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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
據(jù)悉，本項目計劃在2025年實現(xiàn)竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導體光電子研發(fā)制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機身+LED燈帶設計，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。
當前各種氮化鎵技術正在加速向200mm過渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導體技術在混合型和全電動汽車、消費電子產(chǎn)品、智能手機以及其他產(chǎn)品的制造...
GaN和相關合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
據(jù)晶湛半導體消息，晶湛半導體業(yè)界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩(wěn)定性等特點，被業(yè)內(nèi)譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。
氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數(shù)億元融資
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進展。
作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高，以及抗輻射能力強等優(yōu)勢。
納微半導體全速助力蔚來手機，GaNFast?氮化鎵快充提升車手互聯(lián)用戶體驗
為支撐如此強大且齊全的功能，蔚來給這款手機配備了一顆5,200mAh的大容量電池，隨手機標配的GaNFast氮化鎵快速充電器，可為該手機提供最大66W的...
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬...
來源：湖北九峰山實驗室 ? 2023年11月，九峰山實驗室基于氮化鎵（GaN）材料的太赫茲肖特基二極管（SBD）研制成功。經(jīng)驗證，該器件性能已達到國際前...
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應用的氮化鎵器件技術
近日，在第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇開幕大會上，香港科技大學講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數(shù)字應用的氮化鎵器...
清軟微視是清華大學知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術企業(yè)，專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和...
根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù)，2022 年通富微電是全球第四，中國大陸第二 OSAT 廠商，全球市占率 6.51%。公司收購 AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...
淺析現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導體材料
硅是最常見的半導體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應用最廣泛。...
2023-11-30 標簽：半導體產(chǎn)業(yè)半導體材料氮化鎵 3.5k 0
GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導體工藝兼容性強，因此更容易與其他半導體器件集成，進一步降低用戶的使用門檻，并在不同應用領域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢，很有...
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