英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無線充電功率

全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX， OTCQX： IFNNY）近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Elect...

2024-10-22 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 2k 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些

氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵Anker 2k 0

EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊——EPC9151

面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。

2020-12-22 標(biāo)簽：EPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2k 0

POWI推出集成750V氮化鎵開關(guān)的高效準(zhǔn)諧振PFC IC

APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出內(nèi)部...

2022-03-22 標(biāo)簽：電容氮化鎵POWI 2k 0

德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

德州儀器（TI）宣布，其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù)，將使TI...

2024-10-26 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵GaN 2k 0

Power Integrations推出太陽能賽車專用參考設(shè)計(jì)，采用高效率氮化鎵芯片

PowiGaN在輕載和滿載時(shí)均實(shí)現(xiàn)95%高效率，滿足關(guān)鍵的運(yùn)行和安全功能需求 ? 澳大利亞達(dá)爾文及美國加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power ...

2025-08-28 標(biāo)簽：PI氮化鎵 2k 0

納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

納微半導(dǎo)體，作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車電源...

2024-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2k 0

氮化鎵的十大關(guān)鍵要點(diǎn)

GaN 可為射頻應(yīng)用帶來獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻氮化鎵 2k 0

格芯獲3000萬美元資金，加速硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化

2022-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵 2k 0

氮化鎵充電器如何變得更快更強(qiáng)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域也在不斷發(fā)展。在這個(gè)領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐漸被廣泛應(yīng)用在各種電力電子器件中，其中最...

2023-10-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 2k 0

納微半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)發(fā)布，搭配120W氮化鎵神仙秒充，梅賽德斯F1手機(jī)震撼上市

納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊(duì)共...

2022-03-14 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 2k 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車SiC氮化鎵 1.9k 0

意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...

2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1.9k 0

氮化鎵芯片如何選擇？

氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片IC氮化鎵 1.9k 0