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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加，對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
“TPY-X”雷達的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計方案
當受到戰(zhàn)術(shù)機動性和極端操作環(huán)境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
PFC部分使用安森美的NCL2801產(chǎn)品，SOIC-8封裝，外圍線路簡單。FB腳為輸出電壓采樣信號輸入端，作為反饋信號輸入端的同時還有輸出電壓OVP功能...
2023-12-27 標簽：開關(guān)電源控制器氮化鎵 1.5k 0
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術(shù)的推進，微型逆變器和串式逆變...
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流...
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
CS管腳通常用于采樣電感電流，實現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現(xiàn)過流保護功能。?此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...
幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉(zhuǎn)換效率高達91%，應(yīng)用廣泛，性價比高...
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動性、...
就像生活中的現(xiàn)實一樣，當老年人離開年輕人的舞臺時，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、...
2025-02-07 標簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 1.4k 0
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