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臺(tái)積電

臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,簡(jiǎn)稱臺(tái)積電、TSMC,是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司,成立于1987年,是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)企業(yè),總部與主要工廠位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元,晶圓代工市占率46%,為全球第一。

文章:5712個(gè) 瀏覽:177163 帖子:43個(gè)

臺(tái)積電資訊

臺(tái)積電何以成為晶圓代工龍頭?

臺(tái)積電自1987年在臺(tái)灣地區(qū)興建至今己有30年歷史。它是全球最大的晶園代工企業(yè),2015年它的市占率高達(dá)54%及它的年市值約1,536億美金、約五兆新臺(tái)...

2017-01-03 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓莫大康 1.1k 0

OpenAI自研AI芯片即將面世

OpenAI正加速推進(jìn)其自主研發(fā)AI芯片的計(jì)劃,旨在減少對(duì)外部芯片供應(yīng)商,尤其是英偉達(dá)的依賴。據(jù)消息人士透露,這家ChatGPT的開發(fā)者預(yù)計(jì)將在不久的將...

2025-02-11 標(biāo)簽:臺(tái)積電AI芯片OpenAI 1.1k 0

誓言超越三星 臺(tái)積電7納米芯片2018年大規(guī)模量產(chǎn)

據(jù)外媒報(bào)道,近些年來(lái)芯片制程的進(jìn)化速度簡(jiǎn)直超出想象,在三星推出10nm制程后,臺(tái)積電也不甘示弱。消息顯示,今年第二季度首款采用7nm FinFET制程的...

2017-01-04 標(biāo)簽:芯片三星電子臺(tái)積電 1.1k 0

臺(tái)積電美建廠推遲:疫情及工會(huì)問題致成本高昂

據(jù)稱,由于美國(guó)當(dāng)?shù)卣O(jiān)管部門對(duì)高端晶圓廠的管理經(jīng)驗(yàn)較少,使得項(xiàng)目拖延了不少。盡管現(xiàn)狀有所緩解,但美國(guó)政府仍須反思讓臺(tái)積電在美設(shè)廠的初衷。同時(shí),臺(tái)積電董...

2024-01-16 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓廠制造業(yè) 1.1k 0

臺(tái)積電南科廠區(qū)受地震影響,或損1-2萬(wàn)片晶圓

近日,據(jù)臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電南科(南部科學(xué)工業(yè)園區(qū))的Fab14和Fab18廠區(qū)遭受了地震的影響,導(dǎo)致產(chǎn)能受到一定程度的沖擊。據(jù)供應(yīng)鏈方面透露,此次...

2025-01-23 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓半導(dǎo)體制造 1.1k 0

電子芯聞早報(bào):臺(tái)積電先進(jìn)制程投資計(jì)劃搶先看 三星s8或取消耳機(jī)口

早報(bào)時(shí)間:全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨排行 大陸季減37%;臺(tái)積電10nm以下先進(jìn)制程計(jì)劃:5nm/3nm仍在規(guī)劃中;我國(guó)IGBT首次出口海外市場(chǎng);虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)五...

2016-12-07 標(biāo)簽:臺(tái)積電三星s8魅藍(lán)note5 1.1k 0

消息稱英特爾提議與三星建立“晶圓代工聯(lián)盟”,挑戰(zhàn)臺(tái)積電

英特爾已與三星電子高層接洽,提議組建“代工聯(lián)盟”,對(duì)抗市場(chǎng)霸主臺(tái)積電。英特爾和三星的代工業(yè)務(wù)都已陷入困境,這兩大巨頭之間的合作也成為韓國(guó)業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。...

2024-10-25 標(biāo)簽:英特爾臺(tái)積電晶圓 1.1k 0

臺(tái)積電海外設(shè)廠,歐美工會(huì)或成最大變數(shù)

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電公司表示,由于缺乏能夠熟練地安裝半導(dǎo)體設(shè)施的專門人力,因此決定從臺(tái)灣派遣人力,將美國(guó)n4工程的量產(chǎn)時(shí)間推遲到2025年。對(duì)此,...

2023-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓廠 1.1k 0

臺(tái)積電官宣退場(chǎng)!未來(lái)兩年逐步撤離氮化鎵市場(chǎng)

7月3日,氮化鎵(GaN)制造商納微半導(dǎo)體(Navitas)宣布,其650V元件產(chǎn)品將在未來(lái)1到2年內(nèi),從當(dāng)前供應(yīng)商臺(tái)積電(TSMC)逐步過(guò)渡至力積電半...

2025-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電 1.1k 0

臺(tái)積電魏哲家:半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整趨勢(shì)比預(yù)期弱

據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》,臺(tái)積電公司(tsmc)在20日召開的記者招待會(huì)上,對(duì)庫(kù)存調(diào)整問題臺(tái)積電總裁魏哲家表示:“總的趨勢(shì)比我們預(yù)料的弱,庫(kù)存是否要調(diào)整什么時(shí)...

2023-07-21 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓代工 1.1k 0

臺(tái)積電計(jì)劃提前生產(chǎn)20納米芯片 爭(zhēng)蘋果訂單

  北京時(shí)間5月3日早間消息,據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電計(jì)劃提前生產(chǎn)20納米芯片生產(chǎn),這使得業(yè)界推測(cè)稱,臺(tái)積電將積極爭(zhēng)奪蘋果未來(lái)設(shè)備的處理器訂單。

2012-05-03 標(biāo)簽:臺(tái)積電蘋果20納米 1.1k 0

臺(tái)積電清大開發(fā)電阻式記憶體

晶圓代工廠臺(tái)積電與清華大學(xué)合作開發(fā)低操作電壓的電阻式記憶體,將于明年國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)中發(fā)表。

2011-11-22 標(biāo)簽:電阻臺(tái)積電記憶體 1.1k 0

比特幣價(jià)格持續(xù)低迷,比特大陸砍單臺(tái)積電芯片

今年4月起,由于多國(guó)加強(qiáng)對(duì)加密貨幣的監(jiān)管,導(dǎo)致比特幣價(jià)格開始持續(xù)回落,再加上近期國(guó)內(nèi)對(duì)于比特幣挖礦的取締,導(dǎo)致比特幣價(jià)格更是一度跌破29000美元。受比...

2021-07-01 標(biāo)簽:芯片臺(tái)積電 1.1k 0

臺(tái)積電在美國(guó)投資計(jì)劃保持不變

針對(duì)特朗普當(dāng)選美國(guó)總統(tǒng)可能帶來(lái)的政策變動(dòng),臺(tái)積電近日正式回應(yīng)稱,其在美國(guó)的投資計(jì)劃保持不變。這一表態(tài)無(wú)疑為市場(chǎng)注入了一劑強(qiáng)心針。

2024-11-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓廠 1.1k 0

Intel敲定10nm芯片發(fā)布時(shí)間,并稱量產(chǎn)有限

Intel公布了三季度財(cái)報(bào),公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收和利潤(rùn)雙增長(zhǎng),超過(guò)華爾街預(yù)期,Intel CEO Brian Krzanich(科再奇)強(qiáng)調(diào),10nm首批芯片將...

2017-10-30 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電intel 1.1k 0

臺(tái)積電日本新廠將推動(dòng)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇

回溯至上世紀(jì) 80 年代,日產(chǎn)半導(dǎo)體曾榮光滿載,一度占居全球市場(chǎng)六分之一。然而,諸如貿(mào)易沖突、錯(cuò)失個(gè)人電腦革命契機(jī)以及投資不足等因素使日本芯片行業(yè)逐漸走向衰頹。

2024-02-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電 1.1k 0

先進(jìn)制程沖第一 臺(tái)積電16/10nm搶先開火

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外,臺(tái)積電2013~2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù),打造16、1...

2012-09-07 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓代工FinFET 1.1k 0

臺(tái)積電魏哲家:AI應(yīng)用發(fā)展 2024年將是充滿機(jī)會(huì)的一年

面對(duì)對(duì)人知識(shí)世界供應(yīng)鏈地緣政治的層層社會(huì)經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),體現(xiàn)與代毅性電氣公司共同運(yùn)營(yíng)供應(yīng)鏈伙伴的韌性,包括順利進(jìn)行三納米等各先進(jìn)制造過(guò)程及特殊技術(shù)優(yōu)化和產(chǎn)能擴(kuò)...

2023-12-08 標(biāo)簽:臺(tái)積電供應(yīng)鏈先進(jìn)制造 1.1k 0

英特爾競(jìng)購(gòu)High-NA EUV設(shè)備,臺(tái)積電決定回避

 另一方面,臺(tái)積電的年度技術(shù)論壇正在美國(guó)和歐洲如火如荼地進(jìn)行,備受世人矚目的是該公司計(jì)劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù),該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級(jí)電軌架構(gòu)。

2024-05-20 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶體管EUV 1.1k 0

臺(tái)積電可能推12nm制程緩解訂單緊張問題

近日臺(tái)積電方面透露,目前正在針對(duì)此前的16nm工藝進(jìn)行改良,這個(gè)改良版很有可能將采用12nm工藝制程,這也與其持續(xù)針對(duì)每一代工藝進(jìn)行改良的策略相吻合。在...

2017-01-21 標(biāo)簽:臺(tái)積電麒麟970驍龍835 1.1k 0

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