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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地...
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...
2024-01-10 標簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 9.4k 0
從消費類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點介紹了氮化鎵當前的主要應(yīng)用領(lǐng)域，消費類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。
砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...
FLOSFIA公司開發(fā)出了一種廉價制造氧化鎵晶體的方法
FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術(shù)發(fā)展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結(jié)晶的方法獲得。密度...
透射電鏡在氮化鎵器件研發(fā)中的關(guān)鍵作用分析
在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細節(jié)——這種...
2025-10-31 標簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵透射電鏡 9k 0
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TP...
2025-09-26 標簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 9k 0
氮化鎵（GaN）技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進一步改進電源轉(zhuǎn)換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性...
實現(xiàn)超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。
基于GaN固態(tài)放大器可實現(xiàn)的應(yīng)用設(shè)計
以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)； 現(xiàn)在，GaN已被部署到機載電子戰(zhàn)領(lǐng)域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板...
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二...
2024-09-02 標簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 8.4k 0
什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 標簽：半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 8.3k 0
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...
隨著碳化硅、氮化鎵等高開關(guān)頻率器件的逐漸引入，工程師在調(diào)試過程中的測試需求越來越高，此時的高頻信號經(jīng)常會導(dǎo)致使用不同的儀器測試結(jié)果都不一樣情況，到底是哪...
30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得...
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