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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升，五大策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)

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2024-01-29 標(biāo)簽：MOSFET MOS SiC 1.5k 0

美國(guó)一家GaN晶圓廠倒閉，總投資超過(guò)10億人民幣！

近日，美國(guó)一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉，該企業(yè)還有一個(gè)晶圓廠，總投資超過(guò)10億人民幣，而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū)，倒閉原因是什么？

2024-01-29 標(biāo)簽：led照明晶圓氮化鎵 2.1k 0

國(guó)產(chǎn)GaN迎來(lái)1700V突破！

該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露，實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。

2024-01-25 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN GaN HEMT 1.2k 0

垂直GaN技術(shù)新突破新變局

目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。

2024-01-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體氮化鎵 2.4k 0

理論性能遠(yuǎn)超SiC？GaN功率二極管的發(fā)展歷程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用，是從2018年開(kāi)始的。自手機(jī)快充功能在市場(chǎng)上迅速普及，經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展，氮化鎵HEMT器件早已被...

2024-01-24 標(biāo)簽：功率二極管功率器件 SiC 4.8k 0

瑞薩電子收購(gòu)氮化鎵供應(yīng)商Transphorm

瑞薩電子近日宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)，以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)美國(guó)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm。這次收購(gòu)總額為3.39億美元，相當(dāng)...

2024-01-23 標(biāo)簽：氮化鎵瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1.7k 0

半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速

第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 氮化鎵 2.6k 0

基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.9k 0

大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案

2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ...

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高性能、小體積，GaN在智能家居中開(kāi)拓廣闊市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來(lái)越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（Ga...

2024-01-19 標(biāo)簽：智能家居氮化鎵 GaN 5k 0

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件

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2024-01-18 標(biāo)簽：封裝氮化鎵引腳 1.6k 0

瑞薩電子收購(gòu)氮化鎵廠商Transphorm

瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Trans...

2024-01-17 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 瑞薩電子 1.5k 0

GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直GaN市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)

NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車市場(chǎng)可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。

2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵 1.5k 0

瑞薩24億收購(gòu)Transphorm！

此次收購(gòu)將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù)，從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。

2024-01-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車瑞薩氮化鎵 1.5k 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1.5k 0

拆解報(bào)告 | 安克65W充電器采用DK065G合封氮化鎵芯片

充電頭網(wǎng)拿到了安克的一款65W多口氮化鎵充電器，這款充電器為長(zhǎng)條機(jī)身，具有藍(lán)、白、紫、黑四種配色，外觀設(shè)計(jì)簡(jiǎn)約。充電器配有國(guó)標(biāo)折疊插腳，整體小巧便攜。支...

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投資金額達(dá)6000萬(wàn)元！又新增2個(gè)GaN射頻項(xiàng)目

近日，國(guó)內(nèi)有2個(gè)氮化鎵項(xiàng)目公布新進(jìn)展，合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

2024-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝氮化鎵 GaN 2.7k 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

共讀好書(shū) 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳...

2024-01-17 標(biāo)簽：新能源功率氮化鎵 1.7k 0

瑞薩收購(gòu)Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 GaN 1.9k 0

GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

2024-01-11 標(biāo)簽：雪崩擊穿氮化鎵 GaN 2.2k 0

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