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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最...
谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技...
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數(shù)高、開關頻率高、抗輻射能力強等優(yōu)點。 其中，高開關頻率意味著應用電路...
如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
寬電壓范圍是指設備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內正常工作的能力。這意味著，當電網電壓或供電電壓在一定范圍內波動時，具備寬電壓范圍的設備仍能保持穩(wěn)定運行，不...
“設計人員必須知道如何正確且安全地構建這些產品，這也需要更高的專注度和更加嚴格的要求，因為通常設計人員面臨的不僅僅是一個電氣問題，”TI的電源管理專家D...
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)...
氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，...
德州儀器的默認過流保護方法被歸類為“電流鎖存”保護；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，F(xiàn)ET將安全關斷，并在故障復位前保持關斷狀態(tài)。在我們的70m...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產碳化硅及氮化鎵相關外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉換組件都已集成，...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅動電源-常規(guī)雙極驅動程序 GaN GIT （G...
過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發(fā)時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以...
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態(tài)變化，...
當設備溫度超過設定閾值時，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設備功率或關閉設備，以防止過熱，這對于保護設備內部組件和延長設備壽命至關重要。在檢測到溫度升高時...
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應用場景，如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
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