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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個工程術(shù)語,通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。
對于電阻負(fù)載,當(dāng)前波形的形狀與電壓波形電流波形不平滑,紋波含量高。
2023-03-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電力電子器件氮化鎵 529 0
當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如,6 毫歐器件顯示兩個 R 的強度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...
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