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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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最高額!芯片制造商格芯將獲美國15億美元補(bǔ)貼

2月20日消息,據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一,美國政府表示,作為美國《芯片與科學(xué)法案》的一部分,它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金,用于支持該公司擴(kuò)大...

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VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路

因此,VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN(直接驅(qū)動(dòng)耗盡型氮化鎵)半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用??焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...

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納微半導(dǎo)體AI數(shù)據(jù)中心電源方案亮相2025慕尼黑上海電子展

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眾所周知,“80 PLUS”是用于評(píng)估并認(rèn)證計(jì)算機(jī)和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo),而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn),也于2025年1月,...

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德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升

近日,美國芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功...

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湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

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作為Odyssey的核心部門之一,總面積達(dá)1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓工廠配有先進(jìn)的開發(fā)與生產(chǎn)設(shè)施,致力于量產(chǎn)運(yùn)行于650V至1200V的垂直型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)...

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九峰山實(shí)驗(yàn)室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

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來源:湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室 ? 2023年11月,九峰山實(shí)驗(yàn)室基于氮化鎵(GaN)材料的太赫茲肖特基二極管(SBD)研制成功。經(jīng)驗(yàn)證,該器件性能已達(dá)到國際前...

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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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