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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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英特爾聯(lián)手聯(lián)華電子,創(chuàng)新12nm制程平臺
聯(lián)電共同總經(jīng)理王石指出,聯(lián)電與英特爾在美國全資本開支的12nmFinFET制程合作,是公司探尋具備成本效益的產(chǎn)能擴張以及先進工藝節(jié)點升級的關(guān)鍵舉措。這個...
近日,英特爾研究院副總裁、英特爾中國研究院院長宋繼強在第二十一屆中國國際半導體博覽會(IC China 2024)上發(fā)表了題為《面向“智算時代”的產(chǎn)品設...
臺積電積極配置了2nm工程,n2的目標是2025年,n2p和n2x的目標是2026年上市,納米芯片晶體管的性能達到了技術(shù)目標的80%以上,能源效率和低v...
安森美以1.15億美元收購Qorvo的SiC JFET技術(shù)
安森美(onsemi,納斯達克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiCJFET) 技術(shù)業(yè)務及...
科學家實現(xiàn)技術(shù)突破,世界最小的單原子晶體管問世
德國卡爾斯魯厄理工學院托馬斯?希梅爾教授領導的團隊開發(fā)出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個原子位移實現(xiàn)開關(guān)的量子電子元件。
計算機通電的過程很像宇宙大爆炸,接下來就是比特之旅。比特在旅途過程,從磁盤->總線->內(nèi)存->CPU,不停的移動。一個比特經(jīng)過一個函數(shù)...
2022-08-09 標簽:物聯(lián)網(wǎng)計算機晶體管 1.3k 0
傳統(tǒng)的焊接方式因其能耗高、精度低、熱影響區(qū)大等缺點,已難以滿足新能源汽車、3C電子、精密儀器等領域?qū)Ω咝?、微損、一致性焊接的苛刻要求。正是在這一背景下,...
意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設計難度,提高轉(zhuǎn)換能效,目標應用包括工業(yè)電源、便攜式設備充電器和 ...
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04
瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、...
來源:羅姆半導體社區(qū)? 概述一 1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。(公開宣布是在 1948 年 6 月 30 日) 晶體管是用于放大或切換電子信號...
2022-12-08 標簽:晶體管 1.3k 0
另一方面,從投資者的角度來看,Intel也有更廣泛的市場動態(tài)在起作用。這些動態(tài)可以增加整個市場的規(guī)模(TAM)。換句話說:在3000億美元的市場中占90...
通過紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實現(xiàn)的濕式蝕刻
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率,并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面...
長周期認證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢與后來者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應用于新能源發(fā)電、電動汽車、智能電網(wǎng)等領域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
CMOS 2.0與Chiplet兩種創(chuàng)新技術(shù)的區(qū)別
摩爾定律正在減速。過去我們靠不斷縮小晶體管尺寸提升芯片性能,但如今物理極限越來越近。在這樣的背景下,兩種創(chuàng)新技術(shù)站上舞臺:CMOS 2.0 和 Chip...
微電子所在《中國科學:國家科學評論》發(fā)表關(guān)于先進CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文
來源:中國科學院微電子研究所 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是推動大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...
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