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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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國(guó)產(chǎn)替代突破！深圳爭(zhēng)妍微工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)可控硅系列賦能汽車(chē)空調(diào)升級(jí)，替代NXP BTA20
車(chē)規(guī)級(jí)元器件的國(guó)產(chǎn)替代已進(jìn)入‘深水區(qū)’，尤其是汽車(chē)空調(diào)、電控等核心場(chǎng)景，對(duì)器件的溫寬適應(yīng)性、抗干擾能力要求極致。NXP BTA20能長(zhǎng)期占據(jù)市場(chǎng)，核心在...
國(guó)產(chǎn)替代成趨勢(shì)！爭(zhēng)妍微600V快恢復(fù)二極管TO-220變頻器專(zhuān)用替代BYV26C賦能變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)
在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下，變頻器作為核心控制設(shè)備，對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中，600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件，...
存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局：力積電成焦點(diǎn)，功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國(guó)際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4...
功率半導(dǎo)體賦能清潔能源轉(zhuǎn)型 共筑綠色發(fā)展新生態(tài)
據(jù)媒體報(bào)道，我國(guó)已建成世界規(guī)模最大的清潔能源供應(yīng)體系。2012年至2024年，我國(guó)以年均3.4%的能源消費(fèi)增速支撐了年均6.1%的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，能耗強(qiáng)度累計(jì)...
怎么區(qū)分快充和普通充電器？從倍思氮化鎵快充看核心差異
當(dāng)下,給手機(jī)選擇充電器的時(shí)候,“充電5分鐘通話(huà)2小時(shí)”的快充體驗(yàn)與“一充就是大半天”的普通充電形成了鮮明對(duì)比。但是市面上產(chǎn)品繁多,面對(duì)五花八門(mén)的選擇,我...
2025年12月，第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴(lài)品牌盛典大會(huì)在北京同期舉辦。大會(huì)以“融合創(chuàng)新 工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題，中國(guó)工業(yè)報(bào)社社長(zhǎng)徐金寶、原工信部...
2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET可控硅快恢復(fù)二極管 2k 0
安森美攜手格羅方德開(kāi)發(fā)下一代氮化鎵功率器件
概要： 安森美（onsemi ） 與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將...
AI＋ 激活中國(guó)市場(chǎng)新動(dòng)能 跨國(guó)企業(yè)與本土力量共探產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
中國(guó)大市場(chǎng)正持續(xù)釋放全球級(jí)機(jī)遇，更成為全球創(chuàng)新成果的核心應(yīng)用場(chǎng)。隨著跨國(guó)企業(yè)紛紛通過(guò)深化本土化布局、加碼數(shù)字化與AI應(yīng)用融合等路徑，尋求與中國(guó)市場(chǎng)的長(zhǎng)期...
【HPMicro inside】高爆發(fā)氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案
本文導(dǎo)讀JMD101是一款基于EtherCAT通信的高爆發(fā)關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，面向高端工業(yè)/機(jī)器人場(chǎng)景，集電源、驅(qū)動(dòng)、通信與控制技術(shù)于一體，專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)高精度...
2025-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 2.7k 0
納微半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（...
2025-12-04 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.7k 0
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專(zhuān)利侵權(quán)案中勝訴
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó) 該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專(zhuān)利組合的價(jià)值 氮化鎵?(G...
英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日宣布將為Enphase Ener...
Power Integrations榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度電源管理獎(jiǎng)
2025國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中華喜來(lái)登酒店舉辦。在此次展會(huì)上，Power Integr...
“芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車(chē)規(guī)級(jí) GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
格芯（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）與納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor，納斯達(dá)克代碼：NVTS）今日正式宣...
2025-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵格芯納微半導(dǎo)體 2.5k 0
在智能設(shè)備飛速發(fā)展的今天，無(wú)論是家里的智能音箱，還是工廠的自動(dòng)化設(shè)備，都對(duì)其“心臟”—電源模塊，提出了前所未有的高要求：高效率、小體積、高可靠性、綠色環(huán)...
在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，...
行業(yè)突破！開(kāi)關(guān)損耗直降50%，英諾賽科氮化鎵器件憑何打動(dòng)美的？
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 10月23日，國(guó)際知名調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Group發(fā)布的《功率氮化鎵2025》報(bào)告顯示，功率氮化鎵器件市場(chǎng)正以驚人速度擴(kuò)張。202...
近日，納微半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命，多名高管的加入將為納微注入全新動(dòng)力。
2025-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.5k 0
GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見(jiàn)型號(hào)
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)...
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