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率...
三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-20 標(biāo)簽:驅(qū)動器功率器件熱設(shè)計(jì) 2.3k 0
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢?
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面
成果展示:具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管
為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺,優(yōu)化設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO...
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計(jì)人員可能會考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
在研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)...
2025-03-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器仿真功率器件 2.2k 0
1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 (1):Buck 變換器的電路圖: (2):Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格: (3):功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力: --...
SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)
通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...
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