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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內阻1.0--1.2...
在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只...
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC，工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益，+44.5 dBm飽和輸出...
隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節(jié)驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機功耗。具體來...
ADPA1113 2GHz至6GHz，46dBm（40W），GaN功率放大器技術手冊
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內實現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
第三代半導體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流？
氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進...
InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動汽車高效運行
盡管車身裝備了最先進的電池組，但目前的常規(guī)電動汽車仍然使用鉛酸電池在電機關閉時為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...
MICLEDI認為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優(yōu)勢，可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內或較暗場景的...
據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進一步推動其普及進程。
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機攝影的發(fā)展史確實非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優(yōu)勢，在于...
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