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標(biāo)簽 > 工藝
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MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究
本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅(b-Si)的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能,研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼...
如何處理撓性電路,適應(yīng)不同系統(tǒng)間的在線傳送帶傳輸?
將表面貼裝元件直接集成到撓性電路的蝕刻銅焊盤圖形上,與剛性電路板的組裝工藝沒有什么不同。然而為了最大限度地提高機器人組裝效率,提高撓性電路的產(chǎn)量,電路設(shè)...
硅片倒角加工是半導(dǎo)體硅片制造中保障邊緣質(zhì)量與可靠性的關(guān)鍵工序,其核心目標(biāo)在于消除切割后邊緣產(chǎn)生的棱角、毛刺、崩邊、裂縫及表面污染,通過降低邊緣粗糙度、增...
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種廣泛應(yīng)用的物理氣相沉積(PVD)工藝,是制造半導(dǎo)體、磁盤驅(qū)動器和光學(xué)膜層的主要薄膜沉積方法。其...
2026-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝磁控濺射系統(tǒng) 1.4k 0
在超高純度晶圓制造過程中,盡管晶圓本身需達到11個9(99.999999999%)以上的純度標(biāo)準(zhǔn)以維持基礎(chǔ)半導(dǎo)體特性,但為實現(xiàn)集成電路的功能化構(gòu)建,必須...
多化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)在濕法站的應(yīng)用
半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?;蛉毕?。擴散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、...
為履行向市場提供更環(huán)保的產(chǎn)品的使命,TDK矢志創(chuàng)新并開發(fā)了一種能在薄膜上印刷厚銅圖案的電鍍工藝。該工藝能讓銅沉積在薄膜的一側(cè)或兩側(cè),可降低線圈(天線)的...
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功
我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
電動機在運行中,可能發(fā)生這樣或那樣的故障,造成電動機失常,甚至燒毀電動機。引起電動機運行失?;驘龤У脑蚝芏?,例如:啟動及制動時的高損耗;連續(xù)運行時過載...
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中,器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面,因此必須通過清潔技術(shù)去除污染...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點,DRAM 單元尺寸預(yù)計接近 0.0013 um2。無...
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