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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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東科合封氮化鎵芯片DK8710BD助力華碩100W快充實現(xiàn)高效輸出
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。華...
納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財務(wù)業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達克...
2025-11-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.9k 0
英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AE...
新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，...
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 3k 0
廣電計量出席半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車、服務(wù)器電源、光伏儲能、高密...
高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開啟快充新紀元
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFE...
納微半導(dǎo)體助力英偉達打造800 VDC電源架構(gòu)
納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 標(biāo)簽：氮化鎵英偉達納微半導(dǎo)體 3.3k 0
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）...
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷"電力革命"。宏微科技作為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，模塊產(chǎn)品已批量應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電...
羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新
2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重...
鎵未來攜 Gen3 技術(shù)平臺全系列新品亮相2025上海PCIM電子展
2025 PCIM Asia Shanghai ——上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會將于2025年9月24至26日在上海新國際博覽中心舉辦...
圖1. FP腔邊發(fā)射激光器、DFB邊發(fā)射激光器、VCSEL和PCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖、典型遠場發(fā)散角及輸出光譜特性。 常規(guī)的半導(dǎo)體激光器，如Fabry–P...
盡管市場越來越看好氮化鎵（GaN），硅仍然在許多電源模塊應(yīng)用中表現(xiàn)強勁，包括專門處理高算力AI工作負載的數(shù)據(jù)中心。
散熱降低一半，功率密度翻番！氮化鎵如何讓機器人“冷靜”地爆發(fā)？
機器人拳擊比賽上，本想重拳出擊KO對方，結(jié)果拳打出去沒有力氣；機器狗凌空翻轉(zhuǎn)，卻在半空卡住，尷尬落地。 機器人打出去的拳是否有力，反應(yīng)速度快不快，動作是...
性能“捷”出，捷捷微電JMSH1004BG同步整流管助力機械革命氮化鎵快充釋放140W狂暴能量！
近日，國內(nèi)頂尖游戲硬件品牌機械革命（MECHREVO）重磅推出了旗下首款140W氮化鎵快充充電器——AY140AA-1C-CH。這款新品以其強大的供電能...
圖1.基于GaN SBD的無源太赫茲相控陣芯片 隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展，太赫茲波因超寬帶、高定向性和高分辨率等優(yōu)勢，成為6G通信的重要頻譜資源。然而，頻...
納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布一項重要人事任命：納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025...
2025-08-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 4.3k 0
英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)產(chǎn)品介紹
CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵雙向開關(guān) 3.9k 0
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