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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC

PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94%,其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌...

2020-03-15 標(biāo)簽:Power晶體管氮化鎵 1.9k 0

PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案概述

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深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案,主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,協(xié)議338E。輸入規(guī)格:18...

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下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

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納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEEE IEDM 2021)上展示了其最新研究成果。通過(guò)在基于 p 型氮...

2022-07-26 標(biāo)簽:氮化鎵HEMT 1.9k 0

了解GaN器件熱分析

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隨著器件功耗的增加,氮化鎵技術(shù)正走向成熟

目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SJMOSFET)來(lái)調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸,重量大概1...

2020-11-05 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵工業(yè)電源 1.9k 0

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革

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2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...

2024-09-12 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵GaN 1.9k 0

三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng) 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場(chǎng)?

根據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo),三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 (GaN)市場(chǎng),目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。

2023-07-19 標(biāo)簽:三星電子功率器件氮化鎵 1.9k 0

瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵GaN 1.9k 0

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2021-12-02 標(biāo)簽:射頻microchip無(wú)線通信 1.9k 0

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據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...

2024-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.9k 0

電子科技大學(xué)在量子光源芯片研制領(lǐng)域取得重大突破

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氮化鎵材料在電力電子器件中的應(yīng)用

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納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

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第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

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納微半導(dǎo)體CTO登場(chǎng)SEMICON Taiwan 2021大會(huì),介紹氮化鎵技術(shù)

 氮化鎵(GaN)是下一代半導(dǎo)體技術(shù),它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。

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芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

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2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系...

2023-11-14 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵GaN 1.9k 0

氮化鎵充電器為什么這么火?

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2023-10-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1.9k 0

淺談氮化鎵快充芯片方案

淺談氮化鎵快充芯片方案

氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色,氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器,監(jiān)測(cè)和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式,確??斐溥^(guò)程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充...

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Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作

隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng),基于GaN的主流設(shè)計(jì)正漸入佳境,勢(shì)必推動(dòng)2021年及未來(lái)功率半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)。

2021-03-12 標(biāo)簽:汽車電子氮化鎵Nexperia 1.9k 0

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安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
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