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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應用和產(chǎn)品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典...
廈門大學張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日，廈門大學電子科學與技術(shù)學院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
硅材料的功率半導體器件已被廣泛應用于大功率開關(guān)中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...
什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢和應用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 標簽：半導體功率開關(guān)氮化鎵 8.3k 0
基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
PFC開關(guān)管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術(shù)的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導致其全面推廣的問題。
叉車應用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產(chǎn)商都有一個平臺方法，并銷售按電...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...
眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運行，實現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55...
氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 3.4k 1
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
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