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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓...
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)...
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，單元...
氮化鎵（氮化鎵）是一種半導(dǎo)體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...
發(fā)光二極管是由什么材料制成的 發(fā)光二極管是半導(dǎo)體嗎
發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉(zhuǎn)化為可見光。它由半導(dǎo)體材料制成，是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳...
基于德州儀器LMH13000打造下一代激光雷達(dá)系統(tǒng)
人類駕駛汽車已有一百多年歷史，但安全記錄卻不盡如人意。盡管如今的車輛比以往任何時(shí)候都更安全，但在世界許多地區(qū)，汽車事故和傷亡人數(shù)仍在不斷上升。這一趨勢在...
為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
對(duì)于服務(wù)器，這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC，而對(duì)于傳統(tǒng)的低功能（例如，僅語音）電信系統(tǒng)，這是遠(yuǎn)程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進(jìn)行“防腐蝕” ，負(fù)...
2021-03-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6.9k 0
氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微...
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。 優(yōu)點(diǎn)： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲(chǔ)和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用（圖 3），TI 正在展示其自己的對(duì)流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺(tái)。 該平臺(tái)...
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 6.7k 0
氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵...
氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
在氮化鎵技術(shù)中，熱設(shè)計(jì)與電氣設(shè)計(jì)同等重要
為管理今天的熱設(shè)計(jì)，電路設(shè)計(jì)人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴(kuò)散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設(shè)計(jì)不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因?yàn)?..
2018-01-04 標(biāo)簽：氮化鎵電氣設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì) 6.6k 0
在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調(diào)節(jié)精度，最常見的做法，是在反激級(jí)之后增加DC-DC后級(jí)穩(wěn)壓器。
華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵（GaN）技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...
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