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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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激光雷達(dá)的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進(jìn)行的（遠(yuǎn)程）檢測和測量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡單的雷達(dá)原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及...
在65W氮化鎵快充設(shè)計中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
基于準(zhǔn)垂直型氮化鎵肖特基二極管的高功率微波限幅器
伴隨著5G通信時代的到來，數(shù)據(jù)的無線傳輸速率逐漸提高，同時也對射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無線通信系統(tǒng)的射頻前...
隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.6k 0
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來精確測定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測方法，測試方法簡單、方便、測試結(jié)果準(zhǔn)確，可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞，因此是一種非常...
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的...
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術(shù)手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...
2021年5月份，USB-IF協(xié)會正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...
幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
2023-04-03 標(biāo)簽：驅(qū)動器PCB設(shè)計氮化鎵 1.5k 0
在消費類快充電源市場中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 1.5k 0
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具...
法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.5k 0
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠...
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測和新興的...
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