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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資
近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進(jìn)展。
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1.8k 0
近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 1.7k 0
進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電...
2025-06-20 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源IC 1.7k 0
本周，半導(dǎo)體行業(yè)最引人關(guān)注的新聞非中國限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。
意法半導(dǎo)體與臺積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場采用率
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢十分明顯，例如，在大功率工作時能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 標(biāo)簽：臺積電意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.7k 0
納微半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強化戰(zhàn)略合作
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（...
2025-12-04 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.7k 0
SGM48520榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎
SGM48520 是一款單通道低邊氮化鎵（GaN）晶體管驅(qū)動器，獨立可配置的開通和關(guān)斷驅(qū)動通道，具有最大 6A 拉電流和 4A 灌電流的輸出能力。芯片集...
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1.7k 0
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NV...
愛美雅）將隆重推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案，目前已與國內(nèi)通信龍頭及國內(nèi)一線零售品牌建立了合作關(guān)系，未來這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入...
納微半導(dǎo)體與Live Oak II簽訂合并最終協(xié)議，以10.4億美元的企業(yè)價值上市
納微半導(dǎo)體已向戴爾、聯(lián)想、小米、OPPO、LG、亞馬遜、貝爾金等幾十家高端客戶交付了超過1800萬顆GaNFast?功率芯片，沒有收到任何故障報告。
中瓷電子擬斥資38億元將進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體
氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱，合并后的公司將在下一代功率...
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準(zhǔn)確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強。全球不斷增長的市場和客戶對先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN...
2024-11-22 標(biāo)簽：AI氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.7k 0
蘇州長光華芯化合物半導(dǎo)體光電子平臺新建項目奠基儀式啟動
據(jù)悉，本項目計劃在2025年實現(xiàn)竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長的有線電...
Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。
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