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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵（GaN）技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場(chǎng)潛力
近年來(lái)，氮化鎵(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢(shì)，迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車(chē)和新能源等新興領(lǐng)域...
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日，Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN開(kāi)關(guān)IC 1.8k 0
加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發(fā)
近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的...
GaN價(jià)格及市場(chǎng)規(guī)模的發(fā)展趨勢(shì)
根據(jù)行家說(shuō) Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營(yíng)收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達(dá)加速發(fā)展
有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)愈來(lái)愈受到研發(fā)的青睞，該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺(tái)上，同時(shí)在陸地和海事細(xì)分市場(chǎng)也有采用。
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專(zhuān)利侵權(quán)案中勝訴
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó) 該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專(zhuān)利組合的價(jià)值 氮化鎵?(G...
氮化鎵器件開(kāi)關(guān)頻率升級(jí)，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U87...
美國(guó)政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
隨著國(guó)防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35萬(wàn)美元新資金，GF計(jì)劃購(gòu)買(mǎi)額外的工具，以擴(kuò)大開(kāi)發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力...
2023-11-24 標(biāo)簽：芯片氮化鎵半導(dǎo)體制造 1.8k 0
英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
納微氮化鎵功率芯片進(jìn)入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充電器
Navitas 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消費(fèi)者欣賞具有創(chuàng)新、性能和質(zhì)量卓越的領(lǐng)先技術(shù)。 “三星和納微在提供下一...
關(guān)于NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm 的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱阻和...
高頻驅(qū)動(dòng)下的第三代半導(dǎo)體服務(wù)器電源對(duì)磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對(duì)話(huà)通過(guò)行業(yè)內(nèi)權(quán)威教授、服務(wù)器電源廠(chǎng)商、磁性元器件廠(chǎng)商、磁芯廠(chǎng)商以及線(xiàn)材廠(chǎng)商的對(duì)...
騰訊專(zhuān)訪(fǎng)納微副總裁查瑩杰：電源架構(gòu)與材料，即將發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變
在采訪(fǎng)中，查瑩杰先生向我們介紹了氮化鎵在電力電子行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展，納微半導(dǎo)體的使命以及未來(lái)發(fā)展的方向。
2021-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵騰訊納微半導(dǎo)體 1.8k 0
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。
2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
氮化鎵第三代半導(dǎo)體材料，在消費(fèi)電源市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用
隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)的普及。目前，快充源市場(chǎng)上氮化鎵...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H800...
氮化鎵是一種由氮和鎵結(jié)合而來(lái)的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵日因此得名，同時(shí)也以英文名GaN Day傳播到全...
“在2024財(cái)年第二季度，我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(zhǎng)，同時(shí)，毛利率同比增長(zhǎng)了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線(xiàn)的持續(xù)增長(zhǎng)和設(shè)計(jì)勝利感到高興，大功率設(shè)計(jì)的成...
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