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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹
1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 8.1k 0
在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...
碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...
案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro
前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個(gè)接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支...
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路...
氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu)，其特征是有兩個(gè)晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和 c)。
東微半導(dǎo)體超級(jí)硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級(jí)應(yīng)用的高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品系列，在國(guó)產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位，廣泛應(yīng)用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，智...
?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽：ldoFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7.6k 0
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號(hào)線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信...
系統(tǒng)級(jí)熱設(shè)計(jì)對(duì)于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來(lái)越多的分布式電源架構(gòu)（DPA）使用增加了熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。
2021-01-20 標(biāo)簽：熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 7.5k 0
產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性...
深圳爭(zhēng)妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應(yīng)用場(chǎng)景匹配技巧》
快恢復(fù)二極管（FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，其反向恢復(fù)時(shí)間（trr）直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統(tǒng)效率，是高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中選...
2025-12-24 標(biāo)簽：可控硅快恢復(fù)二極管SiC 7.4k 0
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的...
2024-01-10 標(biāo)簽：晶體光電器件半導(dǎo)體材料 7.3k 0
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì)，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用，并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中，相較于硅基器件所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。
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