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微弧氧化又稱微等離子體氧化,是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合,在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用,生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念,它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過精心設(shè)計(jì),工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶...
硅晶圓揀選測試作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在通過系統(tǒng)性電氣檢測篩選出功能異常的芯片。該測試體系主要包含直流特性分析、輸出驅(qū)動(dòng)能力驗(yàn)證和功能...
在電機(jī)制造中,同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和同一批原材料所制成的產(chǎn)品,其質(zhì)量往往有相差很大的現(xiàn)象(鐵耗值相差可達(dá)40%,線圈絕緣耐壓強(qiáng)度相差可達(dá)80%,電機(jī)的使用壽命...
本研究對黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步:濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài),具有降低紋理化溫度的新解決方案;第二步:通過金屬輔助蝕...
集成電路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”(bird beak),這是一種在氧化硅生長過程中...
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
DFM(Design for Manufacturability,可制造性設(shè)計(jì));是指產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要滿足產(chǎn)品制造的工藝要求,具有良好的可制造性,使得產(chǎn)品以...
源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu))引入了一個(gè)淺的...
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