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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場(chǎng)及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度,已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料。基于GaN的高電子遷移率晶體管...

2026-03-12 標(biāo)簽:三菱電機(jī)氮化鎵GaN 2.9k 0

低阻高導(dǎo)|捷捷微電 JMSL1006PG 助力小米大功率氮化鎵充電方案

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近日,小米推出了全新的140W8合1氮化鎵桌面充電站,以一體化的多接口設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的多設(shè)備同時(shí)快充能力,以及高效的氮化鎵技術(shù),為用戶打造了整潔、高效的桌面...

2026-03-05 標(biāo)簽:充電氮化鎵小米 2.3k 0

中國(guó)&全球唯一氮化鎵傳感器公司美鎵傳感獲融資

2026年2月,美鎵傳感在新一輪股權(quán)融資中獲得國(guó)新國(guó)證投資的領(lǐng)投,這是公司自合肥市產(chǎn)投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國(guó)新國(guó)證投資是中國(guó)國(guó)新、國(guó)新...

2026-03-01 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵GaN 3.1k 0

晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí) 破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題

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晶圓切割機(jī)技術(shù)升級(jí)破解碳化硅/氮化鎵低損傷切割難題碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體核心材料,憑借高擊穿電壓、高導(dǎo)熱系數(shù)、耐高溫等優(yōu)異特...

2026-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵劃片機(jī)博捷芯 2k 0

意法半導(dǎo)體氮化鎵方案賦能高頻應(yīng)用新場(chǎng)景

快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵(GaN)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化鎵的材料特性十分突出,為產(chǎn)品升級(jí)...

2026-02-27 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵快充 875 0

喜報(bào) | 東科半導(dǎo)體入選安徽省2025年度表現(xiàn)突出的創(chuàng)新型企業(yè)名單

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2月24日,在安徽省委、省政府高規(guī)格召開(kāi)的“新春第一會(huì)”——全省科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展大會(huì)暨省管干部學(xué)習(xí)貫徹黨的二十屆四中全會(huì)精神研討班開(kāi)班式上,備...

2026-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2k 0

Power Integrations榮獲2025年度模擬與電源管理技術(shù)先鋒獎(jiǎng)

由21ic電子網(wǎng)主辦的“2025年度電子產(chǎn)業(yè)卓越評(píng)選”已于2026年2月2日在北京圓滿結(jié)束。本次評(píng)選覆蓋電子產(chǎn)業(yè)鏈各關(guān)鍵環(huán)節(jié),共設(shè)九大獎(jiǎng)項(xiàng)類別。

2026-02-11 標(biāo)簽:電源管理電子產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1.2k 0

英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布將為EnphaseEnergy,Inc.(ENPH)新一代光伏微型逆變器提供...

2026-02-04 標(biāo)簽:英飛凌逆變器氮化鎵 3.1k 0

技術(shù)集成與工程實(shí)踐:高空低壓環(huán)境下閃蒸噴霧相變機(jī)理及其對(duì)機(jī)載微通道換熱器傳熱強(qiáng)化的實(shí)驗(yàn)研究

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隨著航空技術(shù)的飛速演進(jìn),機(jī)載電子設(shè)備正朝著集成化、高性能化的方向快速發(fā)展。現(xiàn)代軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、多功能射頻陣列以及飛行控制計(jì)算機(jī)的功率密度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)...

2026-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵換熱器 2k 0

為什么說(shuō)氮化鎵是快充領(lǐng)域顛覆者

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自從氮化鎵(GaN)器件問(wèn)世以來(lái),憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2026-01-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN快充 1.8k 0

新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)

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在“碳達(dá)峰、碳中和”成為全球共識(shí)的背景下,提升能源利用效率已成為各行業(yè)的核心任務(wù)。照明約占全球電力消耗的15%,而LED 驅(qū)動(dòng)電源作為照明系統(tǒng)的核心部件...

2026-01-19 標(biāo)簽:氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源英飛特 2.4k 0

新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

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爭(zhēng)妍微快訊:反傾銷調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料

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2026年1月7日,中國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調(diào)查,產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查,迅速引...

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2025年12月,匯川聯(lián)合動(dòng)力與英諾賽科共同宣布,采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國(guó)新能源汽車...

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意法半導(dǎo)體2025年度高光時(shí)刻回顧

時(shí)光邁入2026年新程,半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新浪潮持續(xù)澎湃!在這承前啟后的節(jié)點(diǎn),我們不妨回望剛剛過(guò)去的2025年——半導(dǎo)體行業(yè)在技術(shù)革新與市場(chǎng)變革中加速迭代,...

2026-01-07 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體氮化鎵 3.3k 0

深耕質(zhì)量賽道 鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭(zhēng)妍微電子獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證

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近日,深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn),成功通過(guò)中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核,榮獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證,并獲頒專用標(biāo)...

2026-01-06 標(biāo)簽:MOSFET可控硅IGBT 4.6k 0

音質(zhì)與穩(wěn)定雙突破!爭(zhēng)妍微大功率功放三極管2SC5200音響功率放大配對(duì)2SA1943

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在大功率音響功放領(lǐng)域,2SC5200與2SA1943互補(bǔ)配對(duì)三極管是核心功率器件,其配對(duì)精度、熱穩(wěn)定性直接決定音響的音質(zhì)還原度、功率輸出能力及使用壽命。...

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快充國(guó)產(chǎn)替代新突破!爭(zhēng)妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD,替代英諾賽科INN650D02

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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