光伏發(fā)電原理與傳統(tǒng)發(fā)電方式比較

隨著全球能源危機(jī)的加劇和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)重，尋找清潔、可再生的能源成為了全球能源發(fā)展的重點(diǎn)。光伏發(fā)電作為一種新型的清潔能源技術(shù)，因其環(huán)保、可再生的特...

2024-12-26 標(biāo)簽：電流光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 3.8k 0

ABF大漲價(jià)！這家日本“味精廠”，憑什么卡住全球AI芯片的脖子？

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，據(jù)摩根士丹利證券觀察，ABF增層薄膜大廠日本味之素（Ajinomoto）已針對(duì)ABF增層薄膜漲價(jià)。味之素提出，將考量個(gè)別客戶...

2026-05-13 標(biāo)簽：封裝ABF半導(dǎo)體材料 3.7k 1

日本關(guān)鍵半導(dǎo)體材料嚴(yán)格出口對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響分析

日本與韓國(guó)對(duì)于第二次世界大戰(zhàn)強(qiáng)制征用民工的問(wèn)題無(wú)法達(dá)到共識(shí)以及妥善的處理，日本政府將祭出一連串的出口管制措施。

2019-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光刻膠 3.6k 0

化工新材料的應(yīng)用有哪些

聚烯烴彈性體（POE）指α-烯烴含量大于20%的乙烯和長(zhǎng)鏈α-烯烴無(wú)規(guī)共聚物，POE的特殊結(jié)構(gòu)賦予其良好的彈性、熱塑性和透明性等特點(diǎn)，可作為輕量化抗沖擊...

2023-03-29 標(biāo)簽：碳纖維半導(dǎo)體材料新材料 3.6k 0

碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星

作為第三代半導(dǎo)體的代表，碳化硅材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...

2021-05-18 標(biāo)簽：新能源車半導(dǎo)體材料SiC 3.5k 0

淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.5k 0

硅作為半導(dǎo)體材料所具備的特性還不夠理想

硅具有良好的電子遷移率，但空穴遷移率較差，而其他材料，如廣泛應(yīng)用于激光器的砷化鎵，同樣對(duì)電子具有良好的遷移率，但是對(duì)空穴則沒(méi)有。

2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體材料 3.5k 0

第三代半導(dǎo)體材料的代表之一是什么？

答：作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，GaN本身在性能特性上是一種部分替代性及革命性的材料和器件，該業(yè)務(wù)最早發(fā)端于航空電子業(yè)務(wù)的需求但目前已遠(yuǎn)不止于該領(lǐng)域...

2020-06-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料GaN5G通訊 3.5k 0

贏得諾獎(jiǎng)的世上第一批富勒烯樣品如今只能被放在廁所里？

英國(guó)薩塞克斯大學(xué)化學(xué)系保留著一批珍貴的樣品：第一批富勒烯。這是諾獎(jiǎng)得主哈羅德?克羅托的遺物，見(jiàn)證了他經(jīng)歷被潛在合作者拒絕、申請(qǐng)經(jīng)費(fèi)卡殼、研究差點(diǎn)被搶發(fā)，...

2021-05-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 3.5k 0

鎵在半導(dǎo)體制造中的作用

隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中，鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) ...

2025-01-06 標(biāo)簽：激光器半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體制造 3.5k 0

韓國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快，RAM融資投產(chǎn)氟化氫擴(kuò)大供應(yīng)

據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，RAM Technology將在半導(dǎo)體原材料解決方案領(lǐng)域投資超過(guò)200億韓元，或?qū)镾K海力士增加高純度液態(tài)氟化氫供應(yīng)提供支持。RAM Te...

2019-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 3.5k 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 3.4k 0

電子開(kāi)關(guān)常見(jiàn)故障及解決方法

一、電子開(kāi)關(guān)的基本原理 電子開(kāi)關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成，如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管（BJT）或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。這些開(kāi)關(guān)...

2024-12-30 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開(kāi)關(guān) 3.4k 0

電力電子系統(tǒng)能效，未來(lái)非他莫屬！

整個(gè)碳化硅（SiC）功率器件行業(yè)尚在起步階段。全球市場(chǎng)規(guī)模包括中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模都很小，2014年全球碳化硅（SiC）功率器件的市場(chǎng)規(guī)模為1.2億美元，相...

2017-08-14 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料Si功率器件 3.4k 5

光電效應(yīng)在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)的加劇和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)重，尋找清潔、可再生的能源成為了人類面臨的緊迫任務(wù)。太陽(yáng)能作為一種清潔、無(wú)污染的能源，其開(kāi)發(fā)和利用受到了廣泛...

2024-11-25 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體材料光電效應(yīng) 3.2k 0

淺談目前傳感器的種類（一）

【科普詳解】目前傳感器的種類（一） 傳感器是信息時(shí)代的必備產(chǎn)品，幾乎隨處可見(jiàn)。它是人類從外界獲取信息的關(guān)鍵?，F(xiàn)在人們單靠自身的感覺(jué)器官，在研究自然現(xiàn)象和...

2020-03-24 標(biāo)簽：傳感器mems半導(dǎo)體材料 3.2k 0